半導体装置の製造方法
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017146255A

    公开(公告)日:2017-08-24

    申请号:JP2016029652

    申请日:2016-02-19

    IPC分类号: G06T1/00 G01N23/04

    摘要: 【課題】X線CTによる半導体装置の断層画像と当該半導体装置のCADデータとを対比させて形状解析を行う際の精度を向上させる。 【解決手段】CADにより前記半導体装置の設計を行い、設計CADデータ100を出力する第1工程と、設計CADデータ100に対して、前記半導体装置の出来栄えに対応した補正を行い、補正CADデータ200を出力する第2工程と、設計CADデータ100に基づいて前記半導体装置を製造する第3工程と、製造された前記半導体装置の断層画像を撮影する第4工程と、前記断層画像と、補正CADデータ200との間で、前記半導体装置に含まれる部品の形状および寸法を対比する第5工程と、前記第5工程における対比の結果、差分が所定の量以上である場合に不良と判定する第6工程と、を有する。 【選択図】図1