公开(公告)号：US08029621B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12067714

申请日：2006-07-25

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4481

摘要： A raw material feeding device for feeding a gaseous raw material formed by sublimating a solid raw material to a film formation system includes a raw material container for holding the solid raw material therein, a first heating unit placed at a first side of the container, a second heating unit placed at a second side thereof, the first temperature control unit for conducting a first process of controlling the first and the second heating unit to make the temperature of the first side higher than that of the second side to thereby sublimate the solid raw material disposed at the first side, and the second temperature control unit for conducting a second process of controlling the first and the second heating unit to make the temperature of the second side higher than that of the first side to thereby sublimate the solid raw material disposed at the second side.

摘要翻译： 将通过将固体原料升华形成的气态原料供给到成膜系统的原料供给装置包括：将固体原料保持在其中的原料容器，放置在容器第一侧的第一加热单元， 放置在第二侧的第二加热单元，第一温度控制单元，用于进行控制第一和第二加热单元的第一过程，以使第一侧的温度高于第二侧的温度，从而使固体原料 设置在第一侧的材料和第二温度控制单元，用于进行控制第一和第二加热单元的第二过程，以使第二侧的温度高于第一侧的温度，从而使设置的固体原料升华 在第二边。

公开(公告)号：US07361595B2

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：US10471588

申请日：2002-03-14

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Susumu Arima ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Susumu Arima ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L28/65 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

摘要： A semiconductor substrate is placed in a predetermined processing vessel, and oxygen gas activated by, e.g. conversion into a plasma is supplied onto an insulating film. The surfaces of an interlevel insulating film and insulating film are exposed to the activated oxygen gas. After that, a transition metal film, e.g. a ruthenium film, is formed by CVD.

摘要翻译： 将半导体衬底放置在预定的处理容器中，并且通过例如氧化铝活化的氧气。 将转换成等离子体供给到绝缘膜上。 层间绝缘膜和绝缘膜的表面暴露于活性氧气。 之后，过渡金属膜，例如 通过CVD形成钌膜。

公开(公告)号：US06989321B2

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：US10673908

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Masahito Sugiura ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method for depositing metal layers on semiconductor substrates by a thermal chemical vapor deposition (TCVD) process includes introducing a process gas containing a metal carbonyl precursor in a process chamber and depositing a metal layer on a substrate. The TCVD process utilizes a short residence time for the gaseous species in the processing zone above the substrate to form a low-resistivity metal layer. In one embodiment of the invention, the metal carbonyl precursor can be selected from at least one of W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, Cr(CO)6, and Ru3(CO)12 precursors. In another embodiment of the invention, a method is provided for depositing low-resistivity W layers at substrate temperatures below about 500° C., by utilizing a residence time less than about 120 msec.

摘要翻译： 通过热化学气相沉积（TCVD）方法在金属层上沉积金属层的方法包括在处理室中引入含有羰基金属前驱体的工艺气体并在基底上沉积金属层。 TCVD工艺利用在衬底上方的处理区域中的气态物质的短暂停留时间以形成低电阻率金属层。 在本发明的一个实施方案中，羰基金属前体可以选自W（CO）6，Ni（CO）4，Mo（CO） CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2，CO 2， Re（CO）10，Cr（CO）6和Ru 3（CO）3， 12个前体。 在本发明的另一个实施例中，提供了一种通过利用小于约120毫秒的停留时间在低于约500℃的衬底温度下沉积低电阻W层的方法。

公开(公告)号：US20050233079A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11155575

申请日：2005-06-20

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/02 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method of forming a metal film using a metal carbonyl compound as a material is disclosed that includes the steps of: (a) introducing a reactive gas into a space near a surface of a substrate to be processed; and (b) introducing a gaseous phase material including the metal carbonyl compound into the space on the surface of the substrate to be processed, and depositing the metal film on the surface of the substrate to be processed after step (a). Step (a) is executed in such a manner as to prevent substantial deposition of the metal film on the substrate to be processed.

