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公开(公告)号：TWI565019B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104107512
申请日：2015-03-10
Inventor： 余振華 , YU, CHEN HUA , 陳明發 , CHEN, MING FA , 葉松峯 , YEH, SUNG FENG , 陳孟澤 , CHEN, MENG TSE , 黃暉閔 , HUANG, HUI MIN , 林修任 , LIN, HSIU JEN , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/50 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/538 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/08111 , H01L2224/08146 , H01L2224/08235 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/273 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/49109 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/9202 , H01L2224/92163 , H01L2224/9222 , H01L2224/92225 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/141 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/85 , H01L2924/0665
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62.发明专利電子元件及其製作方法 RECESSED PILLAR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开电子组件及其制作方法 RECESSED PILLAR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201203483A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100100454
申请日：2011-01-06
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/023 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/10126 , H01L2224/10156 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11474 , H01L2224/11849 , H01L2224/11903 , H01L2224/1308 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13564 , H01L2224/13566 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13669 , H01L2224/13684 , H01L2224/16148 , H01L2224/81193 , H01L2224/81898 , H01L2225/06513 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/01007 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2924/00
Abstract: 本發明一實施例提供一種電子元件，包括一第一基板，具有一接點；一凸塊底部金屬結構，電性接觸接點；以及一凹陷的導電柱，位於凸塊底部金屬結構上並電性接觸凸塊底部金屬結構，凹陷的導電柱具有一形成於其中的凹槽，凹槽具有大體上垂直的側壁。
Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种电子组件，包括一第一基板，具有一接点；一凸块底部金属结构，电性接触接点；以及一凹陷的导电柱，位于凸块底部金属结构上并电性接触凸块底部金属结构，凹陷的导电柱具有一形成于其中的凹槽，凹槽具有大体上垂直的侧壁。
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63.发明专利半導體裝置 3DIC ARCHITECTURE WITH DIE INSIDE INTERPOSER 审中-公开半导体设备 3DIC ARCHITECTURE WITH DIE INSIDE INTERPOSER
公开(公告)号：TW201133773A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW100103304
申请日：2011-01-28
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本發明係提供一種裝置,包含一具有一頂部表面之中介物,及一凸塊位於此中介物之頂部表面上。一開口,自此中介物之頂部表面延伸至此中介物中。一第一晶粒與此凸塊接合。一第二晶粒,位於此中介物之開口中,並與此第一晶粒及此第二晶粒接合。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种设备,包含一具有一顶部表面之中介物,及一凸块位于此中介物之顶部表面上。一开口,自此中介物之顶部表面延伸至此中介物中。一第一晶粒与此凸块接合。一第二晶粒,位于此中介物之开口中,并与此第一晶粒及此第二晶粒接合。
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64.发明专利
公开(公告)号：TW201133710A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099128610
申请日：2010-08-26
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/76838
Abstract: 本發明提供一種矽穿孔(TSV)的形成方法。在一實施例中，該方法包括在接觸開口與TSV開口中形成導電層，之後以一道化學機械研磨製程去除接觸開口與TSV開口以外的導電材料，以分別形成接觸插塞與TSV結構。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种硅穿孔(TSV)的形成方法。在一实施例中，该方法包括在接触开口与TSV开口中形成导电层，之后以一道化学机械研磨制程去除接触开口与TSV开口以外的导电材料，以分别形成接触插塞与TSV结构。
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公开(公告)号：TW201131715A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099124660
申请日：2010-07-27
