公开(公告)号：US20130023079A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13552344

申请日：2012-07-18

申请人： Sang Won Kang ,  Jiang Lu ,  Hua Chung ,  Juno Yu-Ting Huang ,  Wei-Yung Hsu

发明人： Sang Won Kang ,  Jiang Lu ,  Hua Chung ,  Juno Yu-Ting Huang ,  Wei-Yung Hsu

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/0095

摘要： Methods of fabricating light emitting diodes using a degas process are described. For example, a method includes providing a partially formed group III-V material layer stack of an LED. Contaminants are removed from the partially formed group III-V material layer stack by a degas process. Formation of the group III-V material layer stack of the LED is then completed.

摘要翻译： 描述了使用脱气工艺制造发光二极管的方法。 例如，一种方法包括提供LED的部分形成的III-V族材料层堆叠。 通过脱气工艺将污染物从部分形成的III-V族材料层堆中除去。 然后完成LED的III-V族材料层堆叠的形成。

公开(公告)号：US20130005118A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13535845

申请日：2012-06-28

申请人： Sung Won Jun ,  Yan Wang ,  Hua Chung ,  Jiang Lu ,  Kuan Chien Keris Shen ,  Shiva Rai

发明人： Sung Won Jun ,  Yan Wang ,  Hua Chung ,  Jiang Lu ,  Kuan Chien Keris Shen ,  Shiva Rai

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02661 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： Methods of forming III-V materials using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) with chlorine cleans operations are described. A chlorine-clean operation may further season an MOCVD process for improved throughput for high volume manufacturing.

摘要翻译： 描述了使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）与氯清洗操作形成III-V材料的方法。 氯清洁操作可以进一步增加MOCVD过程，以提高大批量生产的产量。

公开(公告)号：US20120315741A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13485671

申请日：2012-05-31

申请人： Jie Su ,  Jiang Lu ,  Hua Chung ,  Wei-Yung Hsu ,  David Bour

发明人： Jie Su ,  Jiang Lu ,  Hua Chung ,  Wei-Yung Hsu ,  David Bour

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02579 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： Enhanced magnesium incorporation into gallium nitride films through high pressure or ALD-type processing is described. In an example, a method of fabricating a group III-nitride film includes flowing a group III precursor, a nitrogen precursor, and a p-type dopant precursor into a reaction chamber having a substrate therein. A p-type doped group III-nitride layer is formed in the reaction chamber, above the substrate, while a total pressure in the reaction chamber is approximately in the range of 300-760 Torr.

摘要翻译： 描述了通过高压或ALD型处理将镁掺入到氮化镓膜中。 在一个实例中，制造III族氮化物膜的方法包括使III族前体，氮前体和p型掺杂剂前体流入具有衬底的反应室中。 在反应室中形成p型掺杂III族氮化物层，同时反应室中的总压力大约在300-760乇的范围内。

公开(公告)号：US20120006265A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13235855

申请日：2011-09-19

申请人： BARRY L. CHIN ,  Alfred W. Mak ,  Lawrence Chung-Lai Lei ,  Ming Xi ,  Hua Chung ,  Ken Kaung Lai ,  Jeong Soo Byun

发明人： BARRY L. CHIN ,  Alfred W. Mak ,  Lawrence Chung-Lai Lei ,  Ming Xi ,  Hua Chung ,  Ken Kaung Lai ,  Jeong Soo Byun

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4583

摘要： A method and apparatus for atomic layer deposition (ALD) is described. In one embodiment, an apparatus comprises a vacuum chamber body having a contiguous internal volume comprised of a first deposition region spaced-apart from a second deposition region, the chamber body having a feature operable to minimize intermixing of gases between the first and the second deposition regions, a first gas port formed in the chamber body and positioned to pulse gas preferentially to the first deposition region to enable a first deposition process to be performed in the first deposition region, and a second gas port formed in the chamber body and positioned to pulse gas preferentially to the second deposition region to enable a second deposition process to be performed in the second deposition region is provided.

摘要翻译： 描述了用于原子层沉积（ALD）的方法和装置。 在一个实施例中，一种装置包括具有连续的内部容积的真空室主体，其包括与第二沉积区域间隔开的第一沉积区域，所述室主体具有可操作以最小化第一和第二沉积物之间的气体混合的特征 区域，形成在所述室主体中并且定位成优先地将气体脉冲至所述第一沉积区域的第一气体端口，以使得能够在所述第一沉积区域中执行第一沉积工艺，以及形成在所述室主体中并定位成 优选提供脉冲气体到第二沉积区域以使得能够在第二沉积区域中进行第二沉积工艺。

公开(公告)号：US20110308551A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13041230

申请日：2011-03-04

申请人： Hua Chung ,  Xizi Dong ,  Kyawwin Jason Maung ,  Hiroji Hanawa ,  Sang Won Kang ,  David H. Quach ,  Donald J.K. Olgado ,  David Bour ,  Wei-Yung Hsu ,  Alexander Tam ,  Anzhong Chang ,  Sumedh Acharya

