公开(公告)号：US20140021633A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：US13919580

申请日：2013-06-17

申请人： Do-Sun Lee ,  Kun-Sang Park ,  Byung-Lyul Park ,  Seong-min Son ,  Gil-heyun Choi

发明人： Do-Sun Lee ,  Kun-Sang Park ,  Byung-Lyul Park ,  Seong-min Son ,  Gil-heyun Choi

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device including a through-silicon-via (TSV) structure and methods of manufacturing the same are provided. The integrated circuit device may include the TSV structure penetrating through a semiconductor structure. The TSV structure may include a first through electrode unit including impurities of a first concentration and a second through electrode unit including impurities of a second concentration greater than the first concentration.

摘要翻译： 提供了一种包括贯穿硅通孔（TSV）结构的集成电路器件及其制造方法。 集成电路器件可以包括穿透半导体结构的TSV结构。 TSV结构可以包括包括第一浓度的杂质的第一通过电极单元和包括大于第一浓度的第二浓度的杂质的第二通过电极单元。

公开(公告)号：US08497157B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US13459468

申请日：2012-04-30

申请人： Kwang-Jin Moon ,  Byung-Lyul Park ,  Do-Sun Lee ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Kwang-Jin Moon ,  Byung-Lyul Park ,  Do-Sun Lee ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311

摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device, a front end of line (FEOL) process may be performed on a semiconductor substrate to form a semiconductor structure. A back end of line (BEOL) process may be performed on the semiconductor substrate to form a wiring structure electrically connected to the semiconductor structure, thereby formed a semiconductor chip. A hole may be formed through a part of the semiconductor chip. A preliminary plug may have a dimple in the hole. The preliminary plug may be expanded into the dimple by a thermal treatment process to form a plug. Thus, the plug may not have a protrusion protruding from the upper surface of the semiconductor chip, so that the plug may be formed by the single CMP process.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，可以在半导体衬底上执行前端（FEOL）工艺以形成半导体结构。 可以在半导体基板上进行后端（BEOL）处理，以形成与半导体结构电连接的布线结构，从而形成半导体芯片。 可以通过半导体芯片的一部分形成孔。 初步插头可能在孔中有一个凹坑。 预先塞子可以通过热处理过程扩展到凹坑中以形成塞子。 因此，插头可以不具有从半导体芯片的上表面突出的突起，从而可以通过单个CMP工艺形成插头。

公开(公告)号：US08847399B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13287317

申请日：2011-11-02

申请人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L23/40 ,  H01L21/768 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76801 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541

摘要： For forming a semiconductor device, a via structure is formed through at least one dielectric layer and at least a portion of a substrate. In addition, a protective buffer layer is formed onto the via structure. Furthermore, a conductive structure for an integrated circuit is formed over the substrate after forming the via structure and the protective buffer layer, with the conductive structure not being formed over the via structure. Thus, deterioration of the conductive and via structures is minimized.

摘要翻译： 为了形成半导体器件，通过至少一个电介质层和至少一部分衬底形成通孔结构。 此外，在通孔结构上形成保护缓冲层。 此外，在形成通孔结构和保护缓冲层之后，在衬底上形成用于集成电路的导电结构，其中导电结构不在过孔结构上形成。 因此，导电和通孔结构的劣化被最小化。

公开(公告)号：US20140217603A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：US13756593

申请日：2013-02-01

申请人： Kwang-jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Kwang-jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a via structure and a conductive structure. The via structure has a surface with a planar portion and a protrusion portion. The conductive structure is formed over at least part of the planar portion and not over at least part of the protrusion portion of the via structure. For example, the conductive structure is formed only onto the planar portion and not onto any of the protrusion portion for forming high quality connection between the conductive structure and the via structure.

摘要翻译： 半导体器件包括通孔结构和导电结构。 通孔结构具有平坦部分和突出部分的表面。 导电结构形成在平面部分的至少一部分上，而不是在通孔结构的突出部分的至少一部分之上。 例如，导电结构仅形成在平面部分上，而不形成在任何突出部分上，用于在导电结构和通孔结构之间形成高质量的连接。

公开(公告)号：US08592310B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13240040

申请日：2011-09-22

申请人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Suk-Chul Bang ,  Kwang-Jin Moon ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： In methods of manufacturing a semiconductor device, a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface is prepared. A sacrificial layer pattern is formed in a region of the substrate that a through electrode will be formed. The sacrificial layer pattern extends from the first surface of the substrate in a thickness direction of the substrate. An upper wiring layer is formed on the first surface of the substrate. The upper wiring layer includes a wiring on the sacrificial layer pattern. The second surface of the substrate is partially removed to expose the sacrificial layer pattern. The sacrificial layer pattern is removed from the second surface of the substrate to form an opening that exposes the wiring. A through electrode is formed in the opening to be electrically connected to the wiring.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，制备具有与第一表面相对的第一表面和第二表面的衬底。 在基板的形成有通孔的区域中形成牺牲层图案。 牺牲层图案在基板的厚度方向上从基板的第一表面延伸。 在衬底的第一表面上形成上部布线层。 上部布线层包括牺牲层图案上的布线。 部分去除衬底的第二表面以暴露牺牲层图案。 牺牲层图案从基板的第二表面移除以形成露出布线的开口。 通孔形成在开口中以与布线电连接。