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/52 , H01L24/97 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/83192 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 本發明揭示一種封裝結構,包括:一第一晶片;一第二晶片接合至第一晶片上方,其中第二晶片的尺寸小於第一晶片的尺寸;以及一輔助晶片接合至第一晶片上方。輔助晶片包括一部分圍繞第二晶片。輔助晶圓包括一材料,其擇自於實質上由矽及金屬所組成的群組。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种封装结构,包括:一第一芯片;一第二芯片接合至第一芯片上方,其中第二芯片的尺寸小于第一芯片的尺寸;以及一辅助芯片接合至第一芯片上方。辅助芯片包括一部分围绕第二芯片。辅助晶圆包括一材料,其择自于实质上由硅及金属所组成的群组。
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Patent Agency Ranking66.发明专利半導體裝置及其形成方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FROMING THE SAME 审中-公开半导体设备及其形成方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FROMING THE SAME
公开(公告)号：TW201027703A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098143290
申请日：2009-12-17
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種半導體裝置,其具有一個或多個穿透矽通孔(TSV)。上述TSV被形成以使得上述TSV的側壁具有圓齒狀表面。在一個實施例中,上述TSV的側壁是傾斜的,其中上述TSV的頂部和底部具有不同的尺寸。上述TSV可以具有V形形狀,其中上述TSV在該基底的電路側上具有較寬的尺寸或具有倒V形形狀,其中上述TSV在該基底的背面上具有較寬的尺寸。該些側壁和/或傾斜側壁的圓齒狀表面允許上述TSV能被更容易地填充如銅的導電材料。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备,其具有一个或多个穿透硅通孔(TSV)。上述TSV被形成以使得上述TSV的侧壁具有圆齿状表面。在一个实施例中,上述TSV的侧壁是倾斜的,其中上述TSV的顶部和底部具有不同的尺寸。上述TSV可以具有V形形状,其中上述TSV在该基底的电路侧上具有较宽的尺寸或具有倒V形形状,其中上述TSV在该基底的背面上具有较宽的尺寸。该些侧壁和/或倾斜侧壁的圆齿状表面允许上述TSV能被更容易地填充如铜的导电材料。
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67.发明专利電子系統與其操作方法 ELECTRONIC SYSTEM AND OPERATION METHOD THEREOF 审中-公开电子系统与其操作方法 ELECTRONIC SYSTEM AND OPERATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201027348A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098141121
申请日：2009-12-02
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: G06F
CPC classification number: G06F13/28 , G06F12/0862 , G06F2212/6022 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 本發明提供一種電子系統,包括一中央處理單元(CPU)、一記憶體裝置以及一直接記憶體存取(DMA)控制器。記憶體裝置與中央處理單元聯繫,並且包括複數垂直堆疊之積體電路晶片與複數輸入/輸出(I/O)埠,輸入/輸出埠之每一者係透過一基板穿孔連接至積體電路晶片。直接記憶體存取(DMA)控制器與中央處理單元和記憶體裝置聯繫,並且用以執行將資料寫入至記憶體裝置與從記憶體裝置中讀取資料之管理。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电子系统,包括一中央处理单元(CPU)、一内存设备以及一直接内存存取(DMA)控制器。内存设备与中央处理单元联系,并且包括复数垂直堆栈之集成电路芯片与复数输入/输出(I/O)端口,输入/输出端口之每一者系透过一基板穿孔连接至集成电路芯片。直接内存存取(DMA)控制器与中央处理单元和内存设备联系,并且用以运行将数据写入至内存设备与从内存设备中读取数据之管理。
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公开(公告)号：TW201023324A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098110610
申请日：2009-03-31
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明揭示一種積體電路結構,其包括:一半導體基底以及位於半導體基底上方的一內連線結構。一實心金屬環,形成於內連線結構內,其中實心金屬環內未形成主動電路。此積體電路結構更包括一矽通孔電極,其具有被實心金屬環所圍繞的一部分。矽通孔電極穿過內連線結構而延伸至半導體基底內。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种集成电路结构,其包括:一半导体基底以及位于半导体基底上方的一内连接结构。一实心金属环,形成于内连接结构内,其中实心金属环内未形成主动电路。此集成电路结构更包括一硅通孔电极,其具有被实心金属环所围绕的一部分。硅通孔电极穿过内连接结构而延伸至半导体基底内。
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公开(公告)号：TW332265B
公开(公告)日：1998-05-21
申请号：TW086108905
申请日：1997-06-25
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: G03F
Abstract: 一種可防止金屬阻隔膜剝落之光罩。其中，該光罩具有一光罩主體，例如玻璃或石英；複數片金屬阻隔膜，形成於該光罩主體表面，用以定義該光罩之圖案，其中該些金屬阻隔膜之間係以空白切割道分隔；以及複數條金屬連線，形成於上述空白切割道，用來連接相鄰之金屬阻隔膜以增加該些金屬阻隔膜之有效面積。
Abstract in simplified Chinese: 一种可防止金属阻隔膜剥落之光罩。其中，该光罩具有一光罩主体，例如玻璃或石英；复数片金属阻隔膜，形成于该光罩主体表面，用以定义该光罩之图案，其中该些金属阻隔膜之间系以空白切割道分隔；以及复数条金属连接，形成于上述空白切割道，用来连接相邻之金属阻隔膜以增加该些金属阻隔膜之有效面积。
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公开(公告)号：TWI701721B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105134631
申请日：2016-10-26
Inventor： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳明發 , CHEN, MING-FA , 葉松峯 , YEH, SUNG-FENG
IPC: H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L23/538 , H01L23/544 , H01L27/088 , H01L27/092
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