发明人： Hua Chung ,  Xizi Dong ,  Kyawwin Jason Maung ,  Hiroji Hanawa ,  Sang Won Kang ,  David H. Quach ,  Donald J.K. Olgado ,  David Bour ,  Wei-Yung Hsu ,  Alexander Tam ,  Anzhong Chang ,  Sumedh Acharya

IPC分类号： B08B9/00 ,  B08B3/04

CPC分类号： B08B5/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45591 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67115 ,  Y10S438/905

摘要： Embodiments of the invention generally relate to apparatus and methods for cleaning chamber components using a cleaning plate. The cleaning plate is adapted to be positioned on a substrate support during a cleaning process, and includes a plurality of turbulence-inducing structures. The turbulence-inducing structures induce a turbulent flow of cleaning gas while the cleaning plate is rotated during a cleaning process. The cleaning plate increases the retention time of the cleaning gas near the showerhead during cleaning. Additionally, the cleaning plate reduces concentration gradients within the cleaning plate to provide a more effective clean. The method includes positioning a cleaning plate adjacent to a showerhead, and introducing cleaning gas to the space between the showerhead and the cleaning plate. A material deposited on the surface of the showerhead is then heated and vaporized in the presence of the cleaning gas, and then exhausted from the processing chamber.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及使用清洁板清洁腔室部件的设备和方法。 清洁板适于在清洁过程期间定位在基板支撑件上，并且包括多个湍流诱导结构。 湍流诱导结构在清洁过程中清洁板旋转时引起清洁气体的湍流。 在清洁过程中，清洁板增加了喷头附近清洁气体的停留时间。 此外，清洁板减少清洁板内的浓度梯度以提供更有效的清洁。 该方法包括将清洁板定位在与喷头相邻的位置，并将清洁气体引入到喷头和清洁板之间的空间。 然后将沉积在喷头表面上的材料在清洁气体的存在下加热和蒸发，然后从处理室中排出。

公开(公告)号：US20110276810A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12799871

申请日：2010-05-04

申请人： Chia-Fa Chang ,  Hua Chung ,  Ligong Wang ,  Yung Fa Chueh

发明人： Chia-Fa Chang ,  Hua Chung ,  Ligong Wang ,  Yung Fa Chueh

IPC分类号： G06F1/00

CPC分类号： H01M10/44 ,  G06F1/263 ,  G06F1/28 ,  H01M10/4257 ,  H01M2010/4271 ,  H01M2010/4278 ,  H01M2220/30 ,  H02J7/0021

摘要： Desktop power use behavior may be detected while a portable information handling system or any other type of battery powered information handling, system is operating on external power such as an AC adapter. The desktop power use behavior may be detected by monitoring one or more power usage parameters to detect usage characteristics that indicate a battery powered information handling system is being operated in a manner that is similar to operation of a desktop information handling system. Upon detection of desktop behavior, one or more processing devices of the information handling system may respond by taking one or more desktop use response actions.

摘要翻译： 当便携式信息处理系统或任何其他类型的电池供电的信息处理系统正在诸如AC适配器的外部电源上操作时，可以检测桌面电力使用行为。 可以通过监视一个或多个功率使用参数来检测桌面电力使用行为，以检测指示以类似于桌面信息处理系统的操作的方式操作电池供电的信息处理系统的使用特性。 在检测到桌面行为时，信息处理系统的一个或多个处理设备可以通过采取一个或多个桌面使用响应动作来做出响应。

公开(公告)号：US20110117728A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12868899

申请日：2010-08-26

申请人： Jie Su ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Jacob Grayson ,  Sang Won Kang ,  Dong Hyung Lee ,  Hua Chung

发明人： Jie Su ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Jacob Grayson ,  Sang Won Kang ,  Dong Hyung Lee ,  Hua Chung

IPC分类号： H01L21/20 ,  B08B9/00

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115

摘要： A method and apparatus for removing deposition products from internal surfaces of a processing chamber, and for preventing or slowing growth of such deposition products. A halogen containing gas is provided to the chamber to etch away deposition products. A halogen scavenging gas is provided to the chamber to remove any residual halogen. The halogen scavenging gas is generally activated by exposure to electromagnetic energy, either inside the processing chamber by thermal energy, or in a remote chamber by electric field, UV, or microwave. A deposition precursor may be added to the halogen scavenging gas to form a deposition resistant film on the internal surfaces of the chamber. Additionally, or alternately, a deposition resistant film may be formed by sputtering a deposition resistant metal onto internal components of the processing chamber in a PVD process.

