公开(公告)号：JP6436081B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2015527082

申请日：2013-07-16

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 峯岸 知典 ,  満倉 一行

IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  C09J7/00 ,  C09J201/06 ,  C09J11/02 ,  C09J179/08 ,  G03F7/037

CPC分类号： C09J179/08 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2479/08 ,  G03F7/027 ,  G03F7/037 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0387 ,  G03F7/0751 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13187 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27515 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29391 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0538 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/78

公开(公告)号：JP2005093826A

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：JP2003326877

申请日：2003-09-18

申请人： Ricoh Co Ltd ,  株式会社リコー

发明人： SANO TAKESHI ,  YOSHIDA YOSHIHIRO ,  OKURA HIDEAKI ,  KOBAYASHI HIROSHI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H05K1/18 ,  H05K3/32 ,  H05K3/36

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/81885 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/0248 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2201/0379 ,  H05K2203/0425 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To make a "rigid connection" of a boundary surface of an electrode connection part of a connection structure, constituted by connecting a 1st electrical structure and a 2nd electrical structure to each other with a conductive adhesive, through a thermosetting treatment, using the conductive adhesive without requiring any dedicated process by fusing metal particulates.
SOLUTION: The connection structure comprises the electrode connection part whose continuity is secured by fusing at least one of a 1st electrode, provided to a 1st electric structure and a 2nd electrode provided to a 2nd electric structure and the metal particulates and an intermediate connection part which ensures the continuity of an intermediate part between the 1st electrode and 2nd electrode with the conductive adhesive, and the metal particulates are metal particulates which begin to be fused below the thermosetting temperature of the conductive adhesive, which contain a conductive filler of such a particle size that the filler will not be fused below the thermosetting temperature of the conductive adhesive.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：为了使连接结构的电极连接部分的边界面的“刚性连接”通过用导电粘合剂将第一电气结构和第二电气结构彼此连接而构成，通过 热固化处理，使用导电粘合剂，而不需要通过熔融金属颗粒的任何专用工艺。 解决方案：连接结构包括通过熔化提供给第一电结构的第一电极和提供给第二电结构的第二电极和金属颗粒和中间体的中间体中的至少一个来确保连续性的电极连接部分 连接部分，其确保第一电极和第二电极之间的中间部分与导电粘合剂的连续性，并且金属颗粒是在导电粘合剂的热固性温度之下开始熔化的金属微粒，其包含导电粘合剂的导电填料 在导电粘合剂的热固化温度以下，填料不会熔融的粒度。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP6128495B2

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：JP2014523553

申请日：2013-02-21

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 和田 義之 ,  境 忠彦 ,  本村 耕治

IPC分类号： H05K3/10 ,  H05K3/32 ,  H05K1/09 ,  H05K1/18 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01B1/22 ,  G06K19/077 ,  H05K3/12

CPC分类号： H05K1/097 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07745 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/145 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/742 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/181 ,  H05K3/321 ,  G02F1/1303 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13301 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/7526 ,  H01L2224/75262 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81127 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/81601 ,  H01L2224/81611 ,  H01L2224/81618 ,  H01L2224/81624 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81644 ,  H01L2224/81647 ,  H01L2224/81655 ,  H01L2224/81657 ,  H01L2224/8166 ,  H01L2224/81664 ,  H01L2224/81669 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81871 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19105 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/10674 ,  H05K3/12

公开(公告)号：JP5692467B1

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：JP2014523135

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工業株式会社

发明人： 川▲崎▼ 浩由 ,  六本木 貴弘 ,  相馬 大輔 ,  佐藤 勇

IPC分类号： C22B15/14 ,  C22B23/06 ,  B22F1/00 ,  B22F9/00 ,  B22F9/06 ,  H05K3/34 ,  C22B9/02

CPC分类号： B22F9/08 ,  B22F1/0048 ,  B22F9/14 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H05K3/3463 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K2201/42 ,  B23K3/0623 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/16 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K2203/041 ,  H05K3/3436

