公开(公告)号：US07374994B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US11136456

申请日：2005-05-25

申请人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

发明人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

摘要： A bismuth titanium silicon oxide having a pyrochlore phase, a thin film formed of the bismuth titanium silicon oxide, a method for forming the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, a capacitor and a transistor for a semiconductor device including the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, and an electronic device employing the capacitor and/or the transistor are provided. The bismuth titanium silicon oxide has good dielectric properties and is thermally and chemically stable. The bismuth-titanium-silicon oxide thin film can be effectively used as a dielectric film of a capacitor or as a gate dielectric film of a transistor in a semiconductor device. Various electronic devices having good electrical properties can be manufactured using the capacitor and/or the transistor having the bismuth-titanium-silicon oxide film.

摘要翻译： 具有烧绿石相的铋钛氧化硅，由氧化铋钛氧化物形成的薄膜，用于形成铋钛氧化硅薄膜的方法，用于半导体器件的电容器和晶体管，所述半导体器件包括铋钛 - 氧化硅薄膜以及采用电容器和/或晶体管的电子器件。 铋钛氧化硅具有良好的介电性能，并且是热和化学稳定的。 铋钛氧化硅薄膜可以有效地用作半导体器件中的电容器或晶体管的栅极电介质膜的电介质膜。 可以使用具有铋钛 - 氧化硅膜的电容器和/或晶体管来制造具有良好电性能的各种电子器件。

公开(公告)号：US07105401B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10930953

申请日：2004-09-01

申请人： Jung-hyun Lee ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

发明人： Jung-hyun Lee ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/321 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： A capacitor for use in a semiconductor device, a method of fabricating the capacitor, and an electronic device adopting the capacitor, wherein the capacitor includes upper and lower electrodes, each formed of a platinum group metal; a thin dielectric layer disposed between the upper and lower electrodes; and a buffer layer disposed between the lower electrode and the thin dielectric layer, the buffer layer including a metal oxide of Group 3, 4, or 13. In an embodiment, the method of fabricating includes absorbing CO on a surface of a lower electrode of a platinum group metal, placing the lower electrode under a reducing atmosphere to produce a lattice oxygen, using the lattice oxygen to form a thin dielectric layer by performing an ALD process using a precursor for the thin dielectric layer, and forming an upper electrode of a platinum group metal on the thin dielectric layer.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的电容器，制造该电容器的方法以及采用该电容器的电子器件，其中该电容器包括由铂族金属形成的上下电极; 设置在上电极和下电极之间的薄介电层; 以及设置在下电极和薄电介质层之间的缓冲层，缓冲层包括第3,4或13族的金属氧化物。在一个实施方案中，制造方法包括在下电极的表面上吸收CO 铂族金属，将下电极置于还原气氛下以产生晶格氧，使用晶格氧通过使用用于薄介电层的前体进行ALD工艺形成薄介电层，并形成上电极 铂族金属在薄介电层上。

公开(公告)号：US20050272200A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11136456

申请日：2005-05-25

申请人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

发明人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

IPC分类号： C01B33/00 ,  C01G29/00 ,  C04B35/475 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/51 ,  H01L21/473

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

摘要： A bismuth titanium silicon oxide having a pyrochlore phase, a thin film formed of the bismuth titanium silicon oxide, a method for forming the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, a capacitor and a transistor for a semiconductor device including the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, and an electronic device employing the capacitor and/or the transistor are provided. The bismuth titanium silicon oxide has good dielectric properties and is thermally and chemically stable. The bismuth-titanium-silicon oxide thin film can be effectively used as a dielectric film of a capacitor or as a gate dielectric film of a transistor in a semiconductor device. Various electronic devices having good electrical properties can be manufactured using the capacitor and/or the transistor having the bismuth-titanium-silicon oxide film.

公开(公告)号：US20050042836A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10930953

申请日：2004-09-01

申请人： Jung-hyun Lee ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

发明人： Jung-hyun Lee ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/321 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

摘要： A capacitor for use in a semiconductor device, a method of fabricating the capacitor, and an electronic device adopting the capacitor, wherein the capacitor includes upper and lower electrodes, each formed of a platinum group metal; a thin dielectric layer disposed between the upper and lower electrodes; and a buffer layer disposed between the lower electrode and the thin dielectric layer, the buffer layer including a metal oxide of Group 3, 4, or 13. In the capacitor of the present invention, oxidization of the lower electrode may be suppressed, and excellent characteristics of the thin dielectric layer may be maintained.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的电容器，制造该电容器的方法以及采用该电容器的电子器件，其中该电容器包括由铂族金属形成的上下电极; 设置在上电极和下电极之间的薄介电层; 以及设置在下电极和薄电介质层之间的缓冲层，缓冲层包括第3,4或13族的金属氧化物。在本发明的电容器中，可以抑制下电极的氧化，优异的 可以保持薄介电层的特性。

公开(公告)号：US20080293256A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US12153104

申请日：2008-05-14

申请人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

发明人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

摘要： A bismuth titanium silicon oxide having a pyrochlore phase, a thin film formed of the bismuth titanium silicon oxide, a method for forming the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, a capacitor and a transistor for a semiconductor device including the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, and an electronic device employing the capacitor and/or the transistor are provided. The bismuth titanium silicon oxide has good dielectric properties and is thermally and chemically stable. The bismuth-titanium-silicon oxide thin film can be effectively used as a dielectric film of a capacitor or as a gate dielectric film of a transistor in a semiconductor device. Various electronic devices having good electrical properties can be manufactured using the capacitor and/or the transistor having the bismuth-titanium-silicon oxide film.

