公开(公告)号：US20120318341A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13159897

申请日：2011-06-14

申请人： Kathryn C. Fisher ,  Qiang Huang ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  David L. Rath

发明人： Kathryn C. Fisher ,  Qiang Huang ,  Satyavolu S. Papa Rao ,  David L. Rath

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02168 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50

摘要： Processes for fabricating photovoltaic devices in which the front side contact metal semiconductor alloy metallization patterns have a uniform thickness at edge portions as well as a central portion of each metallization pattern are provided. In one embodiment, a method of forming a photovoltaic device is provided that includes a p-n junction with a p-type semiconductor portion and an n-type semiconductor portion one on top of the other, wherein an upper exposed surface of one of the semiconductor portions represents a front side surface of the semiconductor substrate; forming a plurality of patterned antireflective coating layers on the front side surface of the semiconductor surface to provide a grid pattern including a busbar region and finger regions; forming a mask atop the plurality of patterned antireflective coating layers, the mask having a shape that mimics each patterned antireflective coating; electrodepositing a metal layer on the busbar region and the finger regions; removing the mask; and performing an anneal, wherein during the anneal metal atoms from the metal layer react with semiconductor atoms from the busbar region and the finger regions forming a metal semiconductor alloy.

摘要翻译： 提供了其中前侧接触金属半导体合金金属化图案在边缘部分具有均匀厚度以及每个金属化图案的中心部分的光伏器件的制造方法。 在一个实施例中，提供了一种形成光伏器件的方法，该方法包括：pn结与p型半导体部分和n型半导体部分之间，其中一个半导体部分的上部暴露表面 表示半导体衬底的前侧表面; 在所述半导体表面的前侧表面上形成多个图案化的抗反射涂层，以提供包括汇流条区域和手指区域的网格图案; 在所述多个图案化的抗反射涂层之上形成掩模，所述掩模具有模仿每个图案化抗反射涂层的形状; 在母线区域和手指区域上电沉积金属层; 去除面膜; 并执行退火，其中在退火期间，来自金属层的金属原子与母线区域的半导体原子和形成金属半导体合金的指状区域反应。

公开(公告)号：US08241995B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US11532599

申请日：2006-09-18

申请人： Kuan-Neng Chen ,  Bruce K. Furman ,  Sampath Purushothaman ,  David L. Rath ,  Anna W. Topol ,  Cornelia K. Tsang

发明人： Kuan-Neng Chen ,  Bruce K. Furman ,  Sampath Purushothaman ,  David L. Rath ,  Anna W. Topol ,  Cornelia K. Tsang

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L24/05 ,  B23K20/023 ,  B23K20/233 ,  B23K20/24 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/12 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24545 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00

摘要： Bonding of substrates including metal-dielectric patterns on a surface with the metal raised above the dielectric is disclosed. One method includes providing a first substrate having a metal-dielectric pattern on a surface thereof; providing a second substrate having a metal-dielectric pattern on a surface thereof; performing a process resulting in the metal being raised above the dielectric; cleaning the metal; and bonding the first substrate to the second substrate. A related structure is also disclosed. The bonding of raised metal provides a strong bonding medium, and good electrical and thermal connections enabling creation of three dimensional integrated structures with enhanced functionality.

摘要翻译： 公开了包括金属介电图案在衬底上的金属与在电介质上方凸起的金属的结合。 一种方法包括在其表面上提供具有金属 - 电介质图案的第一基板; 提供在其表面上具有金属 - 电介质图案的第二基板; 执行导致金属在电介质上方升高的过程; 清洗金属; 以及将所述第一基板接合到所述第二基板。 还公开了相关的结构。 凸起金属的结合提供了强大的粘合介质，以及良好的电气和热连接，能够创建具有增强功能的三维集成结构。

公开(公告)号：US20110272287A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12776010

申请日：2010-05-07

申请人： Elizabeth A. Duch ,  Ronald Goldblatt ,  David L. Rath ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Xiaoyan Shao ,  Steven E. Steen ,  James Vichiconti

发明人： Elizabeth A. Duch ,  Ronald Goldblatt ,  David L. Rath ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Xiaoyan Shao ,  Steven E. Steen ,  James Vichiconti

IPC分类号： C25D5/34

CPC分类号： C25D5/48 ,  C25D5/02 ,  G11B5/855 ,  G11B5/858

摘要： A method of patterning magnetic devices and sensors by double etching, which includes forming a layer of dielectric on a substrate; depositing a thin adhesion layer and a thin seed layer; applying a thin resist frame to pattern a structure; cleaning the metal surface to prepare for plating; electroplating to fill up the structure and the uncovered field area, which uses a paddle cell with a permanent magnet providing magnetic field to induce magnetic orientation; stripping the resist frame; etching the seed layer/adhesion layer exposed below the resist frame down to the dielectric surface; etching the rest of magnetic materials and the seed layer using electrolytic etching in the field; etching the adhesion layer in the field, and repeating the steps for building structures with multiple levels.

