公开(公告)号：US4323638A

公开(公告)日：1982-04-06

申请号：US178988

申请日：1980-08-18

申请人： Arthur C. Adams ,  Frank B. Alexander, Jr. ,  Hyman J. Levinstein ,  Louis R. Thibault

发明人： Arthur C. Adams ,  Frank B. Alexander, Jr. ,  Hyman J. Levinstein ,  Louis R. Thibault

IPC分类号： H01L21/027 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/0271 ,  H01L21/0277 ,  Y10S430/143

摘要： In a charged-particle-beam lithographic system, charge accumulation on the workpiece during alignment or writing can cause significant pattern placement errors. A film (16) formed directly under the resist layer (56) to be patterned is utilized as a charge-conducting medium during lithography. The pattern delineated in the resist layer (56) is transferred into the film (16) and subsequently into an underlying layer (20). The film (16) is highly compatible with standard lithographic and etching processes used to fabricate LSI and VLSI circuits.

摘要翻译： 在带电粒子束光刻系统中，对准或写入期间工件上的电荷累积可能导致显着的图案放置误差。 在光刻过程中，作为导电介质，利用形成在图案化抗蚀剂层（56）正下方的膜（16）。 在抗蚀剂层（56）中描绘的图案被转移到膜（16）中并随后转移到下层（20）中。 薄膜（16）与用于制造LSI和VLSI电路的标准光刻和蚀刻工艺高度兼容。

公开(公告)号：USRE30244E

公开(公告)日：1980-04-01

申请号：US946843

申请日：1978-09-28

申请人： Frank B. Alexander, Jr. ,  Cesar D. Capio ,  Victor E. Hauser, Jr. ,  Hyman J. Levinstein ,  Cyril J. Mogab ,  Ashok K. Sinha ,  Richard S. Wagner

发明人： Frank B. Alexander, Jr. ,  Cesar D. Capio ,  Victor E. Hauser, Jr. ,  Hyman J. Levinstein ,  Cyril J. Mogab ,  Ashok K. Sinha ,  Richard S. Wagner

IPC分类号： C23C16/509

CPC分类号： C23C16/5096

摘要： An improved radio frequency (rf) powered radial flow cylindrical reactor utilizes a gas shield which substantially limits the glow plasma discharge reaction to a section of the reactor over the semiconductor substrates which are to be coated. The gas shield permits the use of higher rf input power which contributes to the formation of protective films that have desirable physical and electrical characteristics.

公开(公告)号：US4341818A

公开(公告)日：1982-07-27

申请号：US159865

申请日：1980-06-16

申请人： Arthur C. Adams ,  Hyman J. Levinstein

发明人： Arthur C. Adams ,  Hyman J. Levinstein

IPC分类号： C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  B05D5/12

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

摘要： The efficient production of sequential layers of silicon dioxide and polycrystalline silicon is possible using a specific set of reaction steps. This set of reaction steps includes the oxidation of silicon at low oxygen pressure and at temperatures of the magnitude of 900 degrees C., followed by the deposition of polycrystalline silicon at substantially the same temperature utilizing a dichloride silane chemical vapor deposition (CVD) process.

摘要翻译： 使用特定的一组反应步骤可以有效地生产二氧化硅和多晶硅的连续层。 这组反应步骤包括在低氧压力和900℃的温度下氧化硅，随后使用二氯硅烷化学气相沉积（CVD）工艺在基本上相同的温度下沉积多晶硅。

公开(公告)号：US4171489A

公开(公告)日：1979-10-16

申请号：US941776

申请日：1978-09-13

申请人： Arthur C. Adams ,  Cesar D. Capio ,  Hyman J. Levinstein ,  Ashok K. Sinha ,  David N. Wang

发明人： Arthur C. Adams ,  Cesar D. Capio ,  Hyman J. Levinstein ,  Ashok K. Sinha ,  David N. Wang

IPC分类号： G03F1/22 ,  G21K5/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G21F3/02

CPC分类号： G03F1/22

摘要： The discovery that boron nitride and boron carbide films can be made in tension allows nondistorting radiation windows or masks to be realized. Both low and high pressure techniques for making the tensile films lead to related mask structures utilizing such films. The resulting structures are sufficiently distortion free to be useful for x-ray lithography.

摘要翻译： {PG，1]发现氮化硼和碳化硼薄膜可以制成张力，可以实现非调质辐射窗口或掩模。 用于制造拉伸膜的低压和高压技术都导致利用这种膜的相关掩模结构。 所得到的结构具有足够的变形，可用于x射线光刻。

公开(公告)号：US4134125A

公开(公告)日：1979-01-09

申请号：US817175

申请日：1977-07-20

申请人： Arthur C. Adams ,  Cesar D. Capio ,  Hyman J. Levinstein ,  Shyam P. Murarka

发明人： Arthur C. Adams ,  Cesar D. Capio ,  Hyman J. Levinstein ,  Shyam P. Murarka

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L23/298 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/314 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011

摘要： Disclosed is a method and structure for protecting circuit components from the ambient and in particular for protecting the contact metal from the adverse effects of moisture. A first layer of amorphous silicon is deposited over the circuit including the metal contacts. A second layer which may be silicon nitride or silicon dioxide is then deposited over the amorphous silicon. The amorphous silicon layer reduces cracking in the second layer and prevents cracks in the second layer from propagating to the circuit components.

