公开(公告)号：US09184887B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US14235680

申请日：2012-07-30

申请人： Ki Suk Kweon ,  Hyeon Jin Kang ,  Kill Yeon Kim ,  Yong Seok Park ,  Young Ki Hong

发明人： Ki Suk Kweon ,  Hyeon Jin Kang ,  Kill Yeon Kim ,  Yong Seok Park ,  Young Ki Hong

IPC分类号： H04M3/00 ,  H04L5/00 ,  H04M1/725 ,  H04W76/06

CPC分类号： H04L5/0037 ,  H04M1/72519 ,  H04W76/38

摘要： The present invention relates to a base station, and to a terminal connection method for the base station. The terminal connection method for the base station according to one embodiment of the present invention comprises: a step of connecting to a terminal; an information extracting step of extracting information for determining a timeout value of the connection of the terminal when the connection to the terminal is completed; and a time-out setting step of setting a time-out value of the terminal according to the extracted information. According to the one embodiment of the present invention, the base station may efficiently utilize resources and overhead expenses for connection setup may be reduced.

摘要翻译： 本发明涉及基站，以及基站的终端连接方法。 根据本发明的一个实施例的用于基站的终端连接方法包括：连接到终端的步骤; 信息提取步骤，当与终端的连接完成时，提取用于确定终端的连接的超时值的信息; 以及超时设定步骤，根据所提取的信息设定终端的超时值。 根据本发明的一个实施例，基站可以有效利用资源，并且可以减少连接建立的开销费用。

公开(公告)号：US09112044B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US13315147

申请日：2011-12-08

申请人： Sung Jin Whang ,  Ki Hong Lee

发明人： Sung Jin Whang ,  Ki Hong Lee

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L21/764 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1052 ,  H01L21/764 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： A three-dimensional (3-D) non-volatile memory device includes a plurality of word line structures extended in parallel and including a plurality of interlayer dielectric layers and a plurality of word lines that are alternately stacked over a substrate, a plurality of channels protruding from the substrate configured to penetrate the plurality of interlayer dielectric layers and the plurality of word lines, and an air gap formed between the plurality of word line structures.

摘要翻译： 三维（3-D）非易失性存储器件包括并行延伸的多个字线结构，并且包括交替堆叠在衬底上的多个层间电介质层和多个字线，多个通道 从被配置为穿透多个层间电介质层和多个字线的基板突出，以及形成在多个字线结构之间的气隙。

公开(公告)号：US09099348B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13602038

申请日：2012-08-31

申请人： Ki Hong Lee ,  Seung Ho Pyi ,  Hyun Soo Shon

发明人： Ki Hong Lee ,  Seung Ho Pyi ,  Hyun Soo Shon

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11573

摘要： A semiconductor device includes: vertical channel layers; a pipe channel layer configured to connect lower ends of the vertical channel layers; and a pipe gate surrounding the pipe channel layer and including a first region, which is in contact with the pipe channel layer and includes a first-type impurity, and remaining second regions including a second-type impurity different from the first type impurity.

摘要翻译： 半导体器件包括：垂直沟道层; 管道沟道层，被配置为连接垂直沟道层的下端; 以及围绕所述管道沟道层的管道浇口，并且包括与所述管道沟道层接触并且包括第一类型杂质的第一区域，以及包括与所述第一类型杂质不同的第二类型杂质的剩余的第二区域。

公开(公告)号：US20150149442A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：US14450114

申请日：2014-08-01

申请人： Ki Hong Kim ,  Sangyong Hwang ,  Sung Heun Wi ,  Jane Jung Lee ,  Joo Young Yoon ,  Sang Kyun Cha

发明人： Ki Hong Kim ,  Sangyong Hwang ,  Sung Heun Wi ,  Jane Jung Lee ,  Joo Young Yoon ,  Sang Kyun Cha

IPC分类号： G06F17/30

CPC分类号： G06F17/30469 ,  G06F17/30463 ,  G06F17/30466

摘要： Total global minimum costs can be determined for multiple sub-plans for completing a multi-operation database process to be performed in a distributed database management system that includes a plurality of nodes. The multiple sub-plans can include different distributions of node locations of a plurality of operators among the plurality of nodes. An optimal plan having a lowest total minimum global cost can be selected from the multiple sub-plans.

