公开(公告)号：US07947569B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12164652

申请日：2008-06-30

申请人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

发明人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A method for producing a semiconductor including a material layer. In one embodiment a trench is produced having two opposite sidewalls and a bottom, in a semiconductor body. A foreign material layer is produced on a first one of the two sidewalls of the trench. The trench is filled by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.

摘要翻译： 一种用于制造包括材料层的半导体的方法。 在一个实施例中，在半导体本体中产生具有两个相对的侧壁和底部的沟槽。 在沟槽的两个侧壁的第一个上产生异物层。 通过将半导体材料外延地沉积到沟槽的两个侧壁和沟槽的底部中的第二个上来填充沟槽。

公开(公告)号：US20090325361A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12164652

申请日：2008-06-30

申请人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

发明人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A method for producing a semiconductor including a material layer. In one embodiment a trench is produced having two opposite sidewalls and a bottom, in a semiconductor body. A foreign material layer is produced on a first one of the two sidewalls of the trench. The trench is filled by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.

摘要翻译： 一种用于制造包括材料层的半导体的方法。 在一个实施例中，在半导体本体中产生具有两个相对的侧壁和底部的沟槽。 在沟槽的两个侧壁的第一个上产生异物层。 通过将半导体材料外延地沉积到沟槽的两个侧壁和沟槽的底部中的第二个上来填充沟槽。

公开(公告)号：US08822306B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13206029

申请日：2011-08-09

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite layer and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨层和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US08404562B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12894344

申请日：2010-09-30

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite core and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨芯和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US20120083098A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13206029

申请日：2011-08-09

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite layer and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨层和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US20120080690A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US12894344

申请日：2010-09-30

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/30 ,  H01L29/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite core and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨芯和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US08461648B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US11996906

申请日：2006-07-27

申请人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

发明人： Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Armin Willmeroth ,  Hans-Joachim Schulze ,  Stefan Sedlmaier ,  Markus Zundel ,  Franz Hirler ,  Arunjai Mittal

IPC分类号： H01L29/732

CPC分类号： H01L29/7803 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component with a drift region and a drift control region. One embodiment includes a semiconductor body having a drift region of a first conduction type in the semiconductor body. A drift control region composed of a semiconductor material, which is arranged, at least in sections, is adjacent to the drift region in the semiconductor body. An accumulation dielectric is arranged between the drift region and the drift control region.

公开(公告)号：US20090130806A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12350776

申请日：2009-01-08

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2255 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component with charge compensation structure has a semiconductor body having a drift path between two electrodes. The drift path has drift zones of a first conduction type, which provide a current path between the electrodes in the drift path, while charge compensation zones of a complementary conduction type constrict the current path of the drift path. For this purpose, the drift path has two alternately arranged, epitaxially grown diffusion zone types, the first drift zone type having monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate, and a second drift zone type having monocrystalline semiconductor material in a trench structure, with complementarily doped walls, the complementarily doped walls forming the charge compensation zones.

摘要翻译： 具有电荷补偿结构的半导体部件具有在两个电极之间具有漂移路径的半导体本体。 漂移路径具有第一导电类型的漂移区域，其在漂移路径中的电极之间提供电流路径，而互补导电类型的电荷补偿区域限制漂移路径的电流路径。 为此，漂移路径具有两个交替布置的外延生长的扩散区类型，第一漂移区类型在单晶衬底上具有单晶半导体材料，以及在沟槽结构中具有单晶半导体材料的第二漂移区类型，具有互补掺杂 壁，形成电荷补偿区的互补掺杂壁。

公开(公告)号：US20070108513A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11540922

申请日：2006-09-29

申请人： Michael Rub ,  Herbert Schafer ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Roland Rupp ,  Manfred Pippan ,  Hans Weber ,  Frank Pfirsch ,  Franz Hirler ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Michael Rub ,  Herbert Schafer ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Roland Rupp ,  Manfred Pippan ,  Hans Weber ,  Frank Pfirsch ,  Franz Hirler ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7849

摘要： The fabrication of a semiconductor component having a semiconductor body in which is arranged a very thin dielectric layer having sections which run in the vertical direction and which extend very deeply into the semiconductor body is disclosed. In one method a trench is formed in a drift zone region proceeding from the front side of a semiconductor body, a sacrificial layer is produced on at least a portion of the sidewalls of the trench and at least a portion of the trench is filled with a semiconductor material which is chosen such that the quotient of the net dopant charge of the semiconductor material in the trench and the total area of the sacrificial layer on the sidewalls of the trench between the semiconductor material and the drift zone region is less than the breakdown charge of the semiconductor material, and the sacrificial layer is replaced with a dielectric.

摘要翻译： 公开了具有半导体主体的半导体部件的制造，其中布置有具有在垂直方向上延伸并且非常深地延伸到半导体本体中的截面的非常薄的电介质层。 在一种方法中，在从半导体主体的前侧开始的漂移区域中形成沟槽，在沟槽的至少一部分侧壁上产生牺牲层，并且沟槽的至少一部分填充有 半导体材料被选择为使得沟槽中的半导体材料的净掺杂剂电荷的商和半导体材料和漂移区域之间的沟槽的侧壁上的牺牲层的总面积小于击穿电荷 的半导体材料，并且牺牲层被电介质代替。

公开(公告)号：US08263450B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12350776

申请日：2009-01-08

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Armin Willmeroth ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/2255 ,  H01L23/291 ,  H01L23/298 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1604 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component with charge compensation structure has a semiconductor body having a drift path between two electrodes. The drift path has drift zones of a first conduction type, which provide a current path between the electrodes in the drift path, while charge compensation zones of a complementary conduction type constrict the current path of the drift path. For this purpose, the drift path has two alternately arranged, epitaxially grown diffusion zone types, the first drift zone type having monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate, and a second drift zone type having monocrystalline semiconductor material in a trench structure, with complementarily doped walls, the complementarily doped walls forming the charge compensation zones.

摘要翻译： 具有电荷补偿结构的半导体部件具有在两个电极之间具有漂移路径的半导体本体。 漂移路径具有第一导电类型的漂移区域，其在漂移路径中的电极之间提供电流路径，而互补导电类型的电荷补偿区域限制漂移路径的电流路径。 为此，漂移路径具有两个交替布置的外延生长的扩散区类型，第一漂移区类型在单晶衬底上具有单晶半导体材料，以及在沟槽结构中具有单晶半导体材料的第二漂移区类型，具有互补掺杂 壁，形成电荷补偿区的互补掺杂壁。