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公开(公告)号:JP2016065016A
公开(公告)日:2016-04-28
申请号:JP2014195029
申请日:2014-09-25
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , C07D327/06 , C07C309/42 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07C309/73
CPC classification number: C07C305/24 , C07C309/42 , C07C309/73 , C07C381/12 , C07D279/20 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D335/12 , C07D335/16 , C07D339/08 , C07D493/08 , G03F1/76 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/322 , C07C2101/08 , C07C2101/14 , C07C2101/20 , C07C2103/74
Abstract: 【解決手段】一般式(0−1)で示されるスルホニウム塩。 (Wはエーテル性酸素原子を含んでもよいアルキレン基又はアリーレン基、R 01 はヘテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在してもよい一価炭化水素基、mは0〜2、kは0≦k≦5+4m、R 101 、R 102 及びR 103 はヘテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在してもよい一価炭化水素基、R 101 、R 102 及びR 103 のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。Lは単結合を示すか、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合あるいはカーバメート結合のいずれかを示す。) 【効果】本発明のスルホニウム塩を光酸発生剤として導入したレジスト組成物は、微細加工技術、特に電子線、EUVリソグラフィー技術において、極めて高い解像性を有し、LERの小さいパターンを与えることができる。 【選択図】なし
Abstract translation: 解决方案:提供由通式(0-1)表示的锍盐。 在通式(0-1)中,W表示可以包括醚型氧原子的亚烷基或亚芳基; R表示可以被杂原子取代或包括杂原子的一价烃基; m为0〜2; k满足0≤k≤5+ 4m; R,Rand表示可以被杂原子取代或包括杂原子的一价烃基,或者R,R n R y y中的至少两个彼此连接以与式中的硫原子一起形成环; L表示单键或酯键,磺酸键,碳酸键和氨基甲酸酯键。反应:将本发明的锍盐作为光酸产生剂引入的抗蚀剂组合物可以形成具有 微处理技术中的极高分辨率和较小的LER,特别是电子束或EUV光刻技术。选择图:无
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22.感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法 有权
Title translation: 光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物中,光化射线敏感或辐射敏感膜的电子装置的组合物和使用的图案形成方法和制造方法,公开(公告)号:JP5740376B2
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:JP2012215289
申请日:2012-09-27
Applicant: 富士フイルム株式会社
CPC classification number: G03F7/027 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C311/48 , C07C381/12 , C07D279/30 , C07D307/33 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D335/16 , C07D339/08 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , C07C2101/08 , C07C2101/14 , C07C2103/74
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23.
公开(公告)号:JP5618557B2
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:JP2010019284
申请日:2010-01-29
Applicant: 富士フイルム株式会社
IPC: G03F7/004 , C08F2/50 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: C07C309/31 , C07D327/08 , C07D333/76 , G03F7/004 , G03F7/20
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公开(公告)号:JP5145537B2
公开(公告)日:2013-02-20
申请号:JP2007547713
申请日:2005-12-21
Applicant: ビーエイチアイ リミテッド パートナーシップ
Inventor: シャンチー コン , シンフウ ウー , アブデラヒム ブーザイド , イザベル ヴァラド , デイヴィッド ミグノー , フランシーヌ ジェルベー , ダニエル デローム , ブノワ バチャンド , モハメド アトファニ , ソフィー レベスケ , ビタ サミン
IPC: C07C309/14 , A61K31/185 , A61K31/198 , A61K31/341 , A61K31/381 , A61K31/4184 , A61K31/439 , A61K31/445 , A61K31/4453 , A61K31/4458 , A61K31/4462 , A61K31/4465 , A61P3/10 , A61P7/00 , A61P9/00 , A61P13/12 , A61P17/00 , A61P17/04 , A61P25/00 , A61P25/28 , A61P27/02 , A61P27/16 , A61P29/00 , A61P35/02 , A61P43/00
CPC classification number: C07C309/19 , C07C309/14 , C07C309/21 , C07C309/24 , C07C309/26 , C07C2601/02 , C07C2601/04 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2601/18 , C07C2602/08 , C07C2602/10 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , C07D207/12 , C07D207/333 , C07D209/08 , C07D209/16 , C07D209/36 , C07D209/44 , C07D209/48 , C07D209/86 , C07D211/06 , C07D211/14 , C07D211/18 , C07D211/34 , C07D211/48 , C07D211/52 , C07D211/58 , C07D211/64 , C07D211/70 , C07D211/82 , C07D213/04 , C07D213/20 , C07D213/50 , C07D213/75 , C07D213/82 , C07D217/04 , C07D219/10 , C07D231/44 , C07D233/54 , C07D235/28 , C07D257/04 , C07D275/06 , C07D277/66 , C07D295/073 , C07D295/088 , C07D307/14 , C07D307/52 , C07D317/58 , C07D327/04 , C07D327/06 , C07D327/08 , C07D333/20 , C07D333/34 , C07D409/04 , C07D471/04 , C07D471/08 , C07K5/06
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公开(公告)号:JP2010520884A
公开(公告)日:2010-06-17
申请号:JP2009552912
申请日:2008-03-07
