公开(公告)号：US08901694B2

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：US13614730

申请日：2012-09-13

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Joong-Han Shin ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Joong-Han Shin ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  G02B6/00 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42

CPC分类号： G02B6/4206 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4201 ,  G02B6/4204 ,  H01L31/0232

摘要： An optical input/output (I/O) device is provided. The device includes a substrate including an upper trench; a waveguide disposed within the upper trench of the substrate; a photodetector disposed within the upper trench of the substrate and comprising a first end surface optically connected to an end surface of the waveguide; and a light-transmitting insulating layer interposed between the end surface of the waveguide and the first end surface of the photodetector.

摘要翻译： 提供光输入/输出（I / O）设备。 该装置包括：包括上沟槽的衬底; 布置在所述衬底的上沟槽内的波导; 光电检测器，设置在所述衬底的上沟槽内，并且包括光学连接到所述波导的端面的第一端面; 以及插入在波导的端面与光检测器的第一端面之间的透光绝缘层。

公开(公告)号：US08873901B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13494445

申请日：2012-06-12

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/30 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42

CPC分类号： G02B6/305 ,  G02B6/124 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4204 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12147

摘要： Optical input/output (I/O) devices, which include a substrate including a trench, a waveguide within the trench of the substrate; and a photodetector within the trench and optically connected to the waveguide. An upper surface of the photodetector is at a same level as an upper surface of the waveguide.

摘要翻译： 光输入/输出（I / O）器件，其包括衬底，其包括沟槽，衬底的沟槽内的波导; 以及在沟槽内的光电检测器，并且光学连接到波导。 光检测器的上表面与波导的上表面处于同一水平。

公开(公告)号：US08736018B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13314575

申请日：2011-12-08

申请人： Kyoung-Hee Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Kyu-Hee Han ,  Byung-Lyul Park ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Hoon Ahn ,  Kwang-Jin Moon

发明人： Kyoung-Hee Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Kyu-Hee Han ,  Byung-Lyul Park ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Hoon Ahn ,  Kwang-Jin Moon

IPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device comprises a top surface having a first contact, a bottom surface having a second contact, a via hole penetrating a substrate, an insulation layer structure on a sidewall of the via hole, the insulation layer structure having an air gap therein, a through electrode having an upper surface and a lower surface on the insulation layer structure, the through electrode filling the via hole and the lower surface being the second contact, and a metal wiring electrically connected to the upper surface of the through electrode and electrically connected to the first contact.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一触点的顶表面，具有第二触点的底表面，穿透基板的通孔，在通孔的侧壁上的绝缘层结构，其中具有气隙的绝缘层结构， 所述贯通电极在所述绝缘层结构上具有上表面和下表面，所述贯通电极填充所述通孔，所述下表面是所述第二接触，以及金属布线，电连接到所述通孔的上表面，并电连接到 第一次接触。

公开(公告)号：US08390120B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12913748

申请日：2010-10-27

申请人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a via structure and a conductive structure. The via structure has a surface with a planar portion and a protrusion portion. The conductive structure is formed over at least part of the planar portion and not over at least part of the protrusion portion of the via structure. For example, the conductive structure is formed only onto the planar portion and not onto any of the protrusion portion for forming high quality connection between the conductive structure and the via structure.

摘要翻译： 半导体器件包括通孔结构和导电结构。 通孔结构具有平坦部分和突出部分的表面。 导电结构形成在平面部分的至少一部分上，而不是在通孔结构的突出部分的至少一部分之上。 例如，导电结构仅形成在平面部分上，而不形成在任何突出部分上，用于在导电结构和通孔结构之间形成高质量的连接。

公开(公告)号：US06211082B1

公开(公告)日：2001-04-03

申请号：US09021462

申请日：1998-02-10

申请人： Bong-young Yoo ,  Byung-Lyul Park ,  Dae-hong Ko ,  Sang-in Lee

发明人： Bong-young Yoo ,  Byung-Lyul Park ,  Dae-hong Ko ,  Sang-in Lee

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： C23C16/08 ,  H01L21/28568

摘要： A tungsten or other metal layer is chemical vapor deposited using a source gas containing tungsten, a reducing gas and a nitrogen-containing gas. The nitrogen-containing gas can act as a surface roughness reducing gas that reduces the roughness of the tungsten layer compared to a tungsten layer that is chemical vapor deposited using the source gas containing tungsten and the reducing gas, but without using the surface roughness reducing gas. Viewed in another way, the nitrogen-containing gas acts as a growth rate controlling gas that produces uniform growth of the tungsten layer in a plurality of directions compared to a tungsten layer that is deposited using the source gas containing tungsten and the reducing gas, but without using the growth rate controlling gas.

