公开(公告)号：US6100193A

公开(公告)日：2000-08-08

申请号：US936532

申请日：1997-09-24

申请人： Shintaro Suehiro ,  Yasushi Akasaka ,  Kyoichi Suguro ,  Kazuaki Nakajima ,  Tadashi Iijima

发明人： Shintaro Suehiro ,  Yasushi Akasaka ,  Kyoichi Suguro ,  Kazuaki Nakajima ,  Tadashi Iijima

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/768 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002

摘要： A MOSFET in which the gate electrode is formed of a polycrystalline silicon film, a silicon nitride film having a nitrogen surface density of lens than 8.times.10.sup.14 cm.sup.-2, and a tungsten film--these films formed one upon another in the order mentioned. The gate electrode thus formed, serves to shorten the delay time of the MOSFET.

摘要翻译： 栅电极由多晶硅膜形成的MOSFET，具有透镜的氮表面密度的氮化硅膜比8×10 14 cm -2，以及这些膜以这样的顺序依次形成的钨膜。 这样形成的栅电极用于缩短MOSFET的延迟时间。

公开(公告)号：US6033537A

公开(公告)日：2000-03-07

申请号：US996399

申请日：1997-12-22

申请人： Kyoichi Suguro

发明人： Kyoichi Suguro

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC分类号： C23C14/0682 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414

摘要： A sputtering target comprising a main component having magnetic properties and consisting of a metal or an alloy, and a sub-component comprising at least one component selected from the group consisting of a non-magnetic metal and a semiconductor. The main component may be a metal selected from the group consisting of Co, Ni and Fe or may be an alloy of at least two metals selected from the group consisting of Co, Ni and Fe. The sub-component may comprise at least one nonmagnetic metal selected from the group consisting of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Sn and Pb, or may comprise at least one semiconductor selected from the group consisting of Si and Ge, or may be a mixture of the at least one nonmagnetic metal and the at least one semiconductor.

摘要翻译： 一种包含具有磁性能并由金属或合金组成的主要成分的溅射靶，以及包括选自非磁性金属和半导体中的至少一种成分的子成分。 主要成分可以是选自Co，Ni和Fe的金属，也可以是选自Co，Ni和Fe中的至少两种金属的合金。 该子组分可以包括选自Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Sn和Pb中的至少一种非磁性金属，或者可以包含至少一种选自Si和 Ge，或者可以是至少一种非磁性金属和至少一种半导体的混合物。

公开(公告)号：US5731634A

公开(公告)日：1998-03-24

申请号：US659389

申请日：1996-06-06

申请人： Mie Matsuo ,  Haruo Okano ,  Nobuo Hayasaka ,  Kyoichi Suguro ,  Hideshi Miyajima ,  Jun-ichi Wada

发明人： Mie Matsuo ,  Haruo Okano ,  Nobuo Hayasaka ,  Kyoichi Suguro ,  Hideshi Miyajima ,  Jun-ichi Wada

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, including the steps of forming a metal oxide film made of a metal oxide having a decrease in standard free energy smaller than a decrease in standard free energy of hydrogen oxide or of carbon oxide, on an insulating film formed on a semiconductor substrate, forming a metal oxide film pattern by subjecting a treatment to the metal oxide film, and converting said metal oxide pattern into at least one of an electrode and a wiring made of a metal which is a main component constituting the metal oxide, by reducing the metal oxide film pattern at a temperature of 80.degree. to 500.degree. C.