摘要翻译： 一种通过双蚀刻图案化磁性器件和传感器的方法，包括在衬底上形成电介质层; 沉积薄的粘合层和薄的种子层; 施加薄的抗蚀剂框架以构图结构; 清洗金属表面进行电镀准备; 电镀以填充结构和未覆盖的场区域，其使用具有提供磁场的永磁体的桨电池来诱导磁取向; 剥离抗蚀框架; 将暴露在抗蚀剂框架下方的种子层/粘合层蚀刻到电介质表面; 在现场使用电解蚀刻蚀刻其余的磁性材料和种子层; 在现场蚀刻粘合层，并重复用于建造具有多层结构的步骤。

公开(公告)号：US20090233236A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：US12049780

申请日：2008-03-17

申请人： Charles T. Black ,  Matthew E. Colburn ,  David L. Rath

发明人： Charles T. Black ,  Matthew E. Colburn ,  David L. Rath

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/039 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

摘要： In one embodiment, the present invention provides a method for patterning a surface that includes forming a block copolymer atop a heterogeneous reflectivity surface, wherein the block copolymer is segregated into first and second units; applying a radiation to the first units and second units, wherein the heterogeneous reflectivity surface produces an exposed portion of the first units and the second units; and applying a development cycle to selectively remove at least one of the exposed first and second units of the segregated copolymer film to provide a pattern.

摘要翻译： 在一个实施方案中，本发明提供了一种用于图案化表面的方法，其包括在异质反射表面之上形成嵌段共聚物，其中嵌段共聚物分离成第一和第二单元; 对所述第一单元和第二单元施加辐射，其中所述异质反射表面产生所述第一单元和所述第二单元的暴露部分; 并且施加开发周期以选择性地去除所述分离的共聚物膜的暴露的第一和第二单元中的至少一个以提供图案。

公开(公告)号：US20090008361A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US11774041

申请日：2007-07-06

申请人： John A. Fitzsimmons ,  David L. Rath ,  Shom Ponoth ,  Michael Beck

发明人： John A. Fitzsimmons ,  David L. Rath ,  Shom Ponoth ,  Michael Beck

IPC分类号： H01B13/00 ,  B05D5/12 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08

CPC分类号： C23G1/103 ,  H01L21/02063

摘要： A composition that may be used for cleaning a metal containing conductor layer, such as a copper containing conductor layer, within a microelectronic structure includes an aqueous acid, along with an oxidant material and a passivant material contained within the aqueous acid. The composition does not include an abrasive material. The composition is particularly useful for cleaning a residue from a copper containing conductor layer and an adjoining dielectric layer that provides an aperture for accessing the copper containing conductor layer within a microelectronic structure.

摘要翻译： 微电子结构中可用于清洗含金属导体层（例如含铜导电体层）的组合物包括酸水溶液以及氧化剂材料和含水酸性物质中的钝化材料。 组合物不包括研磨材料。 所述组合物特别可用于从含铜导体层和邻接的介电层清洁残留物，所述相邻介电层提供用于在微电子结构内进入含铜导体层的孔。

公开(公告)号：US20080286701A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11749800

申请日：2007-05-17

申请人： David L. Rath ,  Emanuel I. Cooper

发明人： David L. Rath ,  Emanuel I. Cooper

IPC分类号： G03C5/58 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/14 ,  C23F1/18 ,  C23F1/34

摘要： An etching composition, particularly for kinetically controlled etching of copper and copper alloy surfaces; a process for etching copper and copper alloys, particularly for etching at high rates to provide uniform and smooth, isotropic surfaces; an etched copper or copper alloy surface obtained by the process; and a process for generating copper or copper alloy electrical interconnects or contact pads. The etching composition and etching processes provide a smooth, isotropic fast etch of copper and copper alloys for semiconductor fabrication and packaging.

