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公开(公告)号：JP5692467B1
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2014523135
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工業株式会社
CPC分类号： B22F9/08 , B22F1/0048 , B22F9/14 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H05K3/3463 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K2201/42 , B23K3/0623 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L23/49816 , H01L24/16 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K2203/041 , H05K3/3436
摘要： 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。 純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、純度が99.9%以上99.995%以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。
摘要翻译： 产生抑制金属球所发射的α剂量。 中所含的纯金属中的杂质，具有比对应于该杂质移除目标，或U的含量少的压力高的沸点为5ppb的，钍的含量不超过5ppb的，纯度 99.9％以上且99.995％或以下，铅或铋，或Pb和Bi的总和的纯金属的内容的内容中的一个是在1PPM或高于杂质去除目标的沸点，纯金属 在比纯金属的沸点低的温度下，包括熔化的纯金属的步骤的熔点的，而且，通过加热到高于，Zodama纯金属的步骤熔融球形。
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公开(公告)号：JPWO2015114771A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2014523134
申请日：2014-01-30
申请人： 千住金属工業株式会社
CPC分类号： B23K35/0238 , B22F1/025 , B23K35/30 , B23K35/302 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C18/32 , C25D3/12 , C25D7/00 , C25D17/16 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1346 , H01L2224/1349 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
摘要： Cu核ボールの電極上への実装時のアライメント性を確保しつつ、ソフトエラーの発生を抑制する。Cu核ボール11は、Cuボール1と、このCuボール1表面を被覆する金属層2とを備える。金属層2は、Ni,Co,Feから選択される1以上の元素からなる。Cuボール1は、純度が99.9%以上99.995%以下であり、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、PbおよびBiの少なくとも一方の含有量の合計量が1ppm以上であり、真球度が0.95以上であり、α線量が0.0200cph/cm2以下である。
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公开(公告)号：JP5585750B1
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：JP2014523134
申请日：2014-01-30
申请人： 千住金属工業株式会社
CPC分类号： B23K35/0238 , B22F1/025 , B23K35/30 , B23K35/302 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C18/32 , C25D3/12 , C25D7/00 , C25D17/16 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1346 , H01L2224/1349 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
摘要： Ｃｕ核ボールの電極上への実装時のアライメント性を確保しつつ、ソフトエラーの発生を抑制する。
Ｃｕ核ボール１１は、Ｃｕボール１と、このＣｕボール１表面を被覆する金属層２とを備える。 金属層２は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅから選択される１以上の元素からなる。 Ｃｕボール１は、純度が９９．９％以上９９．９９５％以下であり、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が５ｐｐｂ以下であり、ＰｂおよびＢｉの少なくとも一方の含有量の合計量が１ｐｐｍ以上であり、真球度が０．９５以上であり、α線量が０．０２００ｃｐｈ／ｃｍ
２ 以下である。-
公开(公告)号：JPWO2006057360A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：JP2006547877
申请日：2005-11-25
申请人： 日本電気株式会社 , Necエレクトロニクス株式会社
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1319 , H01L2224/132 , H01L2224/133 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K2201/0212 , Y02P70/613 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2224/11
摘要： LSIチップの能動面に端子パッドを形成し、この端子パッド上に複合バリアメタル層を設ける。複合バリアメタル層においては、NiPからなる金属母相中に、シリコーン樹脂からなる複数の低弾性率粒子を分散させる。複合バリアメタル層の膜厚は例えば3μmであり、低弾性率粒子の直径は例えば1μmである。複合バリアメタル層に半田バンプが接続されることにより、半導体装置は配線基板に実装される。これにより、前記半導体装置を、半田バンプを介して配線基板に接続したときに、印加される応力に応じて低弾性率粒子が変形することにより、前記応力を吸収することができる。
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公开(公告)号：JP5576004B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2014523872
申请日：2014-01-30
申请人： 千住金属工業株式会社 , 四国化成工業株式会社
CPC分类号： B23K35/3601 , B22F1/0062 , B23K35/36 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/0569 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11821 , H01L2224/11823 , H01L2224/11824 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1349 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
摘要： ソフトエラーの発生を抑制しつつ、Ｃｕボールの電極上への実装時のアライメント性を確保する。
ＯＳＰ処理Ｃｕボール１１は、Ｃｕボール１と、このＣｕボール１の表面を被覆するイミダゾール化合物を含有する有機被膜２とを備える。 Ｃｕボール１は、純度が９９．９％以上９９．９９５％以下であり、Ｕの含有量が５ｐｐｂ以下であり、Ｔｈの含有量が５ｐｐｂ以下であり、ＰｂまたはＢｉの含有量もしくはＰｂおよびＢｉの両者を併せた含有量の合計量が１ｐｐｍ以上であり、真球度が０．９５以上であり、α線量が０．０２００ｃｐｈ／ｃｍ
２ 以下である。-
公开(公告)号：JP4778444B2
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：JP2006547877
申请日：2005-11-25
申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社 , 日本電気株式会社
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1319 , H01L2224/132 , H01L2224/133 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K2201/0212 , Y02P70/613 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2224/11
摘要： A terminal pad is formed on an active surface of an LSI chip, and a composite barrier metal layer is provided over this terminal pad. In the composite barrier metal layer, a plurality of low-elasticity particles composed of a silicone resin is dispersed throughout a metal base phase composed of NiP. The composite barrier metal layer has a thickness of, e.g., 3 mum, and the low-elasticity particles have a diameter of, e.g., 1 mum. A semiconductor device is mounted on a wiring board by bonding a solder bump to the composite barrier metal layer. The low-elasticity particles are thereby allowed to deform according to the applied stress when the semiconductor device is bonded to the wiring board via the solder bump, whereby the stress can be absorbed.
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公开(公告)号：JPWO2015118612A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2014523135
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工業株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2201/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0106 , H01L2924/01032 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01071 , H01L2924/01051 , H01L2924/01069 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01026 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/01059 , H01L2924/01079 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01052 , H01L2924/01004 , H01L2924/01016 , H01L2924/01076 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025
摘要： 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、純度が99.9%以上99.995%以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。
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公开(公告)号：JPWO2015114770A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2014523872
申请日：2014-01-30
申请人： 千住金属工業株式会社 , 四国化成工業株式会社
发明人： 浩由 川▲崎▼ , 浩由 川▲崎▼ , 友朗 西野 , 友朗 西野 , 六本木 貴弘 , 貴弘 六本木 , 相馬 大輔 , 大輔 相馬 , 佐藤 勇 , 勇 佐藤 , 勇司 川又 , 勇司 川又 , 浩彦 平尾 , 浩彦 平尾 , 淳 田阪 , 淳 田阪
CPC分类号： B23K35/3601 , B22F1/0062 , B23K35/36 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/0569 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11821 , H01L2224/11823 , H01L2224/11824 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1349 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
摘要： ソフトエラーの発生を抑制しつつ、Cuボールの電極上への実装時のアライメント性を確保する。OSP処理Cuボール11は、Cuボール1と、このCuボール1の表面を被覆するイミダゾール化合物を含有する有機被膜2とを備える。Cuボール1は、純度が99.9%以上99.995%以下であり、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、PbまたはBiの含有量もしくはPbおよびBiの両者を併せた含有量の合計量が1ppm以上であり、真球度が0.95以上であり、α線量が0.0200cph/cm2以下である。
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