公开(公告)号：US09315414B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US14701053

申请日：2015-04-30

Applicant: Intermolecular Inc.

Inventor： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Minh Huu Le ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun

IPC: C03C17/02 ,  C03C17/245 ,  C03C17/36 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/26 ,  C03C2217/281

Abstract: Embodiments provided herein describe a low-e panel and a method for forming a low-e panel. A transparent substrate is provided. A metal oxide layer is formed over the transparent substrate. The metal oxide layer includes a first element, a second element, and a third element. A reflective layer is formed over the transparent substrate. The first element may include tin or zinc. The second element and the third element may each include tin, zinc, antimony, silicon, strontium, titanium, niobium, zirconium, magnesium, aluminum, yttrium, lanthanum, hafnium, or bismuth. The metal oxide layer may also include nitrogen.

Abstract translation: 本文提供的实施例描述了低e面板和形成低e面板的方法。 提供透明基板。 在透明基板上形成金属氧化物层。 金属氧化物层包括第一元件，第二元件和第三元件。 在透明基板上形成反射层。 第一元素可以包括锡或锌。 第二元素和第三元素可以各自包括锡，锌，锑，硅，锶，钛，铌，锆，镁，铝，钇，镧，铪或铋。 金属氧化物层也可以包括氮。

公开(公告)号：US20150187982A1

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：US14141408

申请日：2013-12-26

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Sergey Barabash ,  Amir Bayati ,  Dipankar Pramanik ,  Zhi-Wen Sun

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1832 ,  C23C14/0629 ,  C23C16/305 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Embodiments provided herein describe methods for forming cadmium-manganese-telluride (CMT), such as for use in photovoltaic devices. A substrate including a material with a zinc blende crystalline structure is provided. CMT is formed above the substrate. During the formation of the CMT, cation-rich processing conditions are maintained. The resulting CMT may be more readily provided with p-type dopants when compared to conventionally-formed CMT.

Abstract translation: 本文提供的实施方案描述了形成碲化锰 - 碲化物（CMT）的方法，例如用于光伏器件中的方法。 提供了包括具有闪锌矿晶体结构的材料的基板。 CMT形成在衬底之上。 在CMT的形成过程中，维持富阳离子处理条件。 当与常规形成的CMT相比时，所得到的CMT可以更容易地被提供有p型掺杂剂。

公开(公告)号：US09023137B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US14013760

申请日：2013-08-29

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Bob Kong ,  Igor Ivanov ,  Zhi-Wen Sun ,  Jinhong Tong

IPC: C23C18/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  C23C18/18 ,  C23C18/16 ,  H01L27/105 ,  H01L49/02

CPC classification number: C23C18/44 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1844 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7687 ,  H01L27/1052 ,  H01L28/65 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/24917

Abstract: Embodiments of the current invention describe a method of plating platinum selectively on a copper film using a self-initiated electroless process. In particular, platinum films are plated onto very thin copper films having a thickness of less than 300 angstroms. The electroless plating solution and the resulting structure are also described. This process has applications in the semiconductor processing of logic devices, memory devices, and photovoltaic devices.

Abstract translation: 本发明的实施方案描述了使用自引发的无电镀方法在铂膜上选择性镀铂的方法。 特别地，铂膜被镀在厚度小于300埃的非常薄的铜膜上。 还描述了化学镀溶液和所得结构。 该方法在逻辑器件，存储器件和光伏器件的半导体处理中具有应用。

公开(公告)号：US08906709B1

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US14138797

申请日：2013-12-23

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Khaled Ahmed ,  Frank Greer ,  George Mirth ,  Zhi-Wen Sun

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/20

Abstract: Provided are methods of high productivity combinatorial (HPC) inspection of semiconductor substrates. A substrate includes two layers of dissimilar materials interfacing each other, such as a stack of a silicon bottom layer and an indium gallium arsenide top layer. The dissimilar materials have one or more of thermal, structural, and lattice mismatches. As a part of the inspection, the top layer is etched in a combinatorial manner. Specifically, the top layer is divided into multiple different site-isolated regions. One such region may be etched using different process conditions from another region. Specifically, etching temperature, etching duration and/or etchant composition may vary among the site-isolated regions. After combinatorial etching, each region is inspected to determine its etch-pit density (EPD) value. These values may be then analyzed to determine an overall EPD value for the substrate, which may involve discarding EPD values for over-etched and under-etched regions.