摘要翻译： 一种用于从处理室的内表面去除沉积产物并用于防止或减缓这种沉积产物的生长的方法和装置。 将含卤素气体提供到室以蚀刻掉沉积产物。 将卤素清除气体提供到室以除去任何残留的卤素。 卤素清除气体通常通过暴露于电磁能（通过热能在处理室内）或通过电场，UV或微波在远程室中而被激活。 可以将沉积前体添加到卤素清除气体中，以在室的内表面上形成耐沉积膜。 另外，或者也可以通过在PVD工艺中将耐沉积金属溅射到处理室的内部部件上来形成耐沉积膜。

公开(公告)号：US07867896B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12417439

申请日：2009-04-02

申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent W. Ku ,  Ling Chen

发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent W. Ku ,  Ling Chen

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

摘要： Embodiments of the invention provide a method for forming tantalum nitride materials on a substrate by employing an atomic layer deposition (ALD) process. The method includes heating a tantalum precursor within an ampoule to a predetermined temperature to form a tantalum precursor gas and sequentially exposing a substrate to the tantalum precursor gas and a nitrogen precursor to form a tantalum nitride material. Thereafter, a nucleation layer and a bulk layer may be deposited on the substrate. In one example, a radical nitrogen compound may be formed from the nitrogen precursor during a plasma-enhanced ALD process. A nitrogen precursor may include nitrogen or ammonia. In another example, a metal-organic tantalum precursor may be used during the deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种通过采用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成氮化钽材料的方法。 该方法包括将安瓿内的钽前体加热至预定温度以形成钽前体气体，并将基底依次暴露于钽前体气体和氮气前体以形成氮化钽材料。 此后，可以在基板上沉积成核层和体层。 在一个实例中，在等离子体增强的ALD工艺期间可以由氮前体形成自由基氮化合物。 氮前体可以包括氮或氨。 在另一个实例中，在沉积过程中可以使用金属 - 有机钽前体。

公开(公告)号：US20100247767A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12797999

申请日：2010-06-10

申请人： LING CHEN ,  Vincent Ku ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung ,  Alan Ouye ,  Norman Nakashima

发明人： LING CHEN ,  Vincent Ku ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung ,  Alan Ouye ,  Norman Nakashima

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871

摘要： Apparatus and method for forming thin layers on a substrate are provided. A processing chamber has a gas delivery assembly that comprises a lid with a cap portion and a covering member that together define an expanding channel at a central portion of the lid, the covering member having a tapered bottom surface extending from the expanding channel to a peripheral portion of the covering member. Gas conduits are coupled to the expanding channel and positioned at an angle from a center of the expanding channel to form a circular gas flow through the expanding channel. The bottom surface of the chamber lid is shaped and sized to substantially cover the substrate receiving surface. One or more valves are coupled to the passageway, and one or more gas sources are coupled to each valve. A choke is disposed on the chamber lid adjacent a perimeter of the tapered bottom surface.

摘要翻译： 提供了在基板上形成薄层的装置和方法。 处理室具有气体输送组件，该气体输送组件包括具有盖部分的盖和覆盖部件，该盖部分在盖的中心部分处共同限定出扩张通道，该覆盖部件具有从扩张通道延伸到外围的锥形底面 覆盖部件的一部分。 气体管道连接到膨胀通道并且与膨胀通道的中心成一定角度定位，以形成通过膨胀通道的圆形气流。 室盖的底表面的形状和尺寸基本上覆盖基板接收表面。 一个或多个阀联接到通道，并且一个或多个气体源联接到每个阀。 扼流圈设置在邻近锥形底面的周边的腔室盖上。

公开(公告)号：US07780785B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US10281079

申请日：2002-10-25

申请人： Ling Chen ,  Vincent Ku ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung ,  Alan Ouye ,  Norman Nakashima ,  Mei Chang

发明人： Ling Chen ,  Vincent Ku ,  Dien-Yeh Wu ,  Hua Chung ,  Alan Ouye ,  Norman Nakashima ,  Mei Chang

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871 ,  Y10T137/0396

摘要： An apparatus and method for performing a cyclical layer deposition process, such as atomic layer deposition is provided. In one aspect, the apparatus includes a substrate support having a substrate receiving surface, and a chamber lid comprising a tapered passageway extending from a central portion of the chamber lid and a bottom surface extending from the passageway to a peripheral portion of the chamber lid, the bottom surface shaped and sized to substantially cover the substrate receiving surface. The apparatus also includes one or more valves coupled to the gradually expanding channel, and one or more gas sources coupled to each valve.

摘要翻译： 提供了一种用于执行诸如原子层沉积的循环层沉积工艺的装置和方法。 一方面，该装置包括具有基板接收表面的基板支撑件和包括从腔室盖的中心部分延伸的锥形通道的腔室盖和从通道延伸到腔室盖的周边部分的底面， 所述底表面的形状和尺寸基本上覆盖所述基板接收表面。 该装置还包括联接到逐渐扩大的通道的一个或多个阀以及联接到每个阀的一个或多个气体源。