摘要翻译： 蚀刻组合物，特别用于铜和铜合金表面的动态控制蚀刻; 蚀刻铜和铜合金的方法，特别是用于高速蚀刻以提供均匀和光滑的各向同性表面的方法; 通过该方法获得的蚀刻铜或铜合金表面; 以及用于产生铜或铜合金电互连或接触焊盘的工艺。 蚀刻组合物和蚀刻工艺提供用于半导体制造和封装的铜和铜合金的平滑，各向同性的快速蚀刻。

公开(公告)号：US07064064B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US11058783

申请日：2005-02-16

申请人： Shyng-Tsong Chen ,  Timothy J. Dalton ,  Kenneth M. Davis ,  Chao-Kun Hu ,  Fen F. Jamin ,  Steffen K. Kaldor ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Kaushik Kumar ,  Michael F. Lofaro ,  Sandra G. Malhotra ,  Chandrasekhar Narayan ,  David L. Rath ,  Judith M. Rubino ,  Katherine L. Saenger ,  Andrew H. Simon ,  Sean P. E. Smith ,  Wei-tsu Tseng

发明人： Shyng-Tsong Chen ,  Timothy J. Dalton ,  Kenneth M. Davis ,  Chao-Kun Hu ,  Fen F. Jamin ,  Steffen K. Kaldor ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Kaushik Kumar ,  Michael F. Lofaro ,  Sandra G. Malhotra ,  Chandrasekhar Narayan ,  David L. Rath ,  Judith M. Rubino ,  Katherine L. Saenger ,  Andrew H. Simon ,  Sean P. E. Smith ,  Wei-tsu Tseng

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure is disclosed that has a layer of logical and functional devices and an interconnection layer above the layer of logical and functional devices. The interconnection layer has a substrate, conductive features within the substrate and caps positioned only above the conductive features.

摘要翻译： 公开了一种集成电路结构，其具有逻辑和功能器件层以及逻辑和功能器件层之上的互连层。 互连层具有衬底，衬底内的导电特征和仅位于导电特征之上的盖。

公开(公告)号：US06974770B2

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US10600034

申请日：2003-06-20

申请人： Gregory Costrini ,  Kia-Seng Low ,  David L. Rath ,  Michael C. Gaidis ,  Walter Glashauser

发明人： Gregory Costrini ,  Kia-Seng Low ,  David L. Rath ,  Michael C. Gaidis ,  Walter Glashauser

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76834

摘要： Self-aligning vias and trenches etched between adjacent lines of metallization allows the area of the dielectric substrate allocated to the via or trench to be significantly reduced without increasing the possibility of electrical shorts to the adjacent lines of metallization.

摘要翻译： 在相邻的金属化线之间蚀刻的自对准通孔和沟槽允许分配给通孔或沟槽的电介质衬底的面积显着减小，而不增加对相邻金属化线的电短路的可能性。

公开(公告)号：US6066267A

公开(公告)日：2000-05-23

申请号：US342710

申请日：1999-06-29

申请人： David L. Rath ,  Rangarajan Jagannathan ,  Kenneth J. McCullough ,  Harald F. Okorn-Schmidt ,  Karen P. Madden ,  Keith R. Pope

发明人： David L. Rath ,  Rangarajan Jagannathan ,  Kenneth J. McCullough ,  Harald F. Okorn-Schmidt ,  Karen P. Madden ,  Keith R. Pope

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： Silicon nitride is etched employing a composition containing a fluoride containing compound, certain organic solvents, and water.

摘要翻译： 使用含有含氟化合物，某些有机溶剂和水的组合物来蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：US5576099A

公开(公告)日：1996-11-19

申请号：US477696

申请日：1990-02-09

申请人： Donald F. Canaperi ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Sol Krongelb ,  David L. Rath ,  Lubomyr T. Romakiw

发明人： Donald F. Canaperi ,  Mahadevaiyer Krishnan ,  Sol Krongelb ,  David L. Rath ,  Lubomyr T. Romakiw

IPC分类号： G11B5/147 ,  G11B5/31 ,  H01F10/00 ,  H01F10/32 ,  G11B5/66 ,  B32B5/16

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11B5/3113 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3204 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/12931 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

摘要： Laminates of magnetic and magnetic quenching laminae are provided for use as magnetic thin film laminates for use in magnetic recording heads. The use of these films significantly reduces the number of domains and Barkhausen noise levels in such recording heads.

摘要翻译： 提供磁和磁性淬火层的层压板用作用于磁记录头的磁性薄膜层压板。 这些膜的使用显着地减少了这种记录头中的域数和Barkhausen噪声水平。