摘要： 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。 純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、純度が99.9%以上99.995%以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。

摘要翻译： 产生抑制金属球所发射的α剂量。 中所含的纯金属中的杂质，具有比对应于该杂质移除目标，或U的含量少的压力高的沸点为5ppb的，钍的含量不超过5ppb的，纯度 99.9％以上且99.995％或以下，铅或铋，或Pb和Bi的总和的纯金属的内容的内容中的一个是在1PPM或高于杂质去除目标的沸点，纯金属 在比纯金属的沸点低的温度下，包括熔化的纯金属的步骤的熔点的，而且，通过加热到高于，Zodama纯金属的步骤熔融球形。

公开(公告)号：JP5663687B2

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：JP2014079887

申请日：2014-04-09

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 章裕 千田 ,  章裕 千田

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/295 ,  H01L23/66 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02205 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11438 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/095 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/029 ,  H05K2203/1163 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/035 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP5549190B2

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：JP2009263108

申请日：2009-11-18

申请人： 豊田合成株式会社

发明人： 聡 和田 ,  実希 守山 ,  浩一 五所野尾

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/14154 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/30154 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

摘要： A manufacturing method of a mounting part of a semiconductor light emitting element comprising: preparing a semiconductor light emitting element including an electrode which has a surface, and a board which has a surface; forming a plurality of bump material bodies on at least one of the surface of the electrode and the surface of the board by shaping bump material into islands, wherein the bump material is paste in which metal particles are dispersed, a top surface and a bottom surface of the bump material bodies have different areas, and the top surface is practically flat; solidifying the bump material bodies by thermally processing the bump material bodies; and fixing the semiconductor light emitting element and the board through the bumps.

公开(公告)号：JP2010040676A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：JP2008200083

申请日：2008-08-01

申请人： Shinkawa Ltd ,  Tohoku Univ ,  Ulvac Japan Ltd ,  国立大学法人東北大学 ,  株式会社アルバック ,  株式会社新川

发明人： MAEDA TORU ,  TANIGAWA TETSURO ,  TERAMOTO AKINOBU ,  ODA MASAAKI

IPC分类号： H01L21/60 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/22

CPC分类号： B22F1/0062 ,  B22F2999/00 ,  H01L21/4867 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/13399 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress void formation during pressure sintering with respect to metal nano-ink for bonding. SOLUTION: The metal nano-ink 100 for bonding together an electrode of a semiconductor die and an electrode of a substrate and/or the electrode of the semiconductor die and an electrode of another semiconductor die is produced through pressure sintering by injecting oxygen as oxygen nanovalves 125 into an organic solvent 105 after mixing metal nanoparticles 101 each having a surface coated with a dispersant 102 in the organic solvent 105. Microdroplets of the metal nano-ink 100 are injected on the electrodes to form a bump on the electrode of the semiconductor die and the electrode of the substrates, and after the semiconductor die is turned over, positioned, and placed over the substrate, the bump between the electrodes is pressed and heated to perform pressure sintering on metal nanoparticles of the bump. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：为了抑制用于粘合的金属纳米油墨的压力烧结时的空隙形成。 解决方案：用于将半导体管芯的电极和基板的电极和/或半导体管芯的电极和另一半导体管芯的电极接合在一起的金属纳米油墨100通过注入氧气进行压力烧结来制造 作为氧纳米阀125，在将具有涂布有分散剂102的表面的金属纳米粒子101混合到有机溶剂105中之后，将其作为有机溶剂105.将金属纳米油墨100的微滴注入电极上，在电极上形成凸点 半导体管芯和基板的电极，并且在将半导体管芯翻转，定位和放置在基板上之后，电极之间的凸块被加压并加热以对凸块的金属纳米颗粒进行加压烧结。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009253018A

