公开(公告)号：US20110048787A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12550683

申请日：2009-08-31

申请人： Robert David Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert David Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： H05K1/11 ,  C08G77/14 ,  G03C1/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： H05K1/0326 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01B3/307 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H05K2201/0162

摘要： Silsesquioxane polymers, silsesquioxane polymers in negative tone photo-patternable dielectric formulations, methods of forming structures using negative tone photo-patternable dielectric formulations containing silsesquioxane polymers, and structures made from silsesquioxane polymers.

摘要翻译： 倍半硅氧烷聚合物，负色调可光图案化电介质配方中的倍半硅氧烷聚合物，使用含有倍半硅氧烷聚合物的负色调可光阴电介质制剂形成结构的方法，以及由倍半硅氧烷聚合物制成的结构。

公开(公告)号：US07759044B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US12019676

申请日：2008-01-25

申请人： Robert David Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Richard Anthony DiPietro ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong

发明人： Robert David Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Richard Anthony DiPietro ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa D. Truong

IPC分类号： G03C1/00 ,  C07D305/00 ,  C07D307/02 ,  C07D307/77 ,  C07D307/00 ,  C07D493/00 ,  C07D307/93 ,  C07C69/74 ,  C07C69/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07J9/005 ,  C07J17/00 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

摘要： A dissolution modification agent suitable for use in a photoresist composition including a polymer, a photoacid generator and casting solvent. The dissolution modification agent is insoluble in aqueous alkaline developer and inhibits dissolution of the polymer in the developer until acid is generated by the photoacid generator being exposed to actinic radiation, whereupon the dissolution modifying agent, at a suitable temperature, becomes soluble in the developer and allows the polymer to dissolve in the developer. The DMAs are glucosides, cholates, citrates and adamantanedicarboxylates protected with acid-labile ethoxyethyl, tetrahydrofuranyl, and angelicalactonyl groups.

摘要翻译： 适用于包含聚合物，光致酸产生剂和浇铸溶剂的光致抗蚀剂组合物的溶解改性剂。 溶解改性剂不溶于含水碱性显影剂中，并且抑制聚合物在显影剂中的溶解，直至酸被光致酸性发生剂暴露于光化辐射为止，因此溶解改性剂在合适的温度下变得可溶于显影剂， 允许聚合物溶解在显影剂中。 DMA是用酸不稳定的乙氧基乙基，四氢呋喃基和天竺葵酰基保护的葡糖苷，胆酸盐，柠檬酸盐和金刚烷二羧酸盐。

公开(公告)号：US08945808B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US11380731

申请日：2006-04-28

申请人： Robert Allen David ,  Phillip Joe Brock ,  Carl E Larson ,  Daniel Paul Sanders ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Linda Karin Sundberg ,  Hoa D Truong ,  Gregory Michael Wallraff

发明人： Robert Allen David ,  Phillip Joe Brock ,  Carl E Larson ,  Daniel Paul Sanders ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Linda Karin Sundberg ,  Hoa D Truong ,  Gregory Michael Wallraff

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

CPC分类号： G03F7/2041 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0757

摘要： Resist compositions that can be used in immersion lithography without the use of an additional topcoat are disclosed. The resist compositions comprise a photoresist polymer, at least one photoacid generator, a solvent; and a self-topcoating resist additive. A method of forming a patterned material layer on a substrate using the resist composition is also disclosed.

摘要翻译： 公开了可用于浸没式光刻中而不使用另外的顶涂层的抗蚀剂组合物。 抗蚀剂组合物包含光致抗蚀剂聚合物，至少一种光致酸产生剂，溶剂; 和自 - 面漆抗蚀剂添加剂。 还公开了使用抗蚀剂组合物在衬底上形成图案化材料层的方法。

公开(公告)号：US07919225B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US12126287

申请日：2008-05-23

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Geraud Jean-Michel Dubois ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Sampath Purushothaman ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Geraud Jean-Michel Dubois ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Sampath Purushothaman ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0757 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  C08L83/00

摘要： A method and a composition. The composition includes at least one carbosilane-substituted silsesquioxane polymer which crosslinks in the presence of an acid. The at least one carbosilane-substituted silsesquioxane polymer is soluble in aqueous base. The method includes forming a coating on a substrate. The coating includes one or more carbosilane-substituted silsesquioxane polymers. The carbosilane-substituted silsesquioxane polymer is soluble in aqueous base. The coating is exposed to radiation, resulting in generating a latent pattern in the coating. The exposed coating is baked at a first temperature less than about 150° C. The baked coating is developed, resulting in forming a latent image from the latent pattern in the baked coating. The latent image is cured at a second temperature less than about 500° C.