摘要翻译： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成由金属氧化物制成的金属氧化物膜，其标准自由能的降低小于氧化物或氧化碳的标准自由能的降低，对 形成在半导体基板上的绝缘膜，通过对金属氧化物膜进行处理形成金属氧化物膜图案，并将所述金属氧化物图案转换成电极和由作为主要成分的金属制成的布线中的至少一个 通过在80℃〜500℃的温度下还原金属氧化物膜图案来构成金属氧化物。

公开(公告)号：US5719410A

公开(公告)日：1998-02-17

申请号：US767149

申请日：1996-12-16

申请人： Shintaro Suehiro ,  Yasushi Akasaka ,  Kyoichi Suguro ,  Kazuaki Nakajima ,  Tadashi Iijima

发明人： Shintaro Suehiro ,  Yasushi Akasaka ,  Kyoichi Suguro ,  Kazuaki Nakajima ,  Tadashi Iijima

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/768 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002

摘要： A MOSFET in which the gate electrode is formed of a polycrystalline silicon film, a silicon nitride film having a nitrogen surface density of lens than 8.times.10.sup.14 cm.sup.-2, and a tungsten film--these films formed one upon another in the order mentioned. The gate electrode thus formed, serves to shorten the delay time of the MOSFET.

摘要翻译： 栅电极由多晶硅膜形成的MOSFET，具有透镜的氮表面密度的氮化硅膜比8×10 14 cm -2，以及这些膜以这样的顺序依次形成的钨膜。 这样形成的栅电极用于缩短MOSFET的延迟时间。

公开(公告)号：US5654237A

公开(公告)日：1997-08-05

申请号：US476883

申请日：1995-06-07

申请人： Kyoichi Suguro ,  Haruo Okano

发明人： Kyoichi Suguro ,  Haruo Okano

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/44 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76879 ,  Y10S148/117

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming a first insulating layer having a hole on a substrate, selectively forming a conductive layer in the hole, selectively forming a second insulating layer on the first insulating layer, patterning the second insulating layer, and forming an interconnection layer in an opening portion of the second insulating layer formed by patterning so as to be electrically connected to the conductive layer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成具有孔的第一绝缘层，在孔中选择性地形成导电层，在第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层，图案化第二绝缘层， 以及在通过图案化形成的第二绝缘层的开口部分中形成互连层，从而与导电层电连接。

公开(公告)号：US5592024A

公开(公告)日：1997-01-07

申请号：US330998

申请日：1994-10-28

申请人： Hisako Aoyama ,  Kyoichi Suguro ,  Hiromi Niiyama ,  Hitoshi Tamura ,  Hisataka Hayashi ,  Tomonori Aoyama ,  Gaku Minamihaba ,  Tadashi Iijima

发明人： Hisako Aoyama ,  Kyoichi Suguro ,  Hiromi Niiyama ,  Hitoshi Tamura ,  Hisataka Hayashi ,  Tomonori Aoyama ,  Gaku Minamihaba ,  Tadashi Iijima

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/915

摘要： A semiconductor device comprises a semiconductor substrate in which a semiconductor element is formed, an interlayer insulating film formed on the semiconductor substrate, an insulating barrier layer, formed on the interlayer insulating film by plasma nitriding, for preventing diffusion of a metal constituting a wiring layer, a conductive barrier layer, formed on the insulating barrier layer, for preventing diffusion of the metal, and a wiring layer formed of the metal on the conductive barrier layer. A bottom portion of the wiring layer is protected by the conductive barrier layer and the insulating barrier layer. Therefore, the diffusion of the metal constituting the wiring layer can be surely prevented.

摘要翻译： 半导体器件包括其中形成半导体元件的半导体衬底，形成在半导体衬底上的层间绝缘膜，通过等离子体氮化形成在层间绝缘膜上的绝缘阻挡层，用于防止构成布线层的金属的扩散 形成在绝缘阻挡层上的用于防止金属扩散的导电阻挡层，以及由金属形成的布线层在导电阻挡层上。 布线层的底部由导电阻挡层和绝缘阻挡层保护。 因此，可以可靠地防止构成布线层的金属的扩散。

公开(公告)号：US4912542A

公开(公告)日：1990-03-27

申请号：US156929

申请日：1988-02-17

申请人： Kyoichi Suguro

发明人： Kyoichi Suguro

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/12576

摘要： Disclosed is a semiconductor device having a metal-silicon alloy wiring layer and a structure wherein a metal compound, having a larger free energy decrease caused by compound formation, than a free energy decrease caused by the metal-silicon alloy formation, is precipitated. A method of fabricating the semiconductor device having the above microstructure is also disclosed. In the semiconductor device, the grain boundaries are micronized by precipitation of a metal compound, thus the mechanical strength can be improved, and the circuit reliability can also be improved. Further, an increase in resistance can be suppressed by precipitation of the metal compound.