摘要翻译： 公开了使用羰基金属化合物作为材料形成金属膜的方法，其包括以下步骤：（a）将反应性气体引入待处理的基板的表面附近的空间; 和（b）将包含羰基金属化合物的气相材料引入到待处理基板的表面上的空间中，并且在步骤（a）之后将金属膜沉积在待处理基板的表面上。 执行步骤（a），以防止金属膜在待处理的基板上的大量沉积。

公开(公告)号：US06436203B1

公开(公告)日：2002-08-20

申请号：US09551393

申请日：2000-04-18

申请人： Takeshi Kaizuka ,  Takashi Horiuchi ,  Masami Mizukami ,  Takashi Mochizuki ,  Yumiko Kawano ,  Hideaki Yamasaki

发明人： Takeshi Kaizuka ,  Takashi Horiuchi ,  Masami Mizukami ,  Takashi Mochizuki ,  Yumiko Kawano ,  Hideaki Yamasaki

IPC分类号： B05D136

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/20 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

摘要： The present invention provides a CVD apparatus and a CVD method for use in forming an Al/Cu multilayered film. The Al/Cu multilayered film is formed in the CVD apparatus comprising a chamber for placing a semiconductor wafer W, a susceptor for mounting the semiconductor wafer W thereon, an Al raw material supply system for introducing a gasified Al raw material into the chamber and a Cu raw material supply system for introducing a gasified Cu raw material into the chamber. The Al/Cu multilayered film is formed by repeating a series of steps consisting of introducing the Al raw material gas into the chamber, depositing the Al film on the semiconductor wafer W by a CVD method, followed by generating a plasma in the chamber in which the Cu raw material gas has been introduced and depositing the Cu film on the semiconductor wafer W by a CVD method. The Al/Cu multilayered film thus obtained is subjected to a heating treatment (annealing), thereby forming a desired Al/Cu multilayered film.

摘要翻译： 本发明提供了用于形成Al / Cu多层膜的CVD装置和CVD方法。 在包括用于放置半导体晶片W的室，用于安装半导体晶片W的基座的CVD装置中形成Al / Cu多层膜，用于将气化的Al原料引入到室中的Al原料供给系统 Cu原料供给系统，用于将气化的Cu原料引入室中。 Al / Cu多层膜通过重复一系列步骤而形成，该步骤包括将Al原料气体引入室中，通过CVD法将Al膜沉积在半导体晶片W上，随后在室中产生等离子体，其中 引入Cu原料气体并通过CVD法将Cu膜沉积在半导体晶片W上。 对这样得到的Al / Cu多层膜进行加热处理（退火），形成所需的Al / Cu多层膜。

公开(公告)号：US20090197410A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12306096

申请日：2007-06-21

申请人： Kazuhito Nakamura ,  Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano

发明人： Kazuhito Nakamura ,  Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： H01L21/443

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517

摘要： A substrate is disposed in a processing chamber. An organic Ta compound gas having Ta═N bond, a Si-containing gas and a N-containing gas are introduced into the processing chamber to form a TaSiN film on the substrate by CVD. In this film formation, at least one of a partial pressure of the Si-containing gas in the processing chamber, a total pressure in the processing chamber, a film forming temperature and a partial pressure of the N-containing gas in the processing chamber is controlled to thereby regulate Si concentration in the film. Particularly, when SiH4 gas is used as the Si-containing gas, the SiH4 gas partial pressure is determined based on the fact that the serried Si concentration in the film under giving process conditions can be expressed as a linear function involving the logarithm of the partial pressure of the SiH4 gas.

