公开(公告)号：US06989975B2

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：US10463993

申请日：2003-06-18

申请人： Janice H. Nickel ,  Manish Sharma

发明人： Janice H. Nickel ,  Manish Sharma

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive device includes a free ferromagnetic layer; a pinned structure; and a spacer layer between the free layer and the pinned structure. The pinned structure may include first, second and third ferromagnetic layers that are ferromagnetically coupled. The first and third layers are separated by the second layer. The second layer has a lower magnetic moment than the first and third layers. In the alternative, the pinned structure may include a single layer of Co50Fe50.

摘要翻译： 磁阻器件包括自由铁磁层; 固定结构 以及在自由层和钉扎结构之间的间隔层。 钉扎结构可以包括铁磁耦合的第一，第二和第三铁磁层。 第一和第三层由第二层隔开。 第二层具有比第一层和第三层更低的磁矩。 在替代方案中，钉扎结构可以包括单层Co 50 N 50 O 50。

公开(公告)号：US06756239B1

公开(公告)日：2004-06-29

申请号：US10414325

申请日：2003-04-15

申请人： Janice H. Nickel ,  Thomas Anthony ,  Manish Sharma ,  Manoj Bhattacharyya

发明人： Janice H. Nickel ,  Thomas Anthony ,  Manish Sharma ,  Manoj Bhattacharyya

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L43/12

摘要： A magneto-resistive element is constructed. A ferromagnetic sense layer is deposited on a surface. The ferromagnetic sense layer is patterned. An etch is performed in preparation for depositing a dielectric layer. The dielectric layer is deposited over the sense layer. A ferromagnetic pinned layer is deposited over the dielectric layer.

摘要翻译： 构造了一个磁阻元件。 铁磁感应层沉积在表面上。 铁磁感应层被图案化。 进行蚀刻以准备沉积介电层。 介电层沉积在感应层上。 在电介质层上沉积铁磁钉扎层。

公开(公告)号：US07054119B2

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：US10463930

申请日：2003-06-18

申请人： Manish Sharma ,  Janice H. Nickel

发明人： Manish Sharma ,  Janice H. Nickel

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  Y10T29/49034

摘要： A coupled ferromagnetic structure includes a first ferromagnetic layer, a spacer layer on a first surface of the first ferromagnetic layer, and a second ferromagnetic layer on the spacer layer. Interlayer exchange coupling occurs between the first and second ferromagnetic layers. The coupling may be ferromagnetic or antiferromagnetic. Morphology of the first surface is modified to tailor the interlayer exchange coupling. The structure may form a part of a magnetoresistive device such as a magnetic tunnel junction.

摘要翻译： 耦合的铁磁结构包括第一铁磁层，第一铁磁层的第一表面上的间隔层和间隔层上的第二铁磁层。 层间交换耦合发生在第一和第二铁磁层之间。 耦合可以是铁磁性或反铁磁性的。 第一表面的形态被修改以定制层间交换耦合。 该结构可以形成诸如磁性隧道结的磁阻器件的一部分。

公开(公告)号：US07151652B2

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：US10464161

申请日：2003-06-18

申请人： Janice H. Nickel ,  Manish Sharma

发明人： Janice H. Nickel ,  Manish Sharma

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3932 ,  G11C11/16

摘要： A top-pinned magnetoresistive device includes a free ferromagnetic layer; a spacer layer on the free layer; and a pinned ferromagnetic layer on the spacer layer. At least one interface property at an upper surface of the pinned layer is adjusted during fabrication of the magnetoresistive device.

摘要翻译： 顶置磁阻器件包括自由铁磁层; 自由层上的间隔层; 以及在间隔层上的钉扎铁磁层。 在制造磁阻器件期间调整在被钉扎层的上表面处的至少一个界面特性。

公开(公告)号：US07103718B2

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US10234424

申请日：2002-09-03

申请人： Janice H. Nickel ,  Manish Sharma

发明人： Janice H. Nickel ,  Manish Sharma

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C7/20 ,  G11C29/02 ,  G11C29/026 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/0407 ,  G11C2029/5004

摘要： A non-volatile memory module for use in a computer system is disclosed. The non-volatile memory module is capable of storing information indefinitely and can be inserted and removed from the computer system during operation. The non-volatile memory can serve as the main memory within the computer system to hold the operating system and any other programs that are accessed by the computer system during operation.

摘要翻译： 公开了一种用于计算机系统的非易失性存储器模块。 非易失性存储器模块能够无限期地存储信息，并且可以在操作期间从计算机系统插入和移除。 非易失性存储器可以用作计算机系统内的主存储器，以在操作期间保持操作系统和计算机系统访问的任何其他程序。

公开(公告)号：US06950919B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10397434

申请日：2003-03-26

申请人： Manish Sharma ,  Janice H. Nickel

发明人： Manish Sharma ,  Janice H. Nickel

IPC分类号： G06F12/06 ,  G06F9/445 ,  G06F9/50 ,  G06F12/00

CPC分类号： G06F9/5016 ,  G06F9/4411

摘要： This disclosure provides a computer system with operating system permitting dynamic reallocation of main memory during operation. In a particular embodiment the computer system with operating system are used in connection with non-volatile main memory stores (NMS) such as MRAM. As the NMS is a component of main memory attached directly to the memory bus, the NMS functions at substantially the same speed as traditional volatile memory stores. Reallocation of main memory and use of applications or programs stored on the inserted NMS occurs at speeds orders of magnitude greater than traditional secondary memory devices.

