公开(公告)号：US06231633B1

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：US09313985

申请日：1999-05-19

申请人： Yasuhiro Hirano ,  Yutaka Yamaguchi ,  Hiroshi Nakamura

发明人： Yasuhiro Hirano ,  Yutaka Yamaguchi ,  Hiroshi Nakamura

IPC分类号： C05G500

CPC分类号： C05G3/0035

摘要： Provided is a granular fertilizer coated with a thermosetting resin coating, characterized in that a dissolution rate of the fertilizer is retarded by containing a hydrophobic compound in at least one of the coating portion and the fertilizer portion thereof. The dissolution rate is further retarded than that of a conventional granular coated fertilizer coated with a thermosetting resin.

摘要翻译： 提供涂覆有热固性树脂涂层的颗粒肥料，其特征在于通过在其涂覆部分和肥料部分中的至少一个中含有疏水性化合物来抑制肥料的溶解速率。 溶解速度比涂覆有热固性树脂的常规颗粒包覆肥料的溶解速度进一步延迟。

公开(公告)号：US06208573B1

公开(公告)日：2001-03-27

申请号：US09504903

申请日：2000-02-16

申请人： Tomoharu Tanaka ,  Hiroshi Nakamura ,  Toru Tanzawa

发明人： Tomoharu Tanaka ,  Hiroshi Nakamura ,  Toru Tanzawa

IPC分类号： G11C700

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C7/1048 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/565 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5642

摘要： A semiconductor memory device comprises memory cells, a bitline connected to the memory cells, a read circuit including a precharge circuit, and a first transistor connected between the bitline and the read circuit, wherein a first voltage is applied to a gate of the first transistor when the precharge circuit precharges the bitline, and a second voltage which is different from the first voltage is applied to the gate of the first transistor when the read circuit senses a change in a voltage of the bitline.

摘要翻译： 半导体存储器件包括存储器单元，连接到存储器单元的位线，包括预充电电路的读取电路和连接在位线和读取电路之间的第一晶体管，其中第一电压施加到第一晶体管的栅极 当预充电电路对位线进行预充电，并且当读取电路感测到位线的电压变化时，与第一电压不同的第二电压被施加到第一晶体管的栅极。

公开(公告)号：US6134140A

公开(公告)日：2000-10-17

申请号：US78137

申请日：1998-05-14

申请人： Tomoharu Tanaka ,  Hiroshi Nakamura ,  Ken Takeuchi ,  Riichiro Shirota ,  Fumitaka Arai ,  Susumu Fujimura

发明人： Tomoharu Tanaka ,  Hiroshi Nakamura ,  Ken Takeuchi ,  Riichiro Shirota ,  Fumitaka Arai ,  Susumu Fujimura

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/34 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/3409 ,  G11C16/344 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/345 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/3463 ,  G11C2211/5621

摘要： A NAND cell unit includes a plurality of memory cells which are connected in series. An erase operation is effected on all memory cells. Then, a soft-program voltage, which is opposite in polarity to the erase voltage applied in the erase operation, is applied to all memory cells, thereby setting all memory cells out of an over-erased state. Thereafter, a program voltage of 20V is applied to the control gate of any selected one of the memory cells, 0V is applied to the control gates of the two memory cells provided adjacent to the selected memory cell, and 11V is applied to the control gates of the remaining memory cells. Data is thereby programmed into the selected memory cell. The time for which the program voltage is applied to the selected memory cell is adjusted in accordance with the data to be programmed into the selected memory cell. Hence, data "0" can be correctly programmed into the selected memory cell, multi-value data can be read from any selected memory cell at high speed.

摘要翻译： NAND单元单元包括串联连接的多个存储单元。 对所有存储单元进行擦除操作。 然后，将与在擦除操作中施加的擦除电压极性相反的软编程电压施加到所有存储单元，从而将所有存储单元设置为过擦除状态。 此后，将20V的编程电压施加到任何一个存储单元的控制栅极，将0V施加到与所选存储单元相邻设置的两个存储单元的控制栅极，并将11V施加到控制栅极 的剩余存储单元。 因此数据被编程到所选择的存储单元中。 根据要编程到所选择的存储单元中的数据来调整对所选存储单元施加编程电压的时间。 因此，可以将数据“0”正确地编程到所选择的存储单元中，可以从任何选择的存储单元高速读取多值数据。

