公开(公告)号：US20120273462A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13095956

申请日：2011-04-28

申请人： Thomas Fischer ,  Raimund Foerg ,  Sebastian Bernrieder ,  Michael Larisch

发明人： Thomas Fischer ,  Raimund Foerg ,  Sebastian Bernrieder ,  Michael Larisch

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L31/18 ,  C23F1/08

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67075

摘要： An etching device is provided, the etching device including a process chamber including an etchant, a structure configured to provide a laminar flow of the etchant, and a workpiece handler configured to move a workpiece through the laminar flow of the etchant along a predefined track.

摘要翻译： 提供了一种蚀刻装置，该蚀刻装置包括一个包括蚀刻剂的处理室，被配置为提供蚀刻剂层流的结构，以及一个被配置为沿着预定轨迹使工件移动通过蚀刻剂的层流的工件处理器。

公开(公告)号：US20080029799A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11833074

申请日：2007-08-02

申请人： Carsten Ahrens ,  Raimund Foerg ,  Klaus Koller ,  Kai-Olaf Subke

发明人： Carsten Ahrens ,  Raimund Foerg ,  Klaus Koller ,  Kai-Olaf Subke

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L29/945 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/91

摘要： A capacitor device includes a substrate, a first conductive structure, a second conductive structure, a dielectric layer structure, and a recess in the substrate. The first and second conductive structures are disposed on opposite sides of the dielectric layer structure, and the dielectric layer structure extends in a meander-shaped manner in a cross-section through the recess.

摘要翻译： 电容器器件包括衬底，第一导电结构，第二导电结构，电介质层结构和衬底中的凹部。 第一和第二导电结构设置在电介质层结构的相对侧上，并且电介质层结构以弯曲形状延伸通过凹槽的横截面。

公开(公告)号：US08822306B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13206029

申请日：2011-08-09

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite layer and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨层和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US09318358B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13095956

申请日：2011-04-28

申请人： Thomas Fischer ,  Raimund Foerg ,  Sebastian Bernrieder ,  Michael Larisch

发明人： Thomas Fischer ,  Raimund Foerg ,  Sebastian Bernrieder ,  Michael Larisch

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L31/18 ,  C23F1/08 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67075

摘要： An etching device is provided, the etching device including a process chamber including an etchant, a structure configured to provide a laminar flow of the etchant, and a workpiece handler configured to move a workpiece through the laminar flow of the etchant along a predefined track.

摘要翻译： 提供了一种蚀刻装置，该蚀刻装置包括一个包括蚀刻剂的处理室，被配置为提供蚀刻剂层流的结构，以及一个被配置为沿着预定轨迹使工件移动通过蚀刻剂的层流的工件处理器。

公开(公告)号：US08404562B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12894344

申请日：2010-09-30

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite core and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨芯和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US20120083098A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13206029

申请日：2011-08-09

申请人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

发明人： Rudolf Berger ,  Hermann Gruber ,  Wolfgang Lehnert ,  Guenther Ruhl ,  Raimund Foerg ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Karsten Kellermann ,  Michael Sommer ,  Christian Rottmair ,  Roland Rupp

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

摘要： According to an embodiment, a composite wafer includes a carrier substrate having a graphite layer and a monocrystalline semiconductor layer attached to the carrier substrate.

摘要翻译： 根据实施例，复合晶片包括具有石墨层和附着到载体衬底的单晶半导体层的载体衬底。

公开(公告)号：US20090305510A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12134600

申请日：2008-06-06

申请人： Maria Heidenblut ,  Raimund Foerg ,  Walter Preis

发明人： Maria Heidenblut ,  Raimund Foerg ,  Walter Preis

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32138 ,  Y10S438/906

摘要： Disclosed is a method of structuring a material surface by dry etching, so that a passivation layer soluble in a solvent forms by the dry etching on parts of the structured material surface, sealing the passivation layer with a substance soluble in the solvent, and removing the sealed passivation layer and the substance by means of the solvent.

摘要翻译： 公开了通过干法蚀刻来构造材料表面的方法，从而通过在结构化材料表面的部分上的干蚀刻形成可溶于溶剂的钝化层，用可溶于溶剂的物质密封钝化层， 通过溶剂密封钝化层和物质。

公开(公告)号：US20090122460A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US11938436

申请日：2007-11-12

申请人： Alexander Gschwandtner ,  Stefan Pompl ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

发明人： Alexander Gschwandtner ,  Stefan Pompl ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01G9/042

CPC分类号： H01G4/008 ,  H01G4/1254 ,  H01G9/0525 ,  H01G9/07 ,  H01G9/15 ,  H01L21/76877 ,  H01L28/84

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor layer with a first electrode formed by a sintered, conductive, porous granulate and formed in or on the semiconductor layer or in or on at least one insulating layer arranged on the semiconductor layer; furthermore dielectric material covering the surface of the sintered, conductive, porous granulate, and a second electrode at least partially covering the dielectric material, wherein the dielectric material electrically insulates the second electrode from the first electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一电极的半导体层，该第一电极由烧结导电多孔颗粒形成并形成在半导体层中或半导体层上或布置在半导体层上的至少一个绝缘层中或其上; 还包括覆盖烧结的，导电的，多孔的颗粒的表面的电介质材料和至少部分地覆盖介电材料的第二电极，其中介电材料使第二电极与第一电极电绝缘。

公开(公告)号：US08183156B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12134600

申请日：2008-06-06

申请人： Maria Heidenblut ,  Raimund Foerg ,  Walter Preis

发明人： Maria Heidenblut ,  Raimund Foerg ,  Walter Preis

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32138 ,  Y10S438/906

摘要： Disclosed is a method of structuring a material surface by dry etching, so that a passivation layer soluble in a solvent forms by the dry etching on parts of the structured material surface, sealing the passivation layer with a substance soluble in the solvent, and removing the sealed passivation layer and the substance by means of the solvent.

摘要翻译： 公开了通过干法蚀刻来构造材料表面的方法，从而通过在结构化材料表面的部分上的干蚀刻形成可溶于溶剂的钝化层，用可溶于溶剂的物质密封钝化层， 通过溶剂密封钝化层和物质。

公开(公告)号：US07947569B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12164652

申请日：2008-06-30

申请人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

发明人： Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Rudolf Berger ,  Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Raimund Foerg

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A method for producing a semiconductor including a material layer. In one embodiment a trench is produced having two opposite sidewalls and a bottom, in a semiconductor body. A foreign material layer is produced on a first one of the two sidewalls of the trench. The trench is filled by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.

摘要翻译： 一种用于制造包括材料层的半导体的方法。 在一个实施例中，在半导体本体中产生具有两个相对的侧壁和底部的沟槽。 在沟槽的两个侧壁的第一个上产生异物层。 通过将半导体材料外延地沉积到沟槽的两个侧壁和沟槽的底部中的第二个上来填充沟槽。