摘要翻译： 本公开提供了一种具有操作系统的计算机系统，其允许在操作期间主存储器的动态重新分配。 在具体实施例中，具有操作系统的计算机系统与诸如MRAM的非易失性主存储器（NMS）结合使用。 由于NMS是直接连接到存储器总线的主存储器的组件，所以NMS以与传统易失性存储器存储器基本相同的速度运行。 主存储器的重新分配和存储在插入的NMS上的应用或程序的使用发生在比传统的辅助存储器设备大得多的数量级。

公开(公告)号：US06903909B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US10285815

申请日：2002-11-01

申请人： Manish Sharma ,  Janice H. Nickel

发明人： Manish Sharma ,  Janice H. Nickel

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  H01F10/13 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/303

摘要： A ferromagnetic layer of a magnetoresistive element includes a crystalline ferromagnetic sublayer and an amorphous ferromagnetic sublayer. The amorphous ferromagnetic sublayer has a smoothed surface.

摘要翻译： 磁阻元件的铁磁层包括结晶铁磁子层和非晶铁磁子层。 非晶铁磁层具有平滑的表面。

公开(公告)号：US20230184922A1

公开(公告)日：2023-06-15

申请号：US18165882

申请日：2023-02-07

申请人： Janice H. Nickel

发明人： Janice H. Nickel

IPC分类号： G01S13/75 ,  E01F9/30 ,  E01F9/576 ,  E01F9/553

CPC分类号： G01S13/758 ,  E01F9/30 ,  E01F9/578 ,  E01F9/553

摘要： An apparatus includes a pavement marker configured to be mounted to a road at a lane line of a lane at known orientation with respect to the lane line; and an RF device carried by the raised pavement marker. The RF device is configured to transmit a directional RF navigation signal and it is positioned relative to the known orientation to transmit the signal across the lane in a direction that is substantially normal to the lane line.

公开(公告)号：US09299746B2

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：US14345295

申请日：2011-10-12

申请人： Gilberto M. Ribeiro ,  Janice H. Nickel

发明人： Gilberto M. Ribeiro ,  Janice H. Nickel

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L27/24 ,  H01L29/88 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2463 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/72 ,  H01L29/88 ,  H01L45/16

摘要： The present disclosure provides a memory cell that includes a resistive memory element disposed between a first conductor and a second conductor, the first conductor and the second conductor configured to activate the resistive memory element. The memory cell also includes a backward diode disposed in series with the memory element between the memory element and either the first conductor or the second conductor.

摘要翻译： 本公开提供了一种存储单元，其包括设置在第一导体和第二导体之间的电阻性存储元件，第一导体和第二导体被配置为激活电阻式存储元件。 存储单元还包括与存储元件串联设置在存储元件与第一导体或第二导体之间的后向二极管。

公开(公告)号：US20150076438A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：US14396406

申请日：2012-07-31

申请人： Hans S. Cho ,  Janice H. Nickel ,  R. Stanley Williams ,  Jaesung Roh ,  Jinwon Park ,  Choi Hyejung ,  Moonsig Joo ,  Jiwon Moon ,  Changgoo Lee ,  Yongsun Sohn ,  Jeongtae Kim

发明人： Hans S. Cho ,  Janice H. Nickel ,  R. Stanley Williams ,  Jaesung Roh ,  Jinwon Park ,  Choi Hyejung ,  Moonsig Joo ,  Jiwon Moon ,  Changgoo Lee ,  Yongsun Sohn ,  Jeongtae Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1691

摘要： Examples of the present disclosure include non-volatile resistive memory cells and methods of forming the same. An example of a non-volatile resistive memory cell includes a first portion of the non-volatile resistive memory cell formed as a vertically-extending structure on a first electrode, where the first portion comprises at least one memristive material across a width of the vertically-extending structure. The non-volatile resistive memory cell also includes a second portion formed as a vertically-extending memristive material structure on at least one sidewall of the first portion.

摘要翻译： 本公开的实例包括非易失性电阻存储器单元及其形成方法。 非易失性电阻性存储单元的示例包括在第一电极上形成为垂直延伸结构的非易失性电阻性存储单元的第一部分，其中第一部分包括跨越垂直宽度的至少一个阻聚材料 延伸结构。 非易失性电阻性存储单元还包括在第一部分的至少一个侧壁上形成为垂直延伸的忆阻材料结构的第二部分。