公开(公告)号：US6127492A

公开(公告)日：2000-10-03

申请号：US309256

申请日：1999-05-11

申请人： Tohru Nagashima ,  Mituo Maeda ,  Hiroshi Nakamura

发明人： Tohru Nagashima ,  Mituo Maeda ,  Hiroshi Nakamura

IPC分类号： C08K3/04 ,  C08K7/06 ,  C08L69/00 ,  C08L81/06 ,  C08F283/02

CPC分类号： C08K7/06 ,  C08K3/04 ,  C08L69/00 ,  C08L81/06

摘要： A thermoplastic resin composition in which 5 to 45 parts by weight of carbon fiber and 0.1 to 10 parts by weight of conductive carbon black are compounded per 100 parts by weight of resin components comprising an aromatic polycarbonate resin and an aromatic polysulfone resin. The thermoplastic resin composition is excellent in heat-resistance and mechanical strength, and heat-resistant IC trays therefrom are useful products which can endure drying of IC at high temperature and are excellent in handling properties.

摘要翻译： 相对于100重量份包含芳香族聚碳酸酯树脂和芳香族聚砜树脂的树脂成分，配合5〜45重量份碳纤维和0.1〜10重量份导电性炭黑的热塑性树脂组合物。 热塑性树脂组合物的耐热性和机械强度优异，耐热IC托盘是能够耐受IC在高温下干燥并且处理性能优异的有用产品。

公开(公告)号：US06064611A

公开(公告)日：2000-05-16

申请号：US055216

申请日：1998-04-06

申请人： Tomoharu Tanaka ,  Hiroshi Nakamura ,  Toru Tanzawa

发明人： Tomoharu Tanaka ,  Hiroshi Nakamura ,  Toru Tanzawa

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/565 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5642 ,  G11C7/1048

摘要： A semiconductor memory device includes memory cells, a bitline connected to the memory cells, a read circuit including a precharge circuit, and a first transistor connected between the bitline and the read circuit, wherein a first voltage is applied to a gate of the first transistor when the precharge circuit precharges the bitline, and a second voltage which is different from the first voltage is applied to the gate of the first transistor when the read circuit senses a change in a voltage of the bitline.

摘要翻译： 半导体存储器件包括存储器单元，连接到存储单元的位线，包括预充电电路的读取电路和连接在位线和读取电路之间的第一晶体管，其中第一电压施加到第一晶体管的栅极 当预充电电路对位线进行预充电，并且当读取电路感测到位线的电压变化时，与第一电压不同的第二电压被施加到第一晶体管的栅极。

公开(公告)号：US6037736A

公开(公告)日：2000-03-14

申请号：US952541

申请日：1997-11-17

申请人： Kazuhiro Tsuruta ,  Hiroshi Nakamura

发明人： Kazuhiro Tsuruta ,  Hiroshi Nakamura

IPC分类号： H02P23/00 ,  G05B11/36

CPC分类号： H02P23/16

摘要： A control constant identification system which comprises a command generation section for generating a speed command Vref, a speed control section for determining a torque command Tref by the speed command Vref and actual motor speed Vfb and controlling motor speed, an estimation section for simulating the speed control section according to a model and outputting an estimated torque command Tref', and an identification section for identifying inertia J according to a ratio between a value STref resulting from time integration of the torque command Tref output by the speed control section at a predetermined interval [a, b] and a value STref' resulting from time integration of the torque command Tref' output by the estimation section at the predetermined interval [a, b]. To accurately find the inertia J by executing a small amount of operations, the predetermined interval [a, b] and the speed command Vref are set so that the actual motor speed Vfb and motor speed Vfb' found by the estimation section become the same non-zero values at the time b.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP96 / 01253第 371日期：1997年11月17日 102（e）日期1997年11月17日PCT提交1996年5月13日PCT公布。 公开号WO96 / 37039 日期：1996年11月21日控制常数识别系统，包括用于产生速度指令Vref的命令产生部分，用于通过速度指令Vref和实际电动机速度Vfb确定转矩指令Tref的速度控制部分，并控制电动机速度;估计 用于根据模型模拟速度控制部分并输出估计转矩指令Tref'的识别部分，以及用于根据由速度控制输出的转矩指令Tref的时间积分产生的值STref之间的比率来识别惯量J的识别部分 以由预测间隔[a，b]输出的转矩指令Tref'的时间积分产生的预定间隔[a，b]的值STref'。 为了通过执行少量的操作来精确地找到惯性J，设定预定间隔[a，b]和速度指令Vref，使得由估计部找到的实际电动机速度Vfb和电动机速度Vfb'变为相同的非 当时的值为零。

