公开(公告)号：US08558969B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12221631

申请日：2008-08-04

申请人： Yi Xu ,  Ching-Huang Lin

发明人： Yi Xu ,  Ching-Huang Lin

IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02B5/04 ,  G02B7/18 ,  F21V7/04

CPC分类号： G02B5/0278 ,  G02B5/0221 ,  G02B5/0231 ,  G02B6/0038 ,  G02B6/0043

摘要： An exemplary prism sheet includes a base including an upper surface and a plurality of lenses disposed on the upper surface. The upper surface is a wavy surface. A liquid crystal display device using the prism sheet is also provided.

公开(公告)号：US20070168904A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11314662

申请日：2005-12-20

申请人： Wei Yuan ,  James Howell ,  Yi Xu ,  Fengshu Yang

发明人： Wei Yuan ,  James Howell ,  Yi Xu ,  Fengshu Yang

IPC分类号： G06F9/44

CPC分类号： G06F8/20

摘要： A method for providing an out of box experience (OOBE) which includes providing an OOBE module and an OOBE variables file, providing OOBE options to the OOBE module via the OOBE variables file, customizing the out of box experience via the OOBE options in the OOBE variables file, and presenting the out of box experience via the OOBE module is disclosed.

摘要翻译： 一种提供开箱即用的经验（OOBE）的方法，其中包括提供OOBE模块和OOBE变量文件，通过OOBE变量文件向OOBE模块提供OOBE选项，通过OOBE中的OOBE选项定制开箱即用的经验 变量文件，并通过OOBE模块呈现开箱体验。

公开(公告)号：US20070058396A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11518664

申请日：2006-09-11

申请人： Yi Xu ,  Ching-Huang Lin

发明人： Yi Xu ,  Ching-Huang Lin

IPC分类号： F21V7/04

CPC分类号： G02B6/002

摘要： An exemplary backlight module (1) includes a light guide plate (10) and at least one point illuminator (12). The light guide plate includes a first side surface (102), and a protrusion (14) outwardly extending from the first side surface. The protrusion includes at least one second side surface (144) oblique to the first side surface. The at least one point illuminator is adjacent to the least one second side surface.

摘要翻译： 示例性背光模块（1）包括导光板（10）和至少一个点照明器（12）。 导光板包括第一侧表面（102）和从第一侧表面向外延伸的突出部（14）。 该突出部包括至少一个倾斜于第一侧表面的第二侧表面（144）。 所述至少一个点照明器邻近所述至少一个第二侧表面。

公开(公告)号：US20060236167A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11091681

申请日：2005-03-28

申请人： Zhengrong Zhou ,  Yi Xu ,  Kai Yick

发明人： Zhengrong Zhou ,  Yi Xu ,  Kai Yick

IPC分类号： G01R31/28

CPC分类号： G01R35/005 ,  G01R31/2834

摘要： In one embodiment, a selection of plural testflows is first obtained. Each testflow specifies how automated test equipment (ATE) should test at least one device. Calibration information is then identified for each of the testflows, and redundancies in the identified calibration information are eliminated to compile a set of non-redundant information for performing a focused calibration over the ATE and selected testflows.

摘要翻译： 在一个实施例中，首先获得多个测试流的选择。 每个测试流程指定自动化测试设备（ATE）如何测试至少一个设备。 然后为每个测试流程识别校准信息，并且消除所识别的校准信息中的冗余以编译一组用于在ATE和所选择的测试流上进行聚焦校准的非冗余信息。

公开(公告)号：US06683002B1

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US09636580

申请日：2000-08-10

申请人： Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

发明人： Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76807

摘要： Method and product for forming a dual damascene interconnect structure, wherein depositing a copper sulfide interface layer as sidewalls to the opening deters migration or diffusing of copper ions into the dielectric material.

公开(公告)号：US06417088B1

公开(公告)日：2002-07-09

申请号：US09624019

申请日：2000-07-24

申请人： Kwok Keung Paul Ho ,  Yi Xu ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy

发明人： Kwok Keung Paul Ho ,  Yi Xu ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/288 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

摘要： A method of forming a conductive cap layer over a metal bonding pad comprises the following steps. A semiconductor structure is provided having an exposed, recessed metal bonding pad within a layer opening. The layer has an upper surface. The exposed metal bonding pad is treated with a solution containing soluble metal ions to form a conductive cap over the metal bonding pad. The conductive cap layer is comprised of the solution metal and has a predetermined thickness. An external bonding element may then be bonded to the conductive cap, forming an electrical connection with the metal bonding pad.