Abstract translation: 提供了半导体衬底的高生产率组合（HPC）检验方法。 衬底包括彼此相互接合的两层不同材料，例如硅底层和砷化铟镓顶层的叠层。 不同材料具有热，结构和晶格失配中的一种或多种。 作为检查的一部分，顶层以组合方式蚀刻。 具体来说，顶层被分成多个不同的位置隔离区域。 可以使用与另一区域不同的工艺条件来蚀刻一个这样的区域。 具体地，蚀刻温度，蚀刻持续时间和/或蚀刻剂组成可以在位置隔离区域之间变化。 在组合蚀刻之后，检查每个区域以确定其蚀刻坑密度（EPD）值。 然后可以分析这些值以确定衬底的整体EPD值，这可能涉及丢弃过蚀刻和欠蚀刻区域的EPD值。

公开(公告)号：US08900423B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US13715988

申请日：2012-12-14

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Guowen Ding ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Sun ,  Yu Wang

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  C01B35/10 ,  B05D5/06 ,  G02B1/11

CPC classification number: B05D5/061 ,  C01B35/10 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/732 ,  C03C2218/155 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  G02B1/113

Abstract: A method for forming boron oxide films formed using reactive sputtering. The boron oxide films are candidates as an anti-reflection coating. Boron oxide films with a refractive index of about 1.38 can be formed. The boron oxide films can be formed using power densities between 2 W/cm2 and 11 W/cm2 applied to the target. The oxygen in the reactive sputtering atmosphere can be between 40 volume % and 90 volume %.

Abstract translation: 一种用反应溅射形成氧化硼膜的方法。 氧化硼膜是抗反射涂层的候选物。 可以形成折射率为约1.38的氧化硼膜。 可以使用施加到目标的2W / cm 2和11W / cm 2之间的功率密度来形成氧化硼膜。 反应性溅射气氛中的氧可以在40体积％至90体积％之间。

公开(公告)号：US20140170049A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US13715988

申请日：2012-12-14

Applicant: INTERMOLECULAR, INC.

Inventor： Guowen Ding ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Minh Huu Le ,  Zhi-Wen Sun ,  Yu Wang

IPC: B05D5/06 ,  G02B1/11

CPC classification number: B05D5/061 ,  C01B35/10 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/732 ,  C03C2218/155 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34 ,  G02B1/113

Abstract: A method for forming boron oxide films formed using reactive sputtering. The boron oxide films are candidates as an anti-reflection coating. Boron oxide films with a refractive index of about 1.38 can be formed. The boron oxide films can be formed using power densities between 2 W/cm2 and 11 W/cm2 applied to the target. The oxygen in the reactive sputtering atmosphere can be between 40 volume % and 90 volume %.

Abstract translation: 一种用反应溅射形成氧化硼膜的方法。 氧化硼膜是抗反射涂层的候选物。 可以形成折射率为约1.38的氧化硼膜。 可以使用施加到目标的2W / cm 2和11W / cm 2之间的功率密度来形成氧化硼膜。 反应性溅射气氛中的氧可以在40体积％至90体积％之间。

公开(公告)号：US20140007938A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US14019413

申请日：2013-09-05

Applicant: Intermolecular, Inc.

Inventor： Haifan Liang ,  Zhi-Wen Sun ,  Jeroen Van Duren

IPC: H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: A method for forming copper indium gallium (sulfide) selenide (CIGS) solar cells, cadmium telluride (CdTe) solar cells, and copper zinc tin (sulfide) selenide (CZTS) solar cells using laser annealing techniques to anneal the absorber and/or the buffer layers. Laser annealing may result in better crystallinity, lower surface roughness, larger grain size, better compositional homogeneity, a decrease in recombination centers, and increased densification. Additionally, laser annealing may result in the formation of non-equilibrium phases with beneficial results.

Abstract translation: 使用激光退火技术形成铜铟镓（硫化物）硒化物（CIGS）太阳能电池，碲化镉（CdTe）太阳能电池和铜锌锡（硫化物）硒化物（CZTS））太阳能电池的方法来使吸收体和/或 缓冲层。 激光退火可能导致更好的结晶度，更低的表面粗糙度，更大的晶粒尺寸，更好的组成均匀性，复合中心的减少和增加的致密化。 另外，激光退火可能导致形成非平衡相，有利的结果。