摘要翻译： 方法和组成。 该组合物包括在酸存在下交联的至少一种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物。 所述至少一种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物可溶于碱水溶液。 该方法包括在基底上形成涂层。 涂层包括一种或多种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物。 碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物可溶于碱水溶液。 涂层暴露于辐射，导致在涂层中产生潜在图案。 暴露的涂层在小于约150℃的第一温度下烘烤。烘烤的涂层被显影，从而在烘烤涂层中从潜在图案形成潜像。 潜像在低于约500℃的第二温度下固化

公开(公告)号：US20090291389A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12126287

申请日：2008-05-23

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Geraud Jean-Michel Dubois ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Sampath Purushothaman ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Geraud Jean-Michel Dubois ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Sampath Purushothaman ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/075 ,  C08G77/12 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0757 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  C08L83/00

摘要： A method and a composition. The composition includes at least one carbosilane-substituted silsesquioxane polymer which crosslinks in the presence of an acid. The at least one carbosilane-substituted silsesquioxane polymer is soluble in aqueous base. The method includes forming a coating on a substrate. The coating includes one or more carbosilane-substituted silsesquioxane polymers. The carbosilane-substituted silsesquioxane polymer is soluble in aqueous base. The coating is exposed to radiation, resulting in generating a latent pattern in the coating. The exposed coating is baked at a first temperature less than about 150° C. The baked coating is developed, resulting in forming a latent image from the latent pattern in the baked coating. The latent image is cured at a second temperature less than about 500° C.

摘要翻译： 方法和组成。 该组合物包括在酸存在下交联的至少一种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物。 所述至少一种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物可溶于碱水溶液。 该方法包括在基底上形成涂层。 涂层包括一种或多种碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物。 碳硅烷取代的倍半硅氧烷聚合物可溶于碱水溶液。 涂层暴露于辐射，导致在涂层中产生潜在图案。 暴露的涂层在小于约150℃的第一温度下烘烤。烘烤的涂层被显影，从而在烘烤涂层中从潜在图案形成潜像。 潜像在低于约500℃的第二温度下固化

公开(公告)号：US06444408B1

公开(公告)日：2002-09-03

申请号：US09514212

申请日：2000-02-28

申请人： Phillip Joe Brock ,  Richard Anthony DiPietro ,  Donald Clifford Hofer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Gregory Michael Wallraff

发明人： Phillip Joe Brock ,  Richard Anthony DiPietro ,  Donald Clifford Hofer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Gregory Michael Wallraff

IPC分类号： G03F7027

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0758 ,  G11B5/3163

摘要： Polymerizable monomers having silicon containing groups that are transparent at 193 nm; and ethylenically unsaturated group are provided. Polymers from these monomers can be used in processes for forming sub-100 nm images with a chemically amplified, radiation sensitive bilayer resist. The bilayer resist is disposed on a substrate and comprises (i) a top imaging layer comprising a radiation sensitive acid generator and (ii) an organic underlayer. The bilayer resist can be used in the manufacturing of integrated circuits.

摘要翻译： 在193nm下透明的含硅基团的可聚合单体; 和烯键式不饱和基团。 来自这些单体的聚合物可以用于用化学放大的，辐射敏感的双层抗蚀剂形成亚100nm图像的方法。 双层抗蚀剂设置在基板上，并且包括（i）包含辐射敏感酸产生器和（ii）有机底层的顶部成像层。 双层抗蚀剂可用于集成电路的制造。

公开(公告)号：US20110083887A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12575515

申请日：2009-10-08

申请人： Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Jitendra Singh Rathore ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Jitendra Singh Rathore ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： H05K1/03 ,  C08G77/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07F7/08

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C07F7/21 ,  C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

摘要： Silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers, silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers in negative tone photo-patternable dielectric formulations, methods of forming structures using negative tone photo-patternable dielectric formulations containing silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers, structures containing porous silsesquioxane polymers and monomers and method of preparing monomers for silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers.

