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    GST CMP slurries
    24.
    发明授权
    GST CMP slurries 有权
    GST CMP浆料

    公开(公告)号：US08778211B2

    公开(公告)日：2014-07-15

    申请号：US13551423

    申请日：2012-07-17

    申请人： Matthias Stender ,  Glenn Whitener ,  Chul Woo Nam

    发明人： Matthias Stender ,  Glenn Whitener ,  Chul Woo Nam

    IPC分类号： C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436

    摘要： The present invention provides chemical-mechanical polishing (CMP) compositions suitable for polishing a substrate comprising a germanium-antimony-tellurium (GST) alloy. The CMP compositions of the present invention are aqueous slurries comprising a particulate abrasive, a water-soluble surface active agent, a complexing agent, and a corrosion inhibitor. The ionic character of the surface active material (e.g., cationic, anionic, or nonionic) is selected based on the zeta potential of the particulate abrasive. A CMP method for polishing a GST alloy-containing substrate utilizing the composition is also disclosed.

    摘要翻译： 本发明提供了适用于抛光包含锗 - 锑 - 碲（GST）合金的基材的化学机械抛光（CMP）组合物。 本发明的CMP组合物是包含颗粒磨料，水溶性表面活性剂，络合剂和腐蚀抑制剂的水性浆料。 基于颗粒磨料的ζ电位来选择表面活性材料（例如阳离子，阴离子或非离子）的离子特性。 还公开了利用该组合物研磨含GST合金的基材的CMP方法。

    CMP COMPOSITION CONTAINING ZIRCONIA PARTICLES AND METHOD OF USE
    25.
    发明申请
    CMP COMPOSITION CONTAINING ZIRCONIA PARTICLES AND METHOD OF USE 有权
    包含ZIRCONIA颗粒的CMP组合物及其使用方法

    公开(公告)号：US20130313225A1

    公开(公告)日：2013-11-28

    申请号：US13477535

    申请日：2012-05-22

    申请人： Wiechang Jin ,  John Parker ,  Elizabeth Remsen

    发明人： Wiechang Jin ,  John Parker ,  Elizabeth Remsen

    IPC分类号： C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  C09K13/00 ,  B44C1/22

    CPC分类号： C23F3/06 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32125

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition containing zirconia particles, a modifying agent that adheres to the zirconia particles, an organic acid, and water, as well as a method of using such a polishing composition to polish substrates and a method of using a polishing composition comprising zirconia particles, an organic acid, an oxidizing agent, and water to polishing substrates containing metal and oxide-based dielectric materials.

    摘要翻译： 本发明提供一种包含氧化锆颗粒，粘附于氧化锆颗粒的改性剂，有机酸和水的化学机械抛光组合物，以及使用这种抛光组合物抛光底物的方法和使用 包含氧化锆颗粒，有机酸，氧化剂和水的抛光组合物以研磨含有金属和氧化物基介电材料的基材。

    Metal-passivating CMP compositions and methods
    26.
    发明授权
    Metal-passivating CMP compositions and methods 有权
    金属钝化CMP组合物和方法

    公开(公告)号：US08435421B2

    公开(公告)日：2013-05-07

    申请号：US13004113

    申请日：2011-01-11

    申请人： Jason Keleher ,  Pankaj Singh ,  Vlasta Brusic

    发明人： Jason Keleher ,  Pankaj Singh ,  Vlasta Brusic

    IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  C23F1/00

    CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/3212

    摘要： The present invention provides chemical-mechanical polishing (CMP) compositions and methods for polishing copper- and/or silver-containing substrates. The compositions of the present invention comprise a particulate abrasive, a primary film-forming metal-complexing agent, and a secondary film-forming metal-passivating agent in an aqueous carrier. Methods of polishing a substrate with the compositions of the invention are also disclosed.

    摘要翻译： 本发明提供用于抛光含铜和/或含银基材的化学机械抛光（CMP）组合物和方法。 本发明的组合物在水性载体中包含颗粒磨料，初始成膜金属络合剂和二次成膜金属钝化剂。 还公开了用本发明的组合物研磨衬底的方法。

    Wire saw slurry recycling process
    27.
    发明授权
    Wire saw slurry recycling process 失效
    线锯浆料回收工艺

    公开(公告)号：US08425639B2

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：US12476073

    申请日：2009-06-01

    申请人： Gregory Gaudet ,  Steven Grumbine ,  Nevin Naguib ,  Francois Batllo

    发明人： Gregory Gaudet ,  Steven Grumbine ,  Nevin Naguib ,  Francois Batllo

    IPC分类号： B24D3/02 ,  C09C1/68 ,  C09K3/14

    CPC分类号： B28D5/007 ,  B01D21/26 ,  B24B27/0633 ,  B24B57/02 ,  C10M175/0016 ,  C10M175/0058 ,  C10M2201/041 ,  C10M2201/061 ,  C10M2209/104 ,  C10N2220/021 ,  C10N2220/022 ,  C10N2220/082 ,  Y02P70/179

    摘要： The present invention provides a method of recycling a water-based wire saw cutting slurry waste fluid comprising abrasive particles and waste solids in a water-based carrier. The method comprises the steps of (a) separating the waste fluid into a first fraction and a second fraction, the first fraction comprising recovered abrasive particles, and the second fraction comprising waste solids and a portion of the water-based carrier; (b) optionally, separating the second fraction to separate the waste solids from the water-based carrier to form a waste solids portion and a recovered water-based carrier portion; (c) optionally, drying the first fraction from step (a) and separating the resulting dried abrasive particles from smaller waste particles to produce a purified recovered abrasive fraction; and (d) suspending particles of the first fraction from step (a), the purified recovered abrasive fraction from step (c), or both, in a suspending medium comprising at least a portion of the recovered water-based carrier from step (b), to generate a recycled water-based wire saw cutting slurry.