摘要翻译： 使用含有钨，还原气体和含氮气体的源气体化学气相沉积钨或其它金属层。 与使用含有钨和还原气体的源气体进行化学气相沉积的钨层相比，含氮气体可以用作表面粗糙度降低气体，其降低钨层的粗糙度，但不使用表面粗糙度还原气体 。 以另一种方式看，与使用含钨和还原气体的源气体沉积的钨层相比，含氮气体充当生长速率控制气体，其产生钨层在多个方向上的均匀生长，但是 而不用生长速率控制气体。

公开(公告)号：US20140021633A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：US13919580

申请日：2013-06-17

申请人： Do-Sun Lee ,  Kun-Sang Park ,  Byung-Lyul Park ,  Seong-min Son ,  Gil-heyun Choi

发明人： Do-Sun Lee ,  Kun-Sang Park ,  Byung-Lyul Park ,  Seong-min Son ,  Gil-heyun Choi

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device including a through-silicon-via (TSV) structure and methods of manufacturing the same are provided. The integrated circuit device may include the TSV structure penetrating through a semiconductor structure. The TSV structure may include a first through electrode unit including impurities of a first concentration and a second through electrode unit including impurities of a second concentration greater than the first concentration.

摘要翻译： 提供了一种包括贯穿硅通孔（TSV）结构的集成电路器件及其制造方法。 集成电路器件可以包括穿透半导体结构的TSV结构。 TSV结构可以包括包括第一浓度的杂质的第一通过电极单元和包括大于第一浓度的第二浓度的杂质的第二通过电极单元。

公开(公告)号：US08546162B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13243763

申请日：2011-09-23

申请人： Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Pil-Kyu Kang ,  Gil-Heyun Choi ,  Kwang-Jin Moon

发明人： Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Pil-Kyu Kang ,  Gil-Heyun Choi ,  Kwang-Jin Moon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G02B6/138 ,  G02B6/136

摘要： A method for forming a light guide layer with improved transmission reliability in a semiconductor substrate, the method including forming a trench in the semiconductor substrate, forming a cladding layer and a preliminary light guide layer in the trench such that only one of opposite side end portions of the preliminary light guide layer is in contact with an inner sidewall of the trench, and performing a thermal treatment on the substrate to change the preliminary light guide layer into the light guide layer.

摘要翻译： 一种在半导体衬底中形成具有改善的透射可靠性的导光层的方法，所述方法包括在所述半导体衬底中形成沟槽，在所述沟槽中形成包覆层和预备导光层，使得只有一个相对侧端部 所述预备光导层与所述沟槽的内侧壁接触，并对所述基板进行热处理，以将所述初步导光层改变为所述导光层。

公开(公告)号：US20120314991A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13412210

申请日：2012-03-05

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L29/06

CPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/43

摘要： Semiconductor devices having an optical transceiver include a cladding on a substrate, a protrusion vertically extending trough the cladding and materially in continuity with the substrate, and a coupler on the cladding and the protrusion.

摘要翻译： 具有光收发器的半导体器件包括在衬底上的包层，垂直延伸穿过覆层并与衬底物理连续的突起，以及在包层和突起上的耦合器。

公开(公告)号：US20110318923A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12913753

申请日：2010-10-27

申请人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76801 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541

摘要： For forming a semiconductor device, a via structure is formed through at least one dielectric layer and at least a portion of a substrate. In addition, a protective buffer layer is formed onto the via structure. Furthermore, a conductive structure for an integrated circuit is formed over the substrate after forming the via structure and the protective buffer layer, with the conductive structure not being formed over the via structure. Thus, deterioration of the conductive and via structures is minimized.

摘要翻译： 为了形成半导体器件，通过至少一个电介质层和至少一部分衬底形成通孔结构。 此外，在通孔结构上形成保护缓冲层。 此外，在形成通孔结构和保护缓冲层之后，在衬底上形成用于集成电路的导电结构，其中导电结构不在过孔结构上形成。 因此，导电和通孔结构的劣化被最小化。

公开(公告)号：US20070122969A1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：US11627139

申请日：2007-01-25

申请人： Jung-Hwan Oh ,  Byung-Lyul Park ,  Hong-Seong Son

发明人： Jung-Hwan Oh ,  Byung-Lyul Park ,  Hong-Seong Son

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

摘要： A contact structure includes a lower conductive pattern disposed on a predetermined region of a semiconductor substrate. The lower conductive layer has a concave region at a predetermined region of a top surface thereof. An embedding conductive layer fills the concave region. The top surface of the embedding conductive layer is placed at least as high as the height of the flat top surface of the lower conductive pattern. A mold layer is disposed to cover the semiconductor substrate, the lower conductive pattern and the embedding conductive layer. An upper conductive pattern is arranged in an intaglio pattern. The intaglio pattern is disposed in the mold layer to expose a predetermined region of the embedding conductive layer.

摘要翻译： 接触结构包括设置在半导体衬底的预定区域上的下导电图案。 下导电层在其顶表面的预定区域具有凹区。 嵌入导电层填充凹区域。 嵌入导电层的顶表面至少与下导电图案的平坦顶表面的高度一样高。 模具层设置成覆盖半导体衬底，下导电图案和嵌入导电层。 上部导电图案以凹版图案布置。 凹版图案设置在模具层中以暴露嵌入导电层的预定区域。