公开(公告)号：USD547988S1

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US29254655

申请日：2006-02-27

申请人： Troy Baker ,  Kelly Dawson ,  Wyn Jones

设计人： Troy Baker ,  Kelly Dawson ,  Wyn Jones

公开(公告)号：US20070093073A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11444946

申请日：2006-06-01

申请人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method for growth and fabrication of semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer. The method results in a large area of the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface.

摘要翻译： 一种用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的方法，包括鉴定特定器件应用的所需材料性质，基于所需材料性质选择半极性生长取向，选择 用于生长选择的半极性生长取向的合适底物，在衬底上生长平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层，以及生长半极（Ga，Al，In，B）N薄膜 ，平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层上的异质结构或器件。 该方法导致大面积的半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件平行于衬底表面。

公开(公告)号：US20060234486A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11403624

申请日：2006-04-13

申请人： James Speck ,  Troy Baker ,  Benjamin Haskell

发明人： James Speck ,  Troy Baker ,  Benjamin Haskell

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/26506 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76254

摘要： A method of fabricating free-standing (Al, In, Ga)N substrates, by in situ separation of thick epitaxially grown nitride films from their foreign substrates. A suitable substrate for (Al, In, Ga)N film growth is selected, and foreign ions are implanted in the substrate to form a comparatively sharp concentration profile. An (Al, In Ga)N film is deposited on the substrate, and the deposited film is cooled to introduce thermal expansion mismatch-related strain, so that the film spontaneously separates from the substrate.

摘要翻译： 通过从其外来底物原位分离厚的外延生长的氮化物膜，制造独立（Al，In，Ga）N衬底的方法。 选择用于（Al，In，Ga）N膜生长的合适的衬底，并且将异质离子注入到衬底中以形成比较尖锐的浓度分布。 将Al（Al，InGa）N膜沉积在衬底上，并将沉积膜冷却以引入热膨胀失配相关应变，使得膜与衬底自发分离。

公开(公告)号：US08955516B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US12420385

申请日：2009-04-08

申请人： Shaila Gaffney ,  Judge W. Morgan, III ,  Troy Baker

发明人： Shaila Gaffney ,  Judge W. Morgan, III ,  Troy Baker

IPC分类号： A62B18/02 ,  A62B18/08

CPC分类号： A62B18/08 ,  Y10T29/49826

摘要： A respirator includes a mask having a body extending between a front edge and a rear edge, and a face seal extending inward from the body. The face seal has a first wall extending from the body and a second wall intersecting with the first wall at a sealing land. The sealing land is configured to contact a user's face to form a continuous circumferential seal. The face seal is folded over such that the first wall and the second wall both extend away from the sealing land in a common direction. Optionally, the face seal may be U-shaped.

摘要翻译： 呼吸器包括具有在前边缘和后边缘之间延伸的主体的面罩和从身体向内延伸的面部密封件。 面密封件具有从主体延伸的第一壁和在密封区域与第一壁相交的第二壁。 密封面构造成与使用者的面接触以形成连续的圆周密封。 面密封被折叠，使得第一壁和第二壁在共同的方向上远离密封区域延伸。 可选地，面密封件可以是U形的。

公开(公告)号：US20070015345A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11486224

申请日：2006-07-13

申请人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02609 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265

摘要： A lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films. The process steps include selecting a semipolar nitride plane and composition, selecting a suitable substrate for growth of the semipolar nitride plane and composition, and applying a selective growth process in which the semipolar nitride nucleates on some areas of the substrate at the exclusion of other areas of the substrate, wherein the selective growth process includes lateral growth of nitride material by a lateral epitaxial overgrowth (LEO), sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO), cantilever epitaxy or nanomasking.

摘要翻译： 一种用于半极性氮化物薄膜缺陷还原的横向生长方法。 工艺步骤包括选择半极性氮化物平面和组成，选择用于生长半极性氮化物平面和组成的合适衬底，以及施加选择性生长工艺，其中半极性氮化物在其它区域的排除下在衬底的某些区域成核 其中选择性生长工艺包括通过横向外延过度生长（LEO），侧壁横向外延过度生长（SLEO），悬臂外延或纳米掩模的氮化物材料的侧向生长。

公开(公告)号：US20070218655A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11655572

申请日：2007-01-19

申请人： Hitoshi Sato ,  John Kaeding ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  John Kaeding ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/045 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A method for enhancing growth of device-quality planar semipolar nitride semiconductor thin films via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by using an (Al,In,Ga)N nucleation layer containing at least some indium. Specifically, the method comprises loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1−xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1−xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 通过使用含有至少一些铟的（Al，In，Ga）N成核层，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）增强器件质量的平面半极性半导体薄膜的生长的方法。 具体地说，该方法包括将衬底装载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热衬底，沉积In x N 1 Ga 1-x

公开(公告)号：US20060246722A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11403288

申请日：2006-04-13

申请人： James Speck ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Troy Baker

发明人： James Speck ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Troy Baker

IPC分类号： C23F1/00 ,  B44C1/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

摘要： An etching technique for the fabrication of thin (Al, In, Ga)N layers. A suitable template or substrate is selected and implanted with foreign ions over a desired area to create ion implanted material. A regrowth of a device structure is then performed on the implanted template or substrate. The top growth surface of the template is bonded to a carrier wafer to created a bonded template/carrier wafer structure. The substrate is removed, as is any residual material, to expose the ion implanted material. The ion implanted material on the bonded template/carrier wafer structure is then exposed to a suitable etchant for a sufficient time to remove the ion implanted material.

摘要翻译： 用于制造薄（Al，In，Ga）N层的蚀刻技术。 选择合适的模板或衬底并在期望的区域上注入外来离子以产生离子注入材料。 然后在植入的模板或衬底上执行器件结构的再生长。 模板的顶部生长表面被结合到载体晶片以产生结合的模板/载体晶片结构。 像任何残留的材料一样去除衬底以暴露离子注入的材料。 然后将接合的模板/载体晶片结构上的离子注入材料暴露于合适的蚀刻剂足够的时间以除去离子注入的材料。

公开(公告)号：US20060205199A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11372914

申请日：2006-03-10

申请人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10{overscore (1)}1} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10{overscore (1)}3} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11{overscore (2)}2} gallium nitride (GaN) grown on a {1{overscore (1)}00} sapphire substrate, and (4) {11{overscore (1)}3} gallium nitride (GaN) grown on a {1{overscore (1)}00} sapphire substrate

摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在{100}尖晶石衬底上生长的（10）{（氮化镓）氮化镓（GaN）（2）{10 {超（13）氮化镓（GaN） 在{110}尖晶石衬底上生长，（3）在{1 {超（100）蓝宝石衬底上生长的{11（超（22）个氮化镓（GaN））和（4）{11 {超（13） （GaN）生长在{1 {超（100）蓝宝石衬底上