摘要翻译： 在金属焊盘上形成导电盖层的方法包括以下步骤。 提供了一种半导体结构，其在层开口内具有暴露的凹陷的金属接合焊盘。 该层具有上表面。 暴露的金属焊盘用含有可溶性金属离子的溶液处理，以在金属焊盘上形成导电盖。 导电盖层由溶液金属构成并具有预定的厚度。 然后可以将外部接合元件接合到导电盖，与金属接合焊盘形成电连接。

公开(公告)号：US06391783B1

公开(公告)日：2002-05-21

申请号：US09615811

申请日：2000-07-13

申请人： John Sudijono ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  Simon Chooi ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Roy ,  Paul Ho ,  Yi Xu

发明人： John Sudijono ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  Simon Chooi ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Roy ,  Paul Ho ,  Yi Xu

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76867

摘要： A method of forming a metal plug, comprising the following steps. An etched dielectric layer, over a conductive layer, over a semiconductor structure are provided. The etched dielectric layer having a via hole and an exposed periphery. The etched dielectric layer is treated with at least one alkaline earth element source to form an in-situ metal barrier layer within the dielectric layer exposed periphery. A metal plug is formed within the via hole wherein the in-situ metal barrier layer prevents diffusion of the metal from the metal plug into the dielectric oxide layer.

摘要翻译： 一种形成金属塞的方法，包括以下步骤。 提供了在半导体结构之上的导电层上的蚀刻介电层。 蚀刻的介电层具有通孔和暴露的周边。 蚀刻的电介质层用至少一个碱土元素源处理，以在电介质层外露的外围形成原位金属阻挡层。 在通孔内形成金属塞，其中原位金属阻挡层防止金属从金属塞扩散到电介质氧化物层中。

公开(公告)号：US06378759B1

公开(公告)日：2002-04-30

申请号：US09618261

申请日：2000-07-18

申请人： Kwok Keung Paul Ho ,  Simon Chooi ,  Yi Xu ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy

发明人： Kwok Keung Paul Ho ,  Simon Chooi ,  Yi Xu ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy

IPC分类号： B23K3102

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00

摘要： A method of bonding a bonding element to a metal bonding pad comprises the following steps. A semiconductor structure having an exposed, recessed metal bonding pad within a layer opening is provided. The layer has an upper surface. A conductive cap having a predetermined thickness is formed over the metal bonding pad. A bonding element is bonded to the conductive cap to form an electrical connection with the metal bonding pad.

摘要翻译： 将接合元件接合到金属接合焊盘的方法包括以下步骤。 提供了一种在层开口内具有暴露的凹陷金属接合焊盘的半导体结构。 该层具有上表面。 在金属焊盘上形成具有预定厚度的导电盖。 接合元件结合到导电盖以与金属接合焊盘形成电连接。

公开(公告)号：US06352921B1

公开(公告)日：2002-03-05

申请号：US09619377

申请日：2000-07-19

申请人： Licheng M. Han ,  Yi Xu ,  Joseph Zhifeng Xie ,  Mei Sheng Zhou ,  Simon Chooi

发明人： Licheng M. Han ,  Yi Xu ,  Joseph Zhifeng Xie ,  Mei Sheng Zhou ,  Simon Chooi

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a boron carbide layer for use as a barrier and an etch-stop layer in a copper dual damascene structure, and the structure itself are disclosed. In addition to providing a good barrier to copper diffusion, good insulating properties, high etch selectivity with respect to dielectric insulators, boron carbide also provides good electrical characteristics because of its low dielectric constant of less than 5. The amorphous boron carbide is formed in a PECVD chamber by introducing a boron source gas such as B2H6, B5H9+, and carbon source gas such as CH4 and C2H6 at a deposition temperature of about 400° C. Any one, or any combination of the passivation, etch-stop, cap layers of the damascene structure can comprise boron carbide.

公开(公告)号：US06350689B1

公开(公告)日：2002-02-26

申请号：US09839962

申请日：2001-04-23

申请人： Paul Ho ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Yi Xu

发明人： Paul Ho ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Yi Xu

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/02074 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32136 ,  Y10S438/906

摘要： A method of removing copper contamination from a semiconductor wafer, comprising the following steps. A semiconductor wafer having copper contamination thereon is provided. An oxidizing radical containing downstream plasma is provided from a first source (alternatively halogen (F2, Cl2, or Br2) may be used as on oxidizing agent). A vaporized chelating agent is provided from a second source. The oxidizing radical containing downstream plasma and vaporized chelating agent are mixed to form an oxidizing radical containing downstream plasma/vaporized chelating agent mixture. The mixture is directed to the copper contamination so that the mixture reacts with the copper contamination to form a volatile product. The volatile product is removed from the proximity of the wafer.

摘要翻译： 一种从半导体晶片去除铜污染的方法，包括以下步骤。 提供其上具有铜污染的半导体晶片。 从第一来源提供含有下游等离子体的氧化基团（或者可以在氧化剂上使用卤素（F2，Cl2或Br2））。 从第二来源提供蒸发的螯合剂。 将含有下游等离子体和气化螯合剂的氧化基团混合以形成含有下游等离子体/汽化螯合剂混合物的氧化基团。 混合物被引导到铜污染物，使得混合物与铜污染物反应形成挥发性产物。 从晶片附近去除挥发性产物。