摘要翻译： 可以确定用于完成在包括多个节点的分布式数据库管理系统中执行的多操作数据库过程的多个子计划的全局最小成本。 多个子计划可以包括多个节点中的多个运营商的节点位置的不同分布。 可以从多个子计划中选择具有最低总体最小全局成本的最优计划。

公开(公告)号：US09019817B2

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US13574255

申请日：2011-01-05

申请人： Won Ki Hong ,  Sung Su Kim ,  Young Joon Won

发明人： Won Ki Hong ,  Sung Su Kim ,  Young Joon Won

IPC分类号： H04L12/26 ,  H04L29/14 ,  H04L12/24 ,  H04L12/801 ,  H04L12/707 ,  H04L12/70

CPC分类号： H04L12/2602 ,  H04L41/0213 ,  H04L41/0654 ,  H04L41/0896 ,  H04L43/00 ,  H04L43/0852 ,  H04L43/0882 ,  H04L45/22 ,  H04L47/19

摘要： The present invention relates to an autonomic network management system which includes: an active measurement unit that measures and analyzes a network state in an active measurement scheme; a passive measurement unit that measures and analyzes the network state in a passive measurement scheme; an autonomic management control unit that respectively receives the measured and analyzed results of the network from the active measurement unit and the passive measurement unit to determine the network state; and a transmission path control unit that receives a transmission path message from the autonomic management control unit to control a transmission path according to the transmission path message.

摘要翻译： 本发明涉及自主网络管理系统，其包括：主动测量单元，用于测量和分析主动测量方案中的网络状态; 被动测量单元，用于测量和分析被动测量方案中的网络状态; 自主管理控制单元，分别从主动测量单元和被动测量单元接收测量和分析的网络结果以确定网络状态; 以及传输路径控制单元，其从所述自主管理控制单元接收传输路径消息，以根据所述传输路径消息来控制传输路径。

公开(公告)号：US09000509B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13403065

申请日：2012-02-23

申请人： Ki-Hong Lee ,  Kwon Hong ,  Dae-Gyu Shin

发明人： Ki-Hong Lee ,  Kwon Hong ,  Dae-Gyu Shin

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

摘要： A nonvolatile memory device includes a pipe gate having a pipe channel hole; a plurality of interlayer insulation layers and a plurality of gate electrodes alternately stacked over the pipe gate; a pair of columnar cell channels passing through the interlayer insulation layers and the gate electrodes and coupling a pipe channel formed in the pile channel hole; a first blocking layer and a charge trapping and charge storage layer formed on sidewalls of the columnar cell channels; and a second blocking layer formed between the first blocking layer and the plurality of gate electrodes.

摘要翻译： 非易失性存储装置包括具有管道通道孔的管道浇口; 多个层间绝缘层和交替层叠在管栅上的多个栅电极; 一对穿过层间绝缘层和栅电极的柱状电池通道，并且耦合形成在通道孔中的管道; 第一阻挡层和形成在柱状细胞通道的侧壁上的电荷俘获和电荷存储层; 以及形成在第一阻挡层和多个栅电极之间的第二阻挡层。

公开(公告)号：US08989229B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US13486698

申请日：2012-06-01

申请人： Su Hwan Oh ,  Ki-Hong Yoon ,  Kisoo Kim ,  O-Kyun Kwon ,  Oh Kee Kwon ,  Byung-seok Choi ,  Jongbae Kim

发明人： Su Hwan Oh ,  Ki-Hong Yoon ,  Kisoo Kim ,  O-Kyun Kwon ,  Oh Kee Kwon ,  Byung-seok Choi ,  Jongbae Kim

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/026 ,  H01S5/14 ,  H01L33/20 ,  H01S5/022 ,  H01S5/062 ,  H01S5/10 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  G02B6/30 ,  G02B6/42

CPC分类号： H01L33/005 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/305 ,  G02B6/4206 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0058 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/141 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/176

摘要： Provided are a high-speed superluminescent diode, a method of manufacturing the same, and a wavelength-tunable external cavity laser including the same. The superluminescent diode includes a substrate having an active region and an optical mode size conversion region, waveguides including an ridge waveguide in the active region and a deep ridge waveguide in the optical mode size conversion region connected to the active waveguide, an electrode disposed on the ridge waveguide; planarizing layers disposed on sides of the ridge waveguide and the deep ridge waveguide on the substrate, and a pad electrically connected to the electrode, the pad being disposed on the planarizing layers outside the active waveguide.