    摘要翻译： 本发明提供了一种在水基载体中循环包含磨料颗粒和废物固体的水性线锯切割浆料废液的方法。 该方法包括以下步骤：（a）将废液分离成第一馏分和第二馏分，第一馏分包含回收的磨料颗粒，第二馏分包含废固体和一部分水基载体; （b）任选地，分离第二级分以将废固体与水基载体分离以形成废固体部分和回收的水基载体部分; （c）任选地，干燥来自步骤（a）的第一级分，并将所得干燥的磨料颗粒与较小的废物颗粒分离，以产生纯化的回收的磨料级分; 和（d）将来自步骤（a）的第一级分的颗粒，来自步骤（c）的纯化的回收的磨料组分或两者悬浮在包含来自步骤（b）的至少一部分回收的水基载体的悬浮介质中 ），生成循环水性线锯切割浆。

    COMPOSITIONS FOR POLISHING SILICON-CONTAINING SUBSTRATES
    28.
    发明申请
    COMPOSITIONS FOR POLISHING SILICON-CONTAINING SUBSTRATES 有权
    用于抛光含硅基材的组合物

    公开(公告)号：US20120280170A1

    公开(公告)日：2012-11-08

    申请号：US13554829

    申请日：2012-07-20

    申请人： Francesco DE REGE THESAURO ,  Zhan CHEN

    发明人： Francesco DE REGE THESAURO ,  Zhan CHEN

    IPC分类号： C09K13/00

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides chemical-mechanical polishing (CMP) compositions and methods for polishing a silicon-containing substrate. A method of the invention comprises the steps of contacting a silicon-containing substrate with a polishing pad and an aqueous CMP composition, and causing relative motion between the polishing pad and the substrate while maintaining a portion of the CMP composition in contact with the surface of the substrate to abrade at least a portion of the substrate. The CMP composition comprises a ceria abrasive, a polishing additive bearing a functional group with a pKa of about 4 to about 9, a nonionic surfactant with an hydrophilic portion and a lipophilic portion wherein the hydrophilic portion has a number average molecular weight of about 500 g/mol or higher, and an aqueous carrier, wherein the pH of the composition is 7 or less. The method reduces defects on the wafers, particularly local areas of high removal. The method is also useful for polishing dielectric silicon-containing substrates at a high rate relative to semiconductor silicon-containing substrates.

    摘要翻译： 本发明提供用于抛光含硅基材的化学机械抛光（CMP）组合物和方法。 本发明的方法包括以下步骤：使含硅衬底与抛光垫和水性CMP组合物接触，并且在保持CMP组合物的一部分与表面接触的同时引起抛光垫和衬底之间的相对运动 所述衬底磨损所述衬底的至少一部分。 CMP组合物包括二氧化铈研磨剂，具有pKa约4至约9的官能团的抛光添加剂，具有亲水部分和亲油部分的非离子表面活性剂，其中亲水部分的数均分子量为约500g / mol以上，和水性载体，其中组合物的pH为7以下。 该方法减少了晶片上的缺陷，特别是高去除的局部区域。 该方法对于相对于含半导体硅的衬底以高速率抛光介电含硅衬底也是有用的。

    Barrier slurry for low-k dielectrics
    29.
    发明授权
    Barrier slurry for low-k dielectrics 有权
    用于低k电介质的阻隔浆料

    公开(公告)号：US08252687B2

    公开(公告)日：2012-08-28

    申请号：US12584343

    申请日：2009-09-03

    申请人： Shoutian Li ,  Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Pankaj Singh

    发明人： Shoutian Li ,  Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Pankaj Singh

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition for polishing a substrate. The polishing composition comprises silica, a compound selected from the group consisting of an amine-substituted silane, a tetraalkylammonium salt, a tetraalkylphosphonium salt, and an imidazolium salt, a carboxylic acid having seven or more carbon atoms, an oxidizing agent that oxidizes a metal, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于抛光基材的化学机械抛光组合物。 抛光组合物包括二氧化硅，选自胺取代的硅烷，四烷基铵盐，四烷基鏻盐和咪唑鎓盐的化合物，具有七个或更多个碳原子的羧酸，氧化金属的氧化剂 ，和水。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。

    Method of polishing nickel-phosphorous
    30.
    发明授权
    Method of polishing nickel-phosphorous 有权
    镍 - 磷抛光方法

    公开(公告)号：US08247326B2

    公开(公告)日：2012-08-21

    申请号：US12170954

    申请日：2008-07-10

    申请人： Venkataramanan Balasubramaniam ,  Ping-Ha Yeung

    发明人： Venkataramanan Balasubramaniam ,  Ping-Ha Yeung

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： G11B5/8404 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

    摘要： The invention is directed to a method of chemically-mechanically polishing a surface of a substrate, comprising contacting a surface of a substrate comprising nickel-phosphorous with a chemical-mechanical polishing composition comprising wet-process silica, an agent that oxidizes nickel-phosphorous, and an aminopolycarboxylic acid, wherein the polishing composition has a pH of about 1 to about 5, and abrading at least a portion of the nickel-phosphorous to polish the substrate.

    摘要翻译： 本发明涉及一种化学机械抛光基材表面的方法，包括使包含镍 - 磷的基材的表面与包含湿法二氧化硅的化学 - 机械抛光组合物接触，氧化镍 - 磷的试剂， 和一种氨基多羧酸，其中所述抛光组合物具有约1至约5的pH，并且研磨所述镍 - 磷的至少一部分以抛光所述基材。