公开(公告)号：US08581334B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12910019

申请日：2010-10-22

申请人： Dong-Chan Lim ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Sang-Hoon Ahn ,  Jong-Myeong Lee

发明人： Dong-Chan Lim ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Sang-Hoon Ahn ,  Jong-Myeong Lee

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05552

摘要： A via structure may include a first conductive pattern, a buffer pattern, and a second conductive pattern. The first conductive pattern may be on an inner wall of a first substrate and the inner wall may define a via hole passing at least partially through the first substrate. The buffer pattern may be on the first conductive pattern and the buffer pattern may partially fill the via hole. The second conductive pattern may be on a top surface of the buffer pattern in the via hole.

摘要翻译： 通孔结构可以包括第一导电图案，缓冲图案和第二导电图案。 第一导电图案可以在第一基板的内壁上，并且内壁可以限定通过至少部分地穿过第一基板的通孔。 缓冲图案可以在第一导电图案上，并且缓冲图案可以部分地填充通孔。 第二导电图案可以在通孔中的缓冲图案的顶表面上。

公开(公告)号：US20110316168A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12913748

申请日：2010-10-27

申请人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a via structure and a conductive structure. The via structure has a surface with a planar portion and a protrusion portion. The conductive structure is formed over at least part of the planar portion and not over at least part of the protrusion portion of the via structure. For example, the conductive structure is formed only onto the planar portion and not onto any of the protrusion portion for forming high quality connection between the conductive structure and the via structure.

摘要翻译： 半导体器件包括通孔结构和导电结构。 通孔结构具有平坦部分和突出部分的表面。 导电结构形成在平面部分的至少一部分上，而不是在通孔结构的突出部分的至少一部分之上。 例如，导电结构仅形成在平面部分上，而不形成在任何突出部分上，用于在导电结构和通孔结构之间形成高质量的连接。

公开(公告)号：US08546162B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13243763

申请日：2011-09-23

申请人： Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Pil-Kyu Kang ,  Gil-Heyun Choi ,  Kwang-Jin Moon

发明人： Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Pil-Kyu Kang ,  Gil-Heyun Choi ,  Kwang-Jin Moon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G02B6/138 ,  G02B6/136

摘要： A method for forming a light guide layer with improved transmission reliability in a semiconductor substrate, the method including forming a trench in the semiconductor substrate, forming a cladding layer and a preliminary light guide layer in the trench such that only one of opposite side end portions of the preliminary light guide layer is in contact with an inner sidewall of the trench, and performing a thermal treatment on the substrate to change the preliminary light guide layer into the light guide layer.

摘要翻译： 一种在半导体衬底中形成具有改善的透射可靠性的导光层的方法，所述方法包括在所述半导体衬底中形成沟槽，在所述沟槽中形成包覆层和预备导光层，使得只有一个相对侧端部 所述预备光导层与所述沟槽的内侧壁接触，并对所述基板进行热处理，以将所述初步导光层改变为所述导光层。

公开(公告)号：US20120314991A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13412210

申请日：2012-03-05

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L29/06

CPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/43

摘要： Semiconductor devices having an optical transceiver include a cladding on a substrate, a protrusion vertically extending trough the cladding and materially in continuity with the substrate, and a coupler on the cladding and the protrusion.

摘要翻译： 具有光收发器的半导体器件包括在衬底上的包层，垂直延伸穿过覆层并与衬底物理连续的突起，以及在包层和突起上的耦合器。

公开(公告)号：US08278207B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12688557

申请日：2010-01-15

申请人： Jin-Ho Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Jong-Myeong Lee ,  Zung-Sun Choi ,  Hye-Kyung Jung

发明人： Jin-Ho Park ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Jong-Myeong Lee ,  Zung-Sun Choi ,  Hye-Kyung Jung

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device can include an insulation layer on that is on a substrate on which a plurality of lower conductive structures are formed, where the insulation layer has an opening. A barrier layer is on a sidewall and a bottom of the opening of the insulation layer, where the barrier layer includes a first barrier layer in which a constituent of a first deoxidizing material is richer than a metal material in the first barrier layer and a second barrier layer in which a metal material in the second barrier layer is richer than a constituent of a second deoxidizing material. An interconnection is in the opening of which the sidewall and the bottom are covered with the barrier layer, the interconnection is electrically connected to the lower conductive structure.

摘要翻译： 半导体器件可以包括在其上形成有多个下导电结构的基板上的绝缘层，其中绝缘层具有开口。 阻挡层位于绝缘层的开口的侧壁和底部上，其中阻挡层包括第一阻挡层，第一脱氧材料的成分比第一阻挡层中的金属材料更富，第二阻隔层 阻挡层，其中第二阻挡层中的金属材料比第二脱氧材料的成分更富。 互连在其开口中，侧壁和底部被阻挡层覆盖，互连电连接到下导电结构。