摘要翻译： 公开了一种用于保护电路组件免受环境影响的方法和结构，特别是用于保护接触金属免受湿气的不利影响。 在包括金属触点的电路上沉积第一层非晶硅。 然后将可能是氮化硅或二氧化硅的第二层沉积在非晶硅上。 非晶硅层减少第二层中的裂纹，并防止第二层中的裂纹传播到电路部件。

公开(公告)号：US5491603A

公开(公告)日：1996-02-13

申请号：US235012

申请日：1994-04-28

申请人： Manoocher Birang ,  Jian Ding ,  Hyman J. Levinstein

发明人： Manoocher Birang ,  Jian Ding ,  Hyman J. Levinstein

IPC分类号： B23Q3/15 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H02N13/00

CPC分类号： H01L21/6833

摘要： The invention is embodied in a method of determining an optimum de-chucking voltage for nullifying residual electrostatic forces on a wafer in an electrostatic chuck for removal of the wafer from the chuck, including holding the wafer on the electrostatic chuck by applying an electrostatic potential to the chuck, introducing a gas between the wafer and the chuck, reducing the electrostatic potential of the chuck while observing a rate of leakage of the gas from between the wafer and the chuck, and recording as the optimum dechucking voltage the value of the electrostatic potential obtaining when the rate of leakage exceeds a predetermined threshold.

摘要翻译： 本发明体现于一种确定最佳去夹紧电压的方法，用于使静电卡盘中的晶片上的残留静电力无效，从卡盘移除晶片，包括通过施加静电电位将晶片保持在静电卡盘上 卡盘，在晶片和卡盘之间引入气体，同时观察卡盘的气体泄漏速率，同时减小卡盘的静电电位，并记录最佳的脱扣电压为静电电位值 当泄漏速率超过预定阈值时获得。

公开(公告)号：US4937643A

公开(公告)日：1990-06-26

申请号：US78013

申请日：1987-07-27

申请人： Jean S. Deslauriers ,  Hyman J. Levinstein

发明人： Jean S. Deslauriers ,  Hyman J. Levinstein

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01L21/28061

摘要： A method for fabricating a device which includes a tantalum silicide structure, and which is essentially free of conductive etch residues, is disclosed. The method includes the steps of depositing tantalum and silicon onto a substrate, patterning the tantalum and silicon, and then sintering the patterned tantalum and silicon to form a patterned layer of tantalum silicide.

摘要翻译： 公开了一种制造包括硅化钽结构并且基本上不含导电蚀刻残留物的器件的方法。 该方法包括以下步骤：将钽和硅沉积到衬底上，图案化钽和硅，然后烧结图案化的钽和硅以形成图案化的硅化钽层。

公开(公告)号：US4427516A

公开(公告)日：1984-01-24

申请号：US471901

申请日：1983-03-04

申请人： Hyman J. Levinstein ,  Frederick Vratny

发明人： Hyman J. Levinstein ,  Frederick Vratny

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01L21/311 ,  C23C15/00

CPC分类号： H01J37/32559 ,  H01J37/34 ,  H01L21/31116 ,  H01J2237/20 ,  Y10S156/914 ,  Y10S156/917

摘要： In a plasma-assisted etching apparatus and method designed to pattern silicon dioxide in a plasma derived from a mixture of trifluoromethane and ammonia, surfaces in the reaction chamber are coated with a layer of silicon. Contamination of wafers during the etching process is thereby substantially reduced. In practice, this leads to a significant increase in the yield of acceptable chips per wafer.

摘要翻译： 在等离子体辅助蚀刻装置和设计用于在三氟甲烷和氨的混合物中产生的等离子体中排列二氧化硅的方法，反应室中的表面涂覆有一层硅。 因此，在蚀刻过程中晶片的污染因此显着降低。 在实践中，这导致每个晶片可接受的芯片的产量显着增加。

公开(公告)号：US4332839A

公开(公告)日：1982-06-01

申请号：US227133

申请日：1981-01-22

申请人： Hyman J. Levinstein ,  Shyam P. Murarka ,  Ashok K. Sinha

发明人： Hyman J. Levinstein ,  Shyam P. Murarka ,  Ashok K. Sinha

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/49 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L23/53271 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/76889 ,  H01L29/4933 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/02 ,  Y10S148/147

摘要： The compounds TiSi.sub.2 and TaSi.sub.2 have been found to be suitable substitutes for polysilicon layers in semiconductor integrated circuits. Suitable conducting properties of the compounds are ensured by providing a relatively thin substrate of polysilicon.

摘要翻译： 已经发现化合物TiSi 2和TaSi 2在半导体集成电路中是多晶硅层的合适的替代物。 通过提供相对薄的多晶硅基质来确保化合物的合适的导电性能。

公开(公告)号：US4985373A

公开(公告)日：1991-01-15

申请号：US357647

申请日：1989-05-24

申请人： Hyman J. Levinstein ,  William D. Powell, Jr. ,  Ashok K. Sinha

发明人： Hyman J. Levinstein ,  William D. Powell, Jr. ,  Ashok K. Sinha

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/02129 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31625 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002

摘要： Insulation between first and second levels of aluminum metallization in semiconductor integrated circuit structures comprises a plasma planarized, deposited silicon dioxide layer and another silicon dioxide layer deposited upon said plasma planarized layer.

摘要翻译： 在半导体集成电路结构中的第一和第二级铝金属化之间的绝缘包括沉积在所述等离子体平坦化层上的等离子体平坦化沉积二氧化硅层和另一二氧化硅层。