Inventor: ラジェンダー カンボイ, , ヴィシュヌムルティ コドュムル, , チアンユー サン, , ジャン−ジャック シャデュー, , セルゲイ スヴィリドフ, , ナガスリー チャッカ, , ミカエル チャフィーブ, , チャイホイ チャン, , チアンミン フー, , ジョナサン ランギル, , シーフェン リュー,
IPC: C07D219/02 , A61K31/155 , A61K31/343 , A61K31/352 , A61K31/38 , A61K31/381 , A61K31/39 , A61K31/473 , A61P3/02 , A61P7/06 , A61P43/00 , C07C335/32 , C07D307/91 , C07D311/82 , C07D311/86 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D337/10
CPC classification number: C07D337/10 , C07C335/32 , C07C2603/08 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07D219/02 , C07D307/91 , C07D311/82 , C07D327/08 , C07D333/50
Abstract: 本発明は、鉄障害の処置のための、例えば、式(I):
(式中、n、m、R
1 、R
2 、R
3 、R
4 、R
5 、R
6 、R
7 およびR
8 は、本明細書において定義したとおりである)
の化合物であって、その立体異性体、鏡像異性体、互変異性体もしくはその混合物としての化合物;またはその薬学的に許容され得る塩、溶媒和物もしくはプロドラッグに関する。 また、本発明は、該化合物を含む医薬組成物および鉄障害を処置するための該化合物の使用方法に関する。-
公开(公告)号:JP3548967B2
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:JP20098593
申请日:1993-07-21
Applicant: バンティコ アクチエンゲゼルシャフトVantico AG
Inventor: ミューラー ビート
IPC: C07C381/12 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D339/08 , C08F4/00 , C08F4/32 , C08G59/22 , C08G59/68 , C08G65/10
CPC classification number: C07D333/76 , C07C381/12 , C07D327/08 , C07D339/08 , C08F4/00 , C08G59/226 , C08G59/687 , C08G65/105
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公开(公告)号:JPS595593B2
公开(公告)日:1984-02-06
申请号:JP11600374
申请日:1974-10-08
Applicant: Warner Lambert Co
Inventor: PEETAA YOHANESU SHUTOTSUSU , GERUHARUTO ZATSUCHINGAA , MANFURETSUTO FURANTSU RAINHORUTO HERUMAN
IPC: A61K31/38 , A61K31/381 , A61K31/382 , A61K31/385 , A61K31/39 , A61K31/445 , A61K31/54 , A61K31/5415 , A61P7/10 , A61P11/14 , A61P25/20 , A61P43/00 , C07D279/34 , C07D285/38 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D335/12 , C07D337/12 , C07D339/08
CPC classification number: C07D279/34 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D335/12 , C07D339/08
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公开(公告)号:JPWO2017154345A1
公开(公告)日:2018-10-11
申请号:JP2017000986
申请日:2017-01-13
Applicant: 富士フイルム株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/20 , C07C381/12 , C07C309/12 , C07C309/17 , C09K3/00 , C07D213/70 , C07J43/00 , C07D335/16 , C07D327/08 , C07D217/08 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C309/12 , C07C309/15 , C07C309/17 , C07C321/28 , C07C381/12 , C07C2603/74 , C07D213/70 , C07D217/08 , C07D327/08 , C07D333/46 , C07D335/16 , C07J43/003 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/38
Abstract: 本発明は、LWRの小さいパターンを形成することができ、かつ、形成されたパターンの倒れがより抑制された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、一般式(1)で表される光酸発生剤、又は、一般式(1)で表される光酸発生剤から1個の水素原子を取り除いた残基を有する樹脂、を含有する。
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公开(公告)号:JP6346129B2
公开(公告)日:2018-06-20
申请号:JP2015155343
申请日:2015-08-05
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/20 , C08F220/38
CPC classification number: G03F7/039 , C07C309/12 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , C07D327/08 , C08F220/20 , C08F220/38 , C08F2220/1891 , C08F2220/283 , C08F2220/302 , C08F2220/303 , C08F2220/382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38
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公开(公告)号:JP2017219836A
公开(公告)日:2017-12-14
申请号:JP2017104076
申请日:2017-05-26
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , C07C381/12 , C07C63/10 , C07C65/05 , C07C271/28 , C07C233/54 , C07C69/78 , C07C69/40 , C07C69/82 , C07C57/58 , C07C69/80 , C07C65/10 , C07C69/14 , C07C69/24 , C07C309/66 , C08F20/10 , C07D333/76 , C07D279/20 , C07D327/08 , G03F7/20 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0382 , C07C233/54 , C07C271/28 , C07C309/66 , C07C381/12 , C07C57/58 , C07C63/70 , C07C65/03 , C07C65/05 , C07D279/20 , C07D327/08 , C07D333/76 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0392 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38 , C07C2601/18 , C07C2602/28 , C07C2603/68 , C07C2603/74
Abstract: 【課題】ポジ型レジスト材料においてもネガ型レジスト材料においても、高感度かつLWRが小さいレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】ベースポリマー及び下記式(A)で表されるスルホニウム塩を含むレジスト材料。 【選択図】なし
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