摘要翻译： 公开了一种具有金属 - 硅合金布线层的半导体器件和其中由化合物形成引起的具有较大自由能降低的金属化合物与由金属 - 硅合金形成引起的自由能降低的结构沉淀。 还公开了一种制造具有上述微结构的半导体器件的方法。 在半导体装置中，通过金属化合物的析出使晶界微细化，能够提高机械强度，并且也可提高电路的可靠性。 此外，可以通过金属化合物的沉淀来抑制电阻的增加。

公开(公告)号：US08981507B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13534673

申请日：2012-06-27

申请人： Shigeki Takahashi ,  Kyoichi Suguro ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Hiroaki Yoda

发明人： Shigeki Takahashi ,  Kyoichi Suguro ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a nonvolatile memory device including a plurality of memory cells is disclosed. Each of the plurality of memory cells includes a base layer including a first electrode, a magnetic tunnel junction device provided on the base layer, and a second electrode provided on the magnetic tunnel junction device. The magnetic tunnel junction device includes a first magnetic layer, a tunneling barrier layer provided on the first magnetic layer, and a second magnetic layer provided on the tunneling barrier layer. The method can include etching a portion of the second magnetic layer and a portion of the first magnetic layer by irradiating gas clusters onto a portion of a surface of the second magnetic layer or a portion of a surface of the first magnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造包括多个存储单元的非易失性存储器件的方法。 多个存储单元中的每一个包括基底层，其包括第一电极，设置在基底层上的磁性隧道结器件和设置在磁性隧道结装置上的第二电极。 磁隧道结装置包括第一磁性层，设置在第一磁性层上的隧道势垒层，以及设置在隧道势垒层上的第二磁性层。 该方法可以包括通过将气体簇照射到第二磁性层的表面的一部分或第一磁性层的表面的一部分上来蚀刻第二磁性层的一部分和第一磁性层的一部分。

公开(公告)号：US08743601B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13408336

申请日：2012-02-29

申请人： Kyoichi Suguro

发明人： Kyoichi Suguro

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11B11/007 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0014 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/145

摘要： In accordance with an embodiment, a non volatile semiconductor memory device includes a substrate, a first electrode, a functional film, and a second electrode. The first electrode is provided on the substrate. The functional film is located on the first electrode and serves as a storage medium. The second electrode is provided on the functional film or in the functional film, and has a convex curved upper surface.

摘要翻译： 根据实施例，非易失性半导体存储器件包括衬底，第一电极，功能膜和第二电极。 第一电极设置在基板上。 功能膜位于第一电极上，用作存储介质。 第二电极设置在功能膜上或功能膜中，并且具有凸曲面的上表面。

公开(公告)号：US08716034B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13226868

申请日：2011-09-07

申请人： Yuichi Ohsawa ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

发明人： Yuichi Ohsawa ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L29/82

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetic memory, the method includes forming a first magnetic layer having a variable magnetization, forming a tunnel barrier layer on the first magnetic layer, forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer, the second magnetic layer having an invariable magnetization, forming a hard mask layer as a mask on the second magnetic layer, patterning the second magnetic layer by using the mask of the hard mask layer, and executing a GCIB-irradiation by using the mask of the hard mask layer, after the patterning.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造磁存储器的方法，该方法包括形成具有可变磁化强度的第一磁性层，在第一磁性层上形成隧道势垒层，在隧道势垒层上形成第二磁性层， 具有不变磁化的磁性层，在第二磁性层上形成硬掩模层作为掩模，通过使用硬掩模层的掩模对第二磁性层进行构图，并使用硬掩模的掩模执行GCIB照射 层，图案后。