专利检索 cpc:"H01L2224/05551" 第 2 页

11.

发明专利
半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备

公开(公告)号：TW201338112A

公开(公告)日：2013-09-16

申请号：TW102100758

申请日：2013-01-09

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 秦志康 , SHIN, SHIKO , 齊藤隆幸 , SAITO, TAKAYUKI , 堀部裕史 , HORIBE, HIROSHI

IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/12

CPC分类号： H01L24/06 , H01L22/32 , H01L23/16 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2223/54406 , H01L2223/54486 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05551 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/0612 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/49175 , H01L2224/49431 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 本發明之課題係提供一種即使在進行半導體裝置之動作保證溫度之高溫化之情形下，仍可謀求提高半導體裝置之可靠性之技術。本發明係於複數個焊墊PD1~PD3之間設置有空隙，且在該空隙中，例如，嵌入有包含氧化矽膜或氮化矽膜之玻璃塗層GC1。該玻璃塗層GC1係為確保焊墊PD1~PD3間之電性絕緣性而設置，且包覆焊墊PD1~PD3之外緣部。且，以與焊墊PD1~PD3之外緣部中，被玻璃塗層GC1包覆之區域鄰接之方式，形成有槽DIT1。

简体摘要： 本发明之课题系提供一种即使在进行半导体设备之动作保证温度之高温化之情形下，仍可谋求提高半导体设备之可靠性之技术。本发明系于复数个焊垫PD1~PD3之间设置有空隙，且在该空隙中，例如，嵌入有包含氧化硅膜或氮化硅膜之玻璃涂层GC1。该玻璃涂层GC1系为确保焊垫PD1~PD3间之电性绝缘性而设置，且包覆焊垫PD1~PD3之外缘部。且，以与焊垫PD1~PD3之外缘部中，被玻璃涂层GC1包覆之区域邻接之方式，形成有槽DIT1。

12.

发明专利
晶圓中之順應互連 COMPLIANT INTERCONNECTS IN WAFERS 审中-公开
简体标题：晶圆中之顺应互连 COMPLIANT INTERCONNECTS IN WAFERS

公开(公告)号：TW201246413A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW100145366

申请日：2011-12-08

申请人： 泰斯拉公司

发明人： 歐根賽安維吉 , 哈巴貝勒卡塞姆 , 穆翰米德艾里亞斯 , 賽維拉亞琵悠許 , 米契爾克瑞格

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02123 , H01L2224/0215 , H01L2224/0311 , H01L2224/0332 , H01L2224/03466 , H01L2224/03602 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05013 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05186 , H01L2224/05191 , H01L2224/05548 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05564 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05578 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/06181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15165 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/81805 , H01L2924/06

摘要： 本發明揭示一種微電子總成，其包含一基板及一導電元件。該基板可具有小於10 ppm/℃之一熱膨脹係數(CTE)、具有不延伸穿過該基板之一凹部之一主要表面，及安置於該凹部內之具有小於10 GPa之一彈性模數之一材料。該導電元件可包含覆蓋該凹部且自由該基板支撐之一錨定部延伸之一接合部。該接合部可至少部分曝露於該主要表面以連接至該微電子單元之外之一組件。

简体摘要： 本发明揭示一种微电子总成，其包含一基板及一导电组件。该基板可具有小于10 ppm/℃之一热膨胀系数(CTE)、具有不延伸穿过该基板之一凹部之一主要表面，及安置于该凹部内之具有小于10 GPa之一弹性模数之一材料。该导电组件可包含覆盖该凹部且自由该基板支撑之一锚定部延伸之一接合部。该接合部可至少部分曝露于该主要表面以连接至该微电子单元之外之一组件。

13.

发明专利
形成打線墊之方法及其結構有权
简体标题：形成打线垫之方法及其结构

公开(公告)号：TW559965B

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW091120027

申请日：2002-09-03

申请人： 摩托羅拉公司

发明人： 湯瑪斯S 寇伯亞許 , 史考特K 普勒德

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05546 , H01L2224/05551 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48847 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01049

摘要： 本發明指示一種打線墊(100)，其形成方式為在一打線墊區中提供銅(18)與氧化矽特徵(14)的平坦化組合。該等氧化矽特徵(14)被以在該打線墊區的銅中提供複數個凹處(15)。一腐蝕障壁(22)被形成於該等凹處的銅和氧化矽特徵上。完成晶圓(10)探測方式為，使用探針直接探測銅。一線黏著(24)直接附著在該銅(18)。由於提供該等凹處特徵(15)，所以可防止該探針(80)以任何方式穿透該銅(18)。由於該等凹處(15)位於該銅中，而使該線黏著(24)更容易分解並穿透該腐蝕障壁，而且也可能在該行線墊(100)上滑動。

简体摘要： 本发明指示一种打线垫(100)，其形成方式为在一打线垫区中提供铜(18)与氧化硅特征(14)的平坦化组合。该等氧化硅特征(14)被以在该打线垫区的铜中提供复数个凹处(15)。一腐蚀障壁(22)被形成于该等凹处的铜和氧化硅特征上。完成晶圆(10)探测方式为，使用探针直接探测铜。一线黏着(24)直接附着在该铜(18)。由于提供该等凹处特征(15)，所以可防止该探针(80)以任何方式穿透该铜(18)。由于该等凹处(15)位于该铜中，而使该线黏着(24)更容易分解并穿透该腐蚀障壁，而且也可能在该行线垫(100)上滑动。

14.

发明专利
具有電連接至接線基體之半導體晶片的半導體裝置失效
简体标题：具有电连接至接线基体之半导体芯片的半导体设备

公开(公告)号：TW301841B

公开(公告)日：1997-04-01

申请号：TW085106001

申请日：1996-05-21

申请人： 日立化成工業股份有限公司

发明人： 三上喜勝 , 松岡寬 , 堂河內久司 , 塚越功 , 廣澤幸壽

IPC分类号： H05K

CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81345 , H01L2224/81801 , H01L2224/83101 , H01L2224/8319 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H05K3/321 , H01L2924/00

摘要： 一種半導体裝置，包含：一個半導体晶片，一個接線基体，及一個存在於半導体晶片和接線基体之間的黏著層，黏著層中最好含有導電粒子；黏著層上方或下方存在有多個分隔元件，其高度約與圍繞之突出電極同高，且其形狀在連接電極所圍繞的區域中由上方視之時呈圓形或多邊形。所述半導体裝置具有高撓性強度與高可靠度，可供用以作為資訊卡等等。

简体摘要： 一种半导体设备，包含：一个半导体芯片，一个接线基体，及一个存在于半导体芯片和接线基体之间的黏着层，黏着层中最好含有导电粒子；黏着层上方或下方存在有多个分隔组件，其高度约与围绕之突出电极同高，且其形状在连接电极所围绕的区域中由上方视之时呈圆形或多边形。所述半导体设备具有高挠性强度与高可靠度，可供用以作为信息卡等等。