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公开(公告)号：JP5576004B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2014523872
申请日：2014-01-30
Applicant: 千住金属工業株式会社 , 四国化成工業株式会社
CPC classification number: B23K35/3601 , B22F1/0062 , B23K35/36 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/0569 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11821 , H01L2224/11823 , H01L2224/11824 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1349 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
Abstract: ソフトエラーの発生を抑制しつつ、Ｃｕボールの電極上への実装時のアライメント性を確保する。
ＯＳＰ処理Ｃｕボール１１は、Ｃｕボール１と、このＣｕボール１の表面を被覆するイミダゾール化合物を含有する有機被膜２とを備える。 Ｃｕボール１は、純度が９９．９％以上９９．９９５％以下であり、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が５ｐｐｂ以下であり、ＰｂまたはＢｉの含有量もしくはＰｂおよびＢｉの両者を併せた含有量の合計量が１ｐｐｍ以上であり、真球度が０．９５以上であり、α線量が０．０２００ｃｐｈ／ｃｍ
２ 以下である。-
公开(公告)号：JPWO2015114770A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2014523872
申请日：2014-01-30
Applicant: 千住金属工業株式会社 , 四国化成工業株式会社
Inventor： 浩由 川▲崎▼ , 浩由 川▲崎▼ , 友朗 西野 , 友朗 西野 , 六本木 貴弘 , 貴弘 六本木 , 相馬 大輔 , 大輔 相馬 , 佐藤 勇 , 勇 佐藤 , 勇司 川又 , 勇司 川又 , 浩彦 平尾 , 浩彦 平尾 , 淳 田阪 , 淳 田阪
CPC classification number: B23K35/3601 , B22F1/0062 , B23K35/36 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/0569 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11821 , H01L2224/11823 , H01L2224/11824 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1349 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
Abstract: ソフトエラーの発生を抑制しつつ、Cuボールの電極上への実装時のアライメント性を確保する。OSP処理Cuボール11は、Cuボール1と、このCuボール1の表面を被覆するイミダゾール化合物を含有する有機被膜2とを備える。Cuボール1は、純度が99.9%以上99.995%以下であり、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、PbまたはBiの含有量もしくはPbおよびBiの両者を併せた含有量の合計量が1ppm以上であり、真球度が0.95以上であり、α線量が0.0200cph/cm2以下である。
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公开(公告)号：JP5680773B1
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：JP2014014702
申请日：2014-01-29
Applicant: 千住金属工業株式会社 , 四国化成工業株式会社
Inventor： 浩由 川▲崎▼ , 浩由 川▲崎▼ , 友朗 西野 , 友朗 西野 , 六本木 貴弘 , 貴弘 六本木 , 相馬 大輔 , 大輔 相馬 , 佐藤 勇 , 勇 佐藤 , 勇司 川又 , 勇司 川又 , 浩彦 平尾 , 浩彦 平尾 , 淳 田阪 , 淳 田阪
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , B23K1/14 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/30 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L21/60 , H05K3/34
Abstract: 【課題】Cu核ボールの電極上への実装時のアライメント性を確保しつつ、ソフトエラーの発生を抑制する。【解決手段】Cu核ボールは、Cuボールと、Cuボール表面に形成されたAgめっき被膜とを備える。Cuボールは、純度が99.9%以上99.995%以下であり、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、PbまたはBiの含有量もしくはPbおよびBiの両方を併せた含有量の合計量が1ppm以上、真球度が0.95以上であり、α線量が0.0200cph/cm2以下である。Agめっき被膜は、膜厚が5μm以下である。【選択図】図1
Abstract translation: 同时保证了在Cu核球的上部电极的排列的实施时间，抑制软错误的发生。 铜核球包括Cu焊球，镀银形成的球的Cu表面上的膜。 Cu焊球，纯度小于99.995％99.9％或U的含量少是5ppb的，钍的含量不超过5ppb的，结合两者的Pb或Bi含量或Pb和碧 1PPM或多个内容的总量为不小于0.95球形度，α-剂量小于0.0200cph /厘米2。 镀Ag膜，膜厚度为5μm或更小。 点域1
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公开(公告)号：JP5652561B1
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2014019719
申请日：2014-02-04
Applicant: 千住金属工業株式会社
Inventor： 浩由 川▲崎▼ , 浩由 川▲崎▼ , 隆 赤川 , 隆 赤川 , 篤史 池田 , 篤史 池田 , 優 佐々木 , 優 佐々木 , 裕之 山▲崎▼ , 裕之 山▲崎▼ , 六本木 貴弘 , 貴弘 六本木 , 相馬 大輔 , 大輔 相馬 , 佐藤 勇 , 勇 佐藤