摘要翻译： 提供了一种高速超发光二极管，其制造方法，以及包括该发光二极管的波长可调谐外腔激光器。 超发光二极管包括具有有源区和光模尺寸转换区的衬底，在有源区中包括脊波导的波导和连接到有源波导的光模尺寸转换区中的深脊波导， 脊波导; 设置在脊波导的侧面上的平坦化层和基板上的深脊波导，以及与该电极电连接的焊盘，该焊盘设置在有源波导的外侧的平坦化层上。

公开(公告)号：US08932526B2

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：US13599192

申请日：2012-08-30

申请人： Jae Ho Kim ,  Ki Hong Kim ,  Eun Gi Min ,  Dong Suk Lee ,  Ji-Yong Park ,  Yong Jun Jee

发明人： Jae Ho Kim ,  Ki Hong Kim ,  Eun Gi Min ,  Dong Suk Lee ,  Ji-Yong Park ,  Yong Jun Jee

IPC分类号： A61L9/00 ,  B60H3/00

CPC分类号： B60H3/0021 ,  B60H2003/0064

摘要： Provided is an apparatus for generating perfume for vehicles, and more particularly, an apparatus for generating perfume for vehicles capable of simplifying a configuration and increasing sealing ability to stably control perfume, by easily controlling a flow of air passing through a first perfume generating part and a second perfume generating part using a single rotating shaft.

摘要翻译： 本发明提供一种车辆用香水生成装置，更具体而言，是容易地控制通过第一香料生成部的空气流动，能够简化配置，提高密封能力，稳定地控制香水的车辆用香水装置， 使用单个旋转轴的第二香水产生部件。

公开(公告)号：US08878277B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13598528

申请日：2012-08-29

申请人： Ki Hong Lee ,  Seung Ho Pyi ,  Seok Min Jeon

发明人： Ki Hong Lee ,  Seung Ho Pyi ,  Seok Min Jeon

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

摘要： A 3D non-volatile memory device includes a pipe gate, at least one first channel layer including a first pipe channel layer formed in the pipe gate and a pair of first source side channel layer and first drain side channel layer connected to the first pipe channel layer, and at least one second channel layer including a second pipe channel layer formed in the pipe gate and positioned over the first pipe channel layer and a pair of second source side channel layer and second drain side channel layer connected to the second pipe channel layer.

摘要翻译： 3D非易失性存储器件包括管道浇口，至少一个第一沟道层，其包括形成在管道栅极中的第一管道沟道层，以及一对第一源极侧沟道层和与第一管道沟道连接的第一漏极侧沟道层 层，以及至少一个第二沟道层，其包括形成在管道浇口中并位于第一管道沟道层上的第二管道沟道层和连接到第二管道沟道层的一对第二源极侧沟道层和第二漏极侧沟道层 。

公开(公告)号：US20140320365A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：US14263251

申请日：2014-04-28

申请人： Yang-Ki Hong ,  Jaejin Lee

发明人： Yang-Ki Hong ,  Jaejin Lee

IPC分类号： H01Q1/38

CPC分类号： H01Q1/38 ,  H01Q1/20 ,  H01Q1/243 ,  H01Q1/521 ,  H01Q9/42 ,  H01Q21/28

摘要： A magnetic antenna structure has a substrate (e.g., a flexible printed circuit board (PCB) carrier), a magneto-dielectric (MD) layer, and an antenna radiator. The MD layer increases electromagnetic (EM) energy radiation by lowering the EM energy concentrated on the antenna substrate. The resonant frequency and antenna gain of the magnetic antenna structure are generally lower and higher, respectively, relative to dielectric antennas of comparable size. Thus, the magnetic antenna structure provides better miniaturization and high performance with good conformability.

摘要翻译： 磁性天线结构具有基板（例如柔性印刷电路板（PCB）载体），磁电介质（MD）层和天线辐射器。 MD层通过降低集中在天线基板上的EM能量来增加电磁（EM）能量辐射。 磁体天线结构的谐振频率和天线增益分别相对于相当尺寸的电介质天线分别越来越低。 因此，磁性天线结构提供更好的小型化和高性能以及良好的适应性。