摘要翻译： 具有烧绿石相的铋钛氧化硅，由氧化铋钛氧化物形成的薄膜，用于形成铋钛氧化硅薄膜的方法，用于半导体器件的电容器和晶体管，所述半导体器件包括铋钛 - 氧化硅薄膜以及采用电容器和/或晶体管的电子器件。 铋钛氧化硅具有良好的介电性能，并且是热和化学稳定的。 铋钛氧化硅薄膜可以有效地用作半导体器件中的电容器或晶体管的栅极电介质膜的电介质膜。 可以使用具有铋钛 - 氧化硅膜的电容器和/或晶体管来制造具有良好电性能的各种电子器件。

公开(公告)号：US07399716B2

公开(公告)日：2008-07-15

申请号：US11340692

申请日：2006-01-27

申请人： Jung-hyun Lee ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

发明人： Jung-hyun Lee ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02181 ,  C01G27/02 ,  C01G27/04 ,  C01P2006/80 ,  C07F7/003 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

摘要： A hafnium oxide precursor and a method for forming a hafnium oxide layer using the precursor are provided. The hafnium oxide precursor contains a nitrogen compound bound to HfCl4.

摘要翻译： 提供氧化铪前体和使用前体形成氧化铪层的方法。 氧化铪前体含有与HfCl 4结合的氮化合物。

公开(公告)号：US07005391B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10464860

申请日：2003-06-19

申请人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Won-bong Choi ,  Young-jin Cho ,  Jung-hyun Lee

发明人： Yo-sep Min ,  Eun-ju Bae ,  Won-bong Choi ,  Young-jin Cho ,  Jung-hyun Lee

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/893

摘要： A method of manufacturing an inorganic nanotube using a carbon nanotube (CNT) as a template, includes preparing a template on which a CNT or a CNT array is formed, forming an inorganic thin film on the CNT by depositing an inorganic material on the template using atomic layer deposition (ALD), and removing the CNT to obtain an inorganic nanotube or an inorganic nanotube array, respectively.

摘要翻译： 使用碳纳米管（CNT）作为模板制造无机纳米管的方法包括制备在其上形成CNT或CNT阵列的模板，通过在模板上沉积无机材料在CNT上形成无机薄膜，使用 原子层沉积（ALD），并分别去除CNT以获得无机纳米管或无机纳米管阵列。

公开(公告)号：US06919597B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US10634841

申请日：2003-08-06

申请人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

发明人： Young-jin Cho ,  Yo-sep Min ,  Young-soo Park ,  Jung-hyun Lee ,  June-key Lee ,  Yong-kyun Lee

IPC分类号： C01B33/00 ,  C01G29/00 ,  C04B35/475 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/51 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

摘要： A bismuth titanium silicon oxide having a pyrochlore phase, a thin film formed of the bismuth titanium silicon oxide, a method for forming the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, a capacitor and a transistor for a semiconductor device including the bismuth-titanium-silicon oxide thin film, and an electronic device employing the capacitor and/or the transistor are provided. The bismuth titanium silicon oxide has good dielectric properties and is thermally and chemically stable. The bismuth-titanium-silicon oxide thin film can be effectively used as a dielectric film of a capacitor or as a gate dielectric film of a transistor in a semiconductor device. Various electronic devices having good electrical properties can be manufactured using the capacitor and/or the transistor having the bismuth-titanium-silicon oxide film.

摘要翻译： 具有烧绿石相的铋钛氧化硅，由氧化铋钛氧化物形成的薄膜，用于形成铋钛氧化硅薄膜的方法，用于半导体器件的电容器和晶体管，所述半导体器件包括铋钛 - 氧化硅薄膜以及采用电容器和/或晶体管的电子器件。 铋钛氧化硅具有良好的介电性能，并且是热和化学稳定的。 铋钛氧化硅薄膜可以有效地用作半导体器件中的电容器或晶体管的栅极电介质膜的电介质膜。 可以使用具有铋钛 - 氧化硅膜的电容器和/或晶体管来制造具有良好电性能的各种电子器件。

公开(公告)号：US20050191514A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：US10953267

申请日：2004-09-30

申请人： Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

发明人： Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

IPC分类号： C23C16/40 ,  B32B9/00 ,  C23C16/455 ,  H01B3/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/12611

摘要： An amorphous dielectric film for use in a semiconductor device, such as a DRAM, and a method of manufacturing the amorphous dielectric film, includes bismuth (Bi), titanium (Ti), silicon (Si), and oxide (O). The amorphous dielectric film may have a dielectric constant of approximately 60 or higher. The amorphous dielectric film may be expressed by the chemical formula Bi1-x-yTiySiyOz, where 0.2

摘要翻译： 用于诸如DRAM的半导体器件中的非晶体介电膜以及制造非晶体介质膜的方法包括铋（Bi），钛（Ti），硅（Si）和氧化物（O）。 非晶介质膜可以具有大约60或更高的介电常数。 非晶介质膜可以由化学式Bi 1-xy Ti y Si y O z Z z表示， 其中0.2

公开(公告)号：US20060180838A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11354013

申请日：2006-02-15

申请人： Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

发明人： Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： An amorphous high-k thin film for a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided. The amorphous high-k thin film includes Bi, Ti, Al, and O. Since a BTAO based amorphous dielectric thin film is used as a dielectric material of a DRAM capacitor, a dielectric constant is more than 25, and an increase of a leakage current caused in reducing a physical thickness of the dielectric thin film can be prevented. Accordingly, it is very useful for the integration of the semiconductor device.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体器件的非晶高k薄膜及其制造方法。 无定形高k薄膜包括Bi，Ti，Al和O.由于使用基于BTAO的非晶介质薄膜作为DRAM电容器的介电材料，介电常数大于25，并且泄漏增加 可以防止在减小电介质薄膜的物理厚度时引起的电流。 因此，对于半导体器件的集成是非常有用的。