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , B23K1/00 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/40 , C22C19/03 , H01L21/60 , H05K3/34
Abstract: 【課題】α線量が少なく真球度が高いNiボール、あるいは、このNiボールをはんだ層で被覆したNi核ボールをフラックスで被覆したフラックスコートボールを提供する。【解決手段】フラックスコートNiボール1Aは、Niで構成されるNiボール2と、Niボール2を被覆するフラックス層3とを備え、Niボール2は、放射されるα線量が0.0200cph/cm2以下であり、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上であり、Niの純度が99.9%以上99.995%以下であり、真球度が0.90以上である。【選択図】図1
Abstract translation: Aα剂量少球形度为高镍球或涂覆有焊料层镍球，以提供涂覆有磁通的涂有焊剂的球镍核球。 的焊剂涂层的Ni球1A是Ni球2的Ni构成的，并覆盖所述的Ni球2，镍球2，α射线量的焊剂层3被辐射0.0200cph / cm 2以下 和U的含量为5ppb的，或钍的含量少的或更小是5ppb的，无论是铅或铋的含量，或者是Pb和Bi的总和的含量为1ppm的或更多，镍 纯度小于99.995％99.9％，和0.90或更球形。 点域1
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公开(公告)号：JP5585750B1
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：JP2014523134
申请日：2014-01-30
Applicant: 千住金属工業株式会社
CPC classification number: B23K35/0238 , B22F1/025 , B23K35/30 , B23K35/302 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C18/32 , C25D3/12 , C25D7/00 , C25D17/16 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1346 , H01L2224/1349 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
Abstract: Ｃｕ核ボールの電極上への実装時のアライメント性を確保しつつ、ソフトエラーの発生を抑制する。
Ｃｕ核ボール１１は、Ｃｕボール１と、このＣｕボール１表面を被覆する金属層２とを備える。 金属層２は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅから選択される１以上の元素からなる。 Ｃｕボール１は、純度が９９．９％以上９９．９９５％以下であり、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が５ｐｐｂ以下であり、ＰｂおよびＢｉの少なくとも一方の含有量の合計量が１ｐｐｍ以上であり、真球度が０．９５以上であり、α線量が０．０２００ｃｐｈ／ｃｍ
２ 以下である。-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5510623B1
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：JP2014501124
申请日：2013-09-19
Applicant: 千住金属工業株式会社
CPC classification number: C22C19/03 , B22F1/0011 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/082 , B22F2009/0824 , B22F2009/0848 , B22F2301/15 , B22F2301/30 , B22F2304/10 , B22F2304/15 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3033 , B23K35/36 , B23K35/40 , B32B15/01 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C19/00 , C22C19/058 , C22C30/04 , C22F1/00 , C22F1/10
Abstract: Ｎｉ以外の不純物元素を一定量以上含有してもα線量が少なく真球度が高いＮｉボールを提供する。
ソフトエラーを抑制して接続不良を低減するためＵの含有量を５ｐｐｂ以下とし、Ｔｈの含有量を５ｐｐｂ以下とし、純度を９９．９％以上９９．９９５％以下とし、α線量を０．０２００ｃｐｈ／ｃｍ
２ 以下とし、ＰｂまたはＢｉのいずれかの含有量、あるいは、ＰｂおよびＢｉの合計の含有量を１ｐｐｍ以上とし、真球度を０．９０以上とした。-
公开(公告)号：JPWO2016031067A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015525662
申请日：2014-08-29
Applicant: 千住金属工業株式会社
CPC classification number: B23K35/0244 , B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/365 , C22C13/00 , C23C8/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11318 , H01L2224/1182 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13561 , H01L2224/13687 , H01L2924/014 , H01L2924/0544
Abstract: 酸化膜の成長を抑制できるようにしたはんだ材料を提供する。はんだ材料であるはんだボール1Aは、はんだ層2と、はんだ層2を被覆する被覆層3で構成される。はんだ層2は球状であり、Snの含有量が40%以上の合金からなる金属材料で構成される。または、はんだ層2は、Snの含有量が100%である金属材料で構成される。被覆層3は、はんだ層2の外側にSnO膜3aが形成され、SnO膜3aの外側にSnO2膜3bが形成される。被覆層3の厚さは、0nmより大きく4.5nm以下であることが好ましい。また、はんだボール1Aの黄色度は、5.7以下であることが好ましい。
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公开(公告)号：JPWO2015118612A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2014523135
申请日：2014-02-04