公开(公告)号：US06030717A

公开(公告)日：2000-02-29

申请号：US12125

申请日：1998-01-22

申请人： Hiroshi Nakamura ,  Takeshi Shirai

发明人： Hiroshi Nakamura ,  Takeshi Shirai

IPC分类号： G02B1/11 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C03C17/34 ,  G02B1/115 ,  G02B5/30

CPC分类号： C03C17/3452 ,  G02B1/115 ,  G02B5/3025 ,  Y10S428/913

摘要： Multilayer antireflection coatings are disclosed for grazing incident ultraviolet light having a large angle of incidence. The coatings comprise, from the medium side, layers of high-refractive-index material alternating with layers of low-refractive-index material. Each layer of the high-refractive-index material has the same optical thickness, and each layer of the low-refractive-index material has the same optical thickness. The multilayer antireflection coatings are effective in preventing reflection of p-polarized light, from optical elements coated with such a coating, having a wavelength of 150 nm.ltoreq..lambda..ltoreq.250 nm in a range of angle of incidence of 70.degree..ltoreq..theta..ltoreq.80.degree..

摘要翻译： 公开了用于放射入射紫外光的入射角大的多层抗反射涂层。 涂层包括从中等侧面与低折射率材料层交替的高折射率材料层。 高折射率材料的每一层具有相同的光学厚度，并且每层低折射率材料具有相同的光学厚度。 多层抗反射涂层在70°C的入射角范围内有效地防止了由具有这种涂层的光学元件的p偏振光的反射，其具有150nmλ= 250nm的波长， / =θ= 80°。

公开(公告)号：US5990645A

公开(公告)日：1999-11-23

申请号：US11844

申请日：1998-02-18

申请人： Hiroshi Nakamura ,  Shoji Takamatsu ,  Yasuhiko Kaku

发明人： Hiroshi Nakamura ,  Shoji Takamatsu ,  Yasuhiko Kaku

IPC分类号： H02P29/00 ,  G01H1/00 ,  G05D19/02 ,  H02P23/00 ,  H02P7/00

CPC分类号： G05D19/02 ,  G01H1/003 ,  H02P23/16

摘要： Provided is a mechanical-vibration detecting apparatus in which not only adjustment is easy but also mechanical vibration can be taken out with high accuracy, and a vibration-reduction control apparatus by which reduction of mechanical vibration can be achieved. In a motor control apparatus for controlling the torque of a motor, provided are an equivalent rigid body model 103; a proportional operation means 104; a high-pass filter 105; and means for adding a torque signal and an output of the proportional operation means to supply a resulting addition signal to the equivalent rigid body model, and for subtracting an output of the equivalent rigid body model from a velocity signal of the motor control apparatus to supply a resulting difference signal to the proportional operation means and to the high-pass filter so that an output of the high-pass filter is used as a mechanical vibration control signal.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP96 / 02289 Sec。 371日期1998年2月18日 102（e）1998年2月18日PCT PCT 1996年8月13日PCT公布。 公开号WO97 / 07590 日期1997年2月27日提出了一种机械振动检测装置，其中不仅调节容易，而且可以高精度地取出机械振动，并且可以实现减少机械振动的减振控制装置。 在用于控制电动机的转矩的电动机控制装置中，设置有等效的刚体模型103; 比例运算装置104; 高通滤波器105; 以及用于添加转矩信号和比例运算装置的输出的装置，用于将所得到的相加信号提供给等效的刚体模型，以及从马达控制装置的速度信号中减去等效刚体模型的输出以供给 产生与比例运算装置的差分信号和高通滤波器，使得高通滤波器的输出被用作机械振动控制信号。