摘要翻译： 衬底设置在处理室中。 将具有Ta-N键的有机Ta化合物气体，含Si气体和含N气体引入到处理室中，通过CVD在衬底上形成TaSiN膜。 在该膜形成中，处理室中的含Si气体的分压，处理室中的总压，成膜温度和处理室中的含N气体的分压中的至少一个为 从而调节膜中的Si浓度。 特别地，当使用SiH 4气体作为含Si气体时，SiH 4气体分压基于以下事实来确定：在给定工艺条件下膜中的塞状Si浓度可以表示为包括部分的对数的线性函数 SiH4气体的压力。

公开(公告)号：US07482283B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US10450161

申请日：2001-12-11

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

摘要： The present invention relates to a method and apparatus for forming a thin film using the ALD process. Prior to the ALD process where each of a plurality of source gasses is supplied one by one, plural times, a pretreatment process is performed in which the source gasses are simultaneously supplied to shorten an incubation period and improve throughput.

摘要翻译： 本发明涉及使用ALD工艺形成薄膜的方法和装置。 在ALD过程之前，一个接一个地提供多个源气体中的每一个，多次进行预处理过程，其中同时供给源气体以缩短潜伏期并提高生产量。

公开(公告)号：US06924223B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10673646

申请日：2003-09-30

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra ,  Andrew H Simon ,  John J Yurkas

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tsukasa Matsuda ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano ,  Mitsuhiro Tachibana ,  Koumei Matsuzava ,  Yumiko Kawano ,  Gert J Leusink ,  Fenton R McFeely ,  Sandra G. Malhotra ,  Andrew H Simon ,  John J Yurkas

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.

摘要翻译： 提供了一种使用间歇式前体气体流动方法在基板上形成金属层的方法。 该方法包括将衬底暴露于还原气体，同时将衬底暴露于羰基金属前体气体的脉冲。 进行该过程，直到在基底上形成具有所需厚度的金属层。 金属层可以形成在基板上，或者可以在金属成核层上形成金属层。

公开(公告)号：US20090291549A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12097418

申请日：2006-11-24

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Koji Akiyama ,  Kazuyoshi Yamazaki ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Koji Akiyama ,  Kazuyoshi Yamazaki ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： H01L21/26 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

摘要： On a Si substrate 1, i.e., a semiconductor substrate, a gate insulating film 2 is formed, and then a W-based film 3a is formed on the gate insulating film 2 by CVD using a film forming gas including W(CO)6 gas. Then, the film is oxidized under existence of a reducing gas, and the W in the W-based film 3a is not oxidized but only C is selectively oxidized to reduce the concentration of C contained in the W-based film 3a. Then, after performing heat treatment as needed, resist coating, patterning, etching and the like are performed, and, an impurity diffused region 10 is formed by ion implantation and the like, and a semiconductor device having a MOS structure is formed.

摘要翻译： 在Si衬底1即半导体衬底上形成栅极绝缘膜2，然后通过CVD使用包含W（CO）6气体的成膜气体在栅极绝缘膜2上形成W基膜3a 。 然后，在存在还原气体的情况下，膜被氧化，W基膜3a中的W不被氧化，只有选择性地氧化C以降低W基膜3a中所含的C浓度。 然后，根据需要进行热处理后，进行抗蚀剂涂布，图案化，蚀刻等，通过离子注入等形成杂质扩散区域10，形成具有MOS结构的半导体器件。

公开(公告)号：US20090140353A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12083962

申请日：2006-10-24

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： H01L29/78 ,  C23C16/54 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： The present invention is a method of film deposition that comprises a film-depositing step of supplying a high-melting-point organometallic material gas and a nitrogen-containing gas to a processing vessel that can be evacuated, so as to deposit a thin film of a metallic compound of a high-melting-point metal on a surface of an object to be processed placed in the processing vessel. A partial pressure of the nitrogen-containing gas during the film-depositing step is 17% or lower, in order to increase carbon density contained in the thin film.

摘要翻译： 本发明是一种薄膜沉积方法，该方法包括一个成膜步骤，该方法是向可抽真空的处理容器提供高熔点有机金属材料气体和含氮气体，从而沉积一层薄膜 处理容器内的待处理物体表面上的高熔点金属的金属化合物。 为了提高薄膜中所含的碳密度，在成膜步骤中含氮气体的分压为17％以下。