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    SELECTOR FOR LOW VOLTAGE EMBEDDED MEMORY
    26.
    发明申请
    SELECTOR FOR LOW VOLTAGE EMBEDDED MEMORY 有权
    低电压嵌入式存储器的选择器

    公开(公告)号：US20140209892A1

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：US13997392

    申请日：2012-04-12

    申请人： Charles Kuo ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau

    发明人： Charles Kuo ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau

    IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/71 ,  H01L43/12

    摘要： Techniques, materials, and circuitry are disclosed which enable low-voltage, embedded memory applications. In one example embodiment, an embedded memory is configured with a bitcell having a memory element and a selector element serially connected between an intersection of a wordline and bitline. The selector element can be implemented, for instance, with any number of crystalline materials that exhibit an S-shaped current-voltage (IV) curve, or that otherwise enables a snapback in the selector voltage after the threshold criteria is exceeded. The snapback of the selector is effectively exploited to accommodate the ON-state voltage of the selector under a given maximum supply voltage, wherein without the snapback, the ON-state voltage would exceed that maximum supply voltage. In some example embodiments, the maximum supply voltage is less than 1 volt (e.g., 0.9 volts or less).

    摘要翻译： 公开了能够实现低电压嵌入式存储器应用的技术，材料和电路。 在一个示例性实施例中，嵌入式存储器配置有具有存储器元件和串行连接在字线和位线的交叉点之间的选择器元件的位单元。 选择器元件可以例如用任何数量的表现出S形电流 - 电压（IV）曲线的结晶材料来实现，或者否则在超过阈值标准之后能使得在选择器电压中的回跳。 选择器的快速恢复被有效地用于在给定的最大电源电压下适应选择器的导通状态电压，其中在没有快速恢复的情况下，导通状态电压将超过该最大供电电压。 在一些示例性实施例中，最大供电电压小于1伏特（例如，0.9伏或更小）。

    Selector for low voltage embedded memory
    27.
    发明授权
    Selector for low voltage embedded memory 有权
    低电压嵌入式存储器的选择器

    公开(公告)号：US09543507B2

    公开(公告)日：2017-01-10

    申请号：US13997392

    申请日：2012-04-12

    申请人： Charles Kuo ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau

    发明人： Charles Kuo ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau

    IPC分类号： H01L43/10 ,  G11C8/10 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C11/16 ,  G11C13/00 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C8/10 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/71 ,  H01L43/12

    摘要： Techniques, materials, and circuitry are disclosed which enable low-voltage, embedded memory applications. In one example embodiment, an embedded memory is configured with a bitcell having a memory element and a selector element serially connected between an intersection of a wordline and bitline. The selector element can be implemented, for instance, with any number of crystalline materials that exhibit an S-shaped current-voltage (IV) curve, or that otherwise enables a snapback in the selector voltage after the threshold criteria is exceeded. The snapback of the selector is effectively exploited to accommodate the ON-state voltage of the selector under a given maximum supply voltage, wherein without the snapback, the ON-state voltage would exceed that maximum supply voltage. In some example embodiments, the maximum supply voltage is less than 1 volt (e.g., 0.9 volts or less).

    摘要翻译： 公开了能够实现低电压嵌入式存储器应用的技术，材料和电路。 在一个示例性实施例中，嵌入式存储器配置有具有存储器元件和串行连接在字线和位线的交叉点之间的选择器元件的位单元。 选择器元件可以例如用任何数量的表现出S形电流 - 电压（IV）曲线的结晶材料来实现，或者否则在超过阈值标准之后能使得在选择器电压中的回跳。 选择器的快速恢复被有效地用于在给定的最大电源电压下适应选择器的导通状态电压，其中在没有快速恢复的情况下，导通状态电压将超过该最大供电电压。 在一些示例性实施例中，最大供电电压小于1伏特（例如，0.9伏或更小）。

    LOW POWER PHASE CHANGE MEMORY CELL
    29.
    发明申请
    LOW POWER PHASE CHANGE MEMORY CELL 有权
    低功率相变存储器单元

    公开(公告)号：US20140003123A1

    公开(公告)日：2014-01-02

    申请号：US13534267

    申请日：2012-06-27

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Kuo-Wei Chang ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Kuo-Wei Chang ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

    摘要： A memory may include two electrodes and phase change material having an amorphous reset state and a partially crystalized set state, coupled between the two electrodes. The phase change material in the set state may have a highly nonlinear current-voltage response in a subthreshold voltage region. The phase change material may be an alloy of indium, antimony, and tellurium.

    摘要翻译： 存储器可以包括耦合在两个电极之间的具有非晶复位状态和部分结晶化设置状态的两个电极和相变材料。 设定状态下的相变材料在亚阈值电压区域中可能具有高度非线性的电流 - 电压响应。 相变材料可以是铟，锑和碲的合金。

    METHOD AND APPARATUS TO RESET A PHASE CHANGE MEMORY AND SWITCH (PCMS) MEMORY CELL
    30.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS TO RESET A PHASE CHANGE MEMORY AND SWITCH (PCMS) MEMORY CELL 有权
    复位相变存储器和开关（PCMS）存储器单元的方法和装置

    公开(公告)号：US20120243306A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13052211

    申请日：2011-03-21

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076

    摘要： The present disclosure relates to the fabrication of non-volatile memory devices. In at least one embodiment, the non-volatile memory of the present disclosure may include a phase change memory and switch (hereinafter “PCMS”) memory cell and a process for resetting the PCMS memory utilizing a “look-up” table to calculate a current required to place a bit above a reference level to maximum threshold voltage.

    摘要翻译： 本公开涉及非易失性存储器件的制造。 在至少一个实施例中，本公开的非易失性存储器可以包括相变存储器和开关（以下称为“PCMS”）存储器单元和利用“查找”表来重新计算PCMS存储器的过程，以计算 将参考电平位置高于最大阈值电压所需的电流。