Applicant: 千住金属工業株式会社
CPC classification number: B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2201/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0106 , H01L2924/01032 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01071 , H01L2924/01051 , H01L2924/01069 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01026 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/01059 , H01L2924/01079 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01052 , H01L2924/01004 , H01L2924/01016 , H01L2924/01076 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025
Abstract: 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、純度が99.9%以上99.995%以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。
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公开(公告)号：JPWO2015114798A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015512821
申请日：2014-01-31
Applicant: 千住金属工業株式会社
Inventor： 浩由 川▲崎▼ , 浩由 川▲崎▼ , 裕之 山▲崎▼ , 裕之 山▲崎▼ , 六本木 貴弘 , 貴弘 六本木 , 崇史 萩原 , 崇史 萩原 , 相馬 大輔 , 大輔 相馬 , 佐藤 勇 , 勇 佐藤 , 勇司 川又 , 勇司 川又
CPC classification number: C22F1/08 , B22F1/0048 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B23K35/0222 , B23K35/0238 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/36 , B23K35/362 , B23K35/365 , C22C9/00 , C22F1/00 , C25D3/30 , C25D3/60 , C25D7/00 , H01L23/556 , H01L24/13 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13694 , H01L2224/81011 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/014
Abstract: α線量が少なく真球度が高いCuボール、あるいは、このCuボールをはんだ層で被覆したCu核ボールをフラックスで被覆したフラックスコートボールを提供する。フラックスコートCuボール1Aは、CuあるいはCu合金で構成されるCuボール2と、Cuボール2を被覆するフラックス層3とを備え、Cuボール2は、放射されるα線量が0.0200cph/cm2以下であり、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上であり、Cuの純度が99.9%以上99.995%以下であり、真球度が0.95以上である。
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公开(公告)号：JP5590259B1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：JP2014013528
申请日：2014-01-28
Applicant: 千住金属工業株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/08 , B22F9/14 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/30 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08
CPC classification number: C25D3/60 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F2301/10 , B22F2301/30 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D3/30 , C25D5/12 , C25D5/20 , F16B5/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/12042 , H01L2924/15321 , H05K3/3436 , H05K2201/0218 , H05K2201/10734 , H01L2924/00
Abstract: ソフトエラーの発生を抑制し、実装処理に問題とはならない表面粗さとなされた低α線量のＣｕ核ボールを提供する。 コアとなるＣｕボールの純度は９９．９％以上９９．９９５％以下で、このＣｕボールに含まれる不純物のうち、Ｐｂおよび/またはＢｉの含有量の合計量が１ppm以上となされた、真球度が０．９５以上のＣｕボールである。 Ｃｕボールに被覆されるはんだめっき被膜は、Ｓｎはんだめっき被膜またはＳｎを主成分とする鉛フリーはんだ合金からなるはんだめっき被膜であり、Ｕが５ｐｐｂ以下で、Ｔｈが５ｐｐｂ以下の含有量となされる。 Ｃｕボールとはんだめっき被膜の総合のα線量が０．０２００ｃｐｈ／ｃｍ
２ 以下となされると共に、上記Ｃｕ核ボールの表面粗さは０．３μｍ以下となされたものである。
【選択図】なしAbstract translation: 铜芯球抑制软错误，其α剂量低。 其表面粗糙度不影响安装过程。 作为内部球的Cu球的纯度等于或大于99.9％且等于或小于95％。 包含在Cu球中的杂质中Pb和/或Bi的总含量等于或大于1ppm。 其球形度等于或高于0.95。 涂覆在Cu球上的焊料镀膜是Sn焊料镀覆膜或包含无铅焊料合金的焊锡镀膜，其主要成分为Sn。 在焊料镀膜中，U的含量等于或小于5ppb，Th的含量等于或小于5ppb。 Cu球和焊料镀覆膜的总α剂量等于或小于0.0200cph / cm 2。 Cu芯球的算术平均粗糙度等于或小于0.3μm。
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