摘要翻译： 固化到多孔倍半硅氧烷聚合物的倍半硅氧烷聚合物，在负色调可光图案化电介质配方中固化成多孔倍半硅氧烷聚合物的倍半硅氧烷聚合物，使用含有倍半硅氧烷聚合物的负色调可光图案化介电制剂形成结构的方法，其固化成多孔倍半硅氧烷聚合物， 多孔倍半硅氧烷聚合物和单体以及制备用于聚合多孔倍半硅氧烷聚合物的倍半硅氧烷聚合物的单体的方法。

公开(公告)号：US08029971B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12047435

申请日：2008-03-13

申请人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Robert D. Allen ,  Phillip Joe Brock ,  Blake W. Davis ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Alshakim Nelson ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： Compositions, a method, and a photopatternable blend. The compositions include a blend of a first and a second polymer. The first polymer is a substituted silsesquioxane copolymer. The second polymer is a substituted silsesquioxane polymer. The second polymer is configured to undergo chemical crosslinking with the first polymer, the second polymer, or a combination thereof, upon exposure to light, thermal energy, or a combination thereof. The compositions include a photosensitive acid generator. The method includes forming a film. The film is patternwise imaged, and at least one region is exposed to radiation. After the imaging, the film is baked, wherein at least one exposed region is rendered substantially soluble. After the baking, the film is developed, wherein a relief pattern remains. The relief pattern is exposed to radiation. The relief pattern is baked. The relief pattern is cured. A chemically amplified positive-tone photopatternable blend is also described.

摘要翻译： 组合，一种方法和一种光图案化混合物。 组合物包括第一和第二聚合物的共混物。 第一聚合物是取代的倍半硅氧烷共聚物。 第二聚合物是取代的倍半硅氧烷聚合物。 第二聚合物被配置为在暴露于光，热能或其组合时与第一聚合物，第二聚合物或其组合进行化学交联。 组合物包括光敏酸产生剂。 该方法包括形成膜。 膜被图案化成像，并且至少一个区域暴露于辐射。 在成像之后，烘烤该膜，其中至少一个曝光区域呈现基本上可溶的。 烘烤后，显影膜，其中保留有浮雕图案。 浮雕图案暴露于辐射。 浮雕图案被烘烤。 浮雕图案被修复。 还描述了化学放大的正色调可光图案化混合物。

公开(公告)号：US07521172B2

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11380782

申请日：2006-04-28

申请人： Robert Allen David ,  Phillip Joe Brock ,  Sean David Burns ,  Dario Leonardo Goldfarb ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Matt Pinnow ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Linda Karin Sundberg

发明人： Robert Allen David ,  Phillip Joe Brock ,  Sean David Burns ,  Dario Leonardo Goldfarb ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Matt Pinnow ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Linda Karin Sundberg

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  C08F220/22

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： Disclosed is a topcoat composition comprising a polymer having a dissolution rate of at least 1500 Å/second in an aqueous alkaline developer, and at least one solvent. The topcoat composition can be used to coat a photoresist layer on a material layer on a substrate, for example, a semiconductor chip. Also disclosed is a method of forming a pattern in the material layer of the coated substrate.

摘要翻译： 公开了一种面漆组合物，其包含在含水碱性显影剂中溶解速率至少为1500埃的聚合物和至少一种溶剂。 面漆组合物可用于在基板上的材料层上涂覆光致抗蚀剂层，例如半导体芯片。 还公开了在涂覆的基材的材料层中形成图案的方法。

公开(公告)号：US08389663B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12575515

申请日：2009-10-08

申请人： Phillip Joe Brock ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Jitendra Singh Rathore ,  Ratnam Sooriyakumaran

发明人： Phillip Joe Brock ,  Qinghuang Lin ,  Robert Dennis Miller ,  Alshakim Nelson ,  Jitendra Singh Rathore ,  Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： C08G77/04

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C07F7/21 ,  C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

摘要： Silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers, silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers in negative tone photo-patternable dielectric formulations, methods of forming structures using negative tone photo-patternable dielectric formulations containing silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers, structures containing porous silsesquioxane polymers and monomers and method of preparing monomers for silsesquioxane polymers that cure to porous silsesquioxane polymers.