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：JP2008099181

申请日：2008-04-07

申请人： Shinkawa Ltd ,  Tohoku Univ ,  国立大学法人東北大学 ,  株式会社新川

发明人： MAEDA TORU ,  TANIGAWA TETSURO ,  TERAMOTO AKINOBU

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H05K3/321 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75265 ,  H01L2224/75266 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/75651 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7592 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/85138 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/351 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability of bonding by a bonding device that bonds electrodes on a semiconductor die and a substrate by using a metal nano-paste. SOLUTION: A semiconductor die 12 having electrodes 12a on which bumps are formed by injecting fine droplets of a metal nano-paste is placed face down on a circuit board 19 having electrodes 19a on which bumps are formed, and the electrodes 12a on the semiconductor die 12 and the electrodes 19a on the circuit board 19 are overlapped on each other with bonding bumps 250 interposed therebetween. After that, the gap between each of the overlapped electrodes 12a, 19a is compressed to a predetermined gap H3 smaller than the gap obtained when the electrodes 12a, 19a are overlapped, thereby applying pressure on the bumps between the respective electrodes 12a, 19a. In addition, the bumps between the respective electrodes 12a, 19a are heated and metal nano-particles of the bumps are pressed and sintered to form joint metals 300, so that the electrodes 12a, 19a are electrically connected to each other. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：通过使用金属纳米糊，通过在半导体管芯和基板上结合电极的接合装置来提高接合的可靠性。 解决方案：将具有通过注入金属纳米糊的细小液滴形成凸起的电极12a的半导体管芯12面朝下放置在具有形成凸点的电极19a的电路板19上，并且电极12a在 半导体管芯12和电路板19上的电极19a彼此重叠，并具有插入其间的接合凸块250。 此后，每个重叠电极12a，19a之间的间隙被压缩到小于当电极12a，19a重叠时获得的间隙的预定间隙H3，从而对各个电极12a，19a之间的凸块施加压力。 此外，加热各个电极12a，19a之间的凸起，并且将凸块的金属纳米颗粒压制并烧结以形成接合金属300，使得电极12a，19a彼此电连接。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007324523A

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：JP2006156085

申请日：2006-06-05

申请人： Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ,  田中貴金属工業株式会社

发明人： KOGASHIWA TOSHINORI ,  MIYAIRI MASAYUKI

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/1155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/743 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20103

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which bonded portions having adequate bonding strength at comparatively low temperatures can be obtained in die bonding or the like of a semiconductor chip.
SOLUTION: A metal paste 20 consisting of an organic solvent and one or more types of metal powder selected from among gold powder, silver powder, platinum powder, and palladium powder having a purity of at least 99.9 percent by weight and an average particle diameter of 0.005 to 1.0 μm is applied to a semiconductor chip 10. After that, the semiconductor chip is vacuum-dried with a dryer, and is heated at 230°C for 30 minutes to sinter the metal paste, thereby forming a sintered powder metal body 21. Subsequently, a Ni plate 30 is placed on the semiconductor chip 10, and the Ni plate 30 and the semiconductor chip 10 are bonded to each other through application of heat and pressure.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种在半导体芯片的芯片接合等中可以获得在较低温度下具有足够的接合强度的接合部分的方法。 解决方案：由有机溶剂和选自金粉末，银粉，铂粉末和纯度至少99.9重量％的钯粉末的一种或多种金属粉末组成的金属膏20和平均粒径 在半导体芯片10上施加0.005〜1.0μm的粒径。之后，用干燥机对半导体芯片进行真空干燥，在230℃下加热30分钟，使金属糊料烧成，从而形成烧结粉末 金属体21.随后，将Ni板30放置在半导体芯片10上，并且通过施加热和压力将Ni板30和半导体芯片10彼此接合。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JPWO2015118612A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2014523135

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工業株式会社

发明人： 浩由 川▲崎▼ ,  浩由 川▲崎▼ ,  六本木　貴弘 ,  貴弘 六本木 ,  相馬　大輔 ,  大輔 相馬 ,  佐藤　勇 ,  勇 佐藤

IPC分类号： C22B9/02 ,  B22F1/00 ,  B22F9/00 ,  B22F9/06 ,  C22B15/14 ,  C22B23/06 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2201/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025

摘要： 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、純度が99.9%以上99.995%以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。