公开(公告)号：US5909399A

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：US100330

申请日：1998-06-19

申请人： Tomoharu Tanaka ,  Masaki Momodomi ,  Hideo Kato ,  Hiroto Nakai ,  Yoshiyuki Tanaka ,  Riichiro Shirota ,  Seiichi Aritome ,  Yasuo Itoh ,  Yoshihisa Iwata ,  Hiroshi Nakamura ,  Hideko Odaira ,  Yutaka Okamoto ,  Masamichi Asano ,  Kaoru Tokushige

发明人： Tomoharu Tanaka ,  Masaki Momodomi ,  Hideo Kato ,  Hiroto Nakai ,  Yoshiyuki Tanaka ,  Riichiro Shirota ,  Seiichi Aritome ,  Yasuo Itoh ,  Yoshihisa Iwata ,  Hiroshi Nakamura ,  Hideko Odaira ,  Yutaka Okamoto ,  Masamichi Asano ,  Kaoru Tokushige

IPC分类号： G06F11/10 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/34 ,  G11C29/00 ,  G11C29/34 ,  G11C29/52 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C29/785 ,  G06F11/1008 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/3436 ,  G11C16/344 ,  G11C16/3454 ,  G11C29/34 ,  G11C29/52 ,  G06F11/1068 ,  G06F2201/81 ,  G06F2212/2022

摘要： The time required for the program verify and erase verify operations can be shortened. The change of threshold values of memory cells can be suppressed even if the write and erase operations are executed repetitively. After the program and erase operations, whether the operations were properly executed can be judged simultaneously for all bit lines basing upon a change, after the pre-charge, of the potential at each bit line, without changing the column address. In the data rewrite oepration, the rewrite operation is not effected for a memory cell with the data once properly written, by changing the data in the data register.

摘要翻译： 可以缩短程序验证和擦除验证操作所需的时间。 即使重复执行写入和擦除操作，也可以抑制存储单元的阈值变化。 在编程和擦除操作之后，可以根据每个位线上的电位的预充电之后的所有位线同时判断操作，而不改变列地址。 在数据重写过程中，通过改变数据寄存器中的数据，对数据一次正确写入的存储单元不会影响重写操作。

公开(公告)号：US5841043A

公开(公告)日：1998-11-24

申请号：US854846

申请日：1997-05-12

申请人： Koichi Nishimura ,  Takahiro Yonesaki ,  Shin Fujitani ,  Hiroshi Nakamura ,  Yumiko Nakamura ,  Ikuo Yonezu ,  Hiroshi Watanabe

发明人： Koichi Nishimura ,  Takahiro Yonesaki ,  Shin Fujitani ,  Hiroshi Nakamura ,  Yumiko Nakamura ,  Ikuo Yonezu ,  Hiroshi Watanabe

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F9/02 ,  C01B3/00 ,  C22C32/00 ,  F17C11/00 ,  H01M8/06 ,  C22C19/03

CPC分类号： H01M8/065 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/0059 ,  B22F9/023 ,  C01B3/0005 ,  C01B3/0057 ,  C01B3/0078 ,  C01B3/0084 ,  C22C32/0094 ,  F17C11/005 ,  B22F2998/00 ,  Y02E60/321 ,  Y02E60/327 ,  Y02P20/129 ,  Y10S420/90

摘要： A shaped body of hydrogen absorbing alloy prepared by pressing a mixture of a hydrogen absorbing alloy powder A having a first particle-size distribution, a hydrogen absorbing alloy powder B having a second particle-size distribution and a binder C, the powder A being larger than the powder B in mean particle size, the mixture being at least 0.03 to not gerater than 0.50 in the mean particle size ratio r.sub.B /r.sub.A of the powder B to the powder A wherein r.sub.A and r.sub.B are the mean particle sizes of the respective powders A and B. The hydrogen absorbing alloy of the powder B is higher than the hydrogen absorbing alloy of the powder A in the rate of progress of pulverization resulting from absorption and desorption of hydrogen.

摘要翻译： 通过压制具有第一粒度分布的吸氢合金粉末A，具有第二粒度分布的吸氢合金粉末B和粘合剂C的混合物制备的吸氢合金成形体，粉末A较大 与平均粒径的粉末B相比，在粉末B与粉末A的平均粒径比rB / rA中，混合物的摩尔比为0.50以上，rA和rB为各粉末的平均粒径 A和B.粉末B的吸氢合金比由氢的吸收和解吸产生的粉碎进程的速度高于粉末A的吸氢合金。