半導体装置
    3.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号:JP2015228511A

    公开(公告)日:2015-12-17

    申请号:JP2015153232

    申请日:2015-08-03

    CPC classification number: H01L24/97 H01L2224/73204 H01L2924/15311

    Abstract: 【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。 【解決手段】フリップチップ接続工程で、突起電極4の先端面に予め取り付けられた半田材と、端子(ボンディングリード)11上に予め塗布された半田材を加熱することで一体化させて電気的に接続する。ここで、端子11は、第1の幅W1を有する幅広部(第1部分)11wと、第2の幅W2を有する幅狭部(第2部分)11nを有する。半田材を加熱すると、幅狭部11n上に配置される半田材の厚さは、幅広部11wに配置される半田材の厚さよりも薄くなる。そして、フリップチップ接続工程では、幅狭部11n上に突起電極4を配置して、幅狭部11n上に接合する。これにより半田材のはみ出し量を低減できる。 【選択図】図22

    Abstract translation: 要解决的问题:提高半导体器件的可靠性。解决方案:在倒装芯片连接工艺中,通过加热预先附着在突起电极4的前端面上的焊料和预先涂覆在端子(接合引线)11上的焊料, 凸块电极4和端子11一体电连接。 这里,端子11包括具有第一宽度W1的宽部分(第一部分)11w和具有第二宽度W2的窄部分(第二部分)11n。 当焊料材料被加热时,设置在窄部分11n上的焊料材料的厚度变得比设置在宽部分11w上的焊料材料的厚度薄。 随后,在倒装芯片连接处理中,凸块电极4设置在狭窄部分11n上并结合到窄部分11n。 由此,可以减少杂质量的焊料材料。

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