公开(公告)号：US07235838B2

公开(公告)日：2007-06-26

申请号：US10881372

申请日：2004-06-30

申请人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee

发明人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10832 ,  H01L27/10835 ,  H01L27/10858 ,  H01L27/10861 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/55 ,  H01L28/82

摘要： A method for forming a semiconductor device including a DRAM cell structure comprising a silicon on insulator (SOI) substrate with an embedded capacitor structure including providing a substrate comprising an overlying first electrically insulating layer; forming a first electrically conductive layer on the first electrically insulating layer to form a first electrode; forming a capacitor dielectric layer on the first electrode; forming a second electrically conductive layer on the capacitor dielectric layer to form a second electrode; forming a second electrically insulating layer on the second electrode; and, forming a monocrystalline silicon layer over the second electrode to form an SOI substrate comprising a first capacitor structure.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的方法，该半导体器件包括具有嵌入式电容器结构的绝缘体上硅（SOI）衬底的DRAM单元结构，包括提供包括上覆的第一电绝缘层的衬底; 在所述第一电绝缘层上形成第一导电层以形成第一电极; 在所述第一电极上形成电容器电介质层; 在所述电容器介电层上形成第二导电层以形成第二电极; 在所述第二电极上形成第二电绝缘层; 以及在所述第二电极上形成单晶硅层以形成包括第一电容器结构的SOI衬底。

公开(公告)号：US07175709B2

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：US10847099

申请日：2004-05-17

申请人： Pang-Yen Tsai ,  Liang-Gi Yao ,  Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Shih-Chang Chen

发明人： Pang-Yen Tsai ,  Liang-Gi Yao ,  Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： C30B25/04

CPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/52 ,  Y10S438/933

摘要： A method of forming an epitaxial layer of uniform thickness is provided to improve surface flatness. A substrate is first provided and a Si base layer is then formed on the substrate by epitaxy. A Si—Ge layer containing 5 to 10% germanium is formed on the Si base layer by epitaxy to normalize the overall thickness of the Si base layer and the Si—Ge layer containing 5 to 10% germanium.

摘要翻译： 提供了形成均匀厚度的外延层的方法以改善表面平坦度。 首先提供衬底，然后通过外延在衬底上形成Si基层。 通过外延在Si基底层上形成含有5〜10％锗的Si-Ge层，以使Si基层和含有5〜10％锗的Si-Ge层的整体厚度归一化。

公开(公告)号：US06963114B2

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：US10749273

申请日：2003-12-29

申请人： Chun-Chieh Lin

发明人： Chun-Chieh Lin

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A microelectronic device including an insulator located over a substrate, a semiconductor feature and a contact layer. The semiconductor feature has a thickness over the insulator, a first surface opposite the insulator, and a sidewall spanning at least a portion of the thickness. The contact layer has a first member extending over at least a portion of the first surface and a second member spanning at least a portion of the sidewall.

摘要翻译： 包括位于衬底上的绝缘体，半导体特征和接触层的微电子器件。 半导体特征具有超过绝缘体的厚度，与绝缘体相对的第一表面和横跨至少一部分厚度的侧壁。 接触层具有在第一表面的至少一部分上延伸的第一构件和跨越侧壁的至少一部分的第二构件。

公开(公告)号：US20050158923A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11081104

申请日：2005-03-15

申请人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo

发明人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/01 ,  H01L29/45 ,  H01L29/68 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654

摘要： A semiconductor device (100), including a dielectric pedestal (220) located above and integral to a substrate (110) and having first sidewalls (230), a channel region (210) located above the dielectric pedestal (220) and having second sidewalls (240), and source and drain regions (410) opposing the channel region (210) and each substantially spanning one of the second sidewalls (240). An integrated circuit (800) incorporating the semiconductor device (100) is also disclosed, as well as a method of manufacturing the semiconductor device (100).

摘要翻译： 一种半导体器件（100），包括位于衬底（110）上方并与衬底（110）成一体并具有第一侧壁（230）的电介质基座（220），位于电介质基座（220）上方的通道区域（210） （240），以及与沟道区（210）相对并且每个基本跨越第二侧壁（240）中的一个的源极和漏极区（410）。 还公开了结合半导体器件（100）的集成电路（800），以及制造半导体器件（100）的方法。

公开(公告)号：US20050045965A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10831021

申请日：2004-04-23

申请人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chuan-Yi Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chuan-Yi Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648

摘要： Provided is a semiconductor device and a method for its fabrication. The device includes a semiconductor substrate, a first silicide in a first region of the substrate, and a second silicide in a second region of the substrate. The first silicide may differ from the second silicide. The first silicide and the second silicide may be an alloy silicide.

摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法。 该器件包括半导体衬底，衬底的第一区域中的第一硅化物和衬底的第二区域中的第二硅化物。 第一硅化物可能与第二硅化物不同。 第一硅化物和第二硅化物可以是合金硅化物。

公开(公告)号：US20050035345A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10832020

申请日：2004-04-26

申请人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Chenming Hu ,  Shang-Chih Chen ,  Chih-Hao Wang ,  Fu-Liang Yang ,  Yee-Chia Yeo

发明人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Chenming Hu ,  Shang-Chih Chen ,  Chih-Hao Wang ,  Fu-Liang Yang ,  Yee-Chia Yeo

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： An integrated circuit includes a substrate, a first transistor, and a second transistor. The first transistor has a first gate dielectric portion located between a first gate electrode and the substrate. The first gate dielectric portion includes a first high-permittivity dielectric material and/or a second high-permittivity dielectric material. The first gate dielectric portion has a first equivalent silicon oxide thickness. The second transistor has a second gate dielectric portion located between a second gate electrode and the substrate. The second gate dielectric portion includes the first high-permittivity dielectric material and/or the second high-permittivity dielectric material. The second gate dielectric portion has a second equivalent silicon oxide thickness. The second equivalent silicon oxide thickness may be different than the first equivalent silicon oxide thickness.

摘要翻译： 集成电路包括衬底，第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管具有位于第一栅电极和衬底之间的第一栅电介质部分。 第一栅介质部分包括第一高介电常数电介质材料和/或第二高介电常数介电材料。 第一栅介质部分具有第一等效氧化硅厚度。 第二晶体管具有位于第二栅电极和衬底之间的第二栅介质部分。 第二栅介质部分包括第一高介电常数电介质材料和/或第二高介电常数介电材料。 第二栅介质部分具有第二等效氧化硅厚度。 第二等效氧化硅厚度可以不同于第一等效氧化硅厚度。

公开(公告)号：US09673280B2

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：US11714416

申请日：2007-03-06

申请人： Chien-Chao Huang ,  Yee-Chia Yeo ,  Chao-Hsiung Wang ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chien-Chao Huang ,  Yee-Chia Yeo ,  Chao-Hsiung Wang ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A method comprises providing a semiconductor alloy layer on a semiconductor substrate, forming a gate structure on the semiconductor alloy layer, forming source and drain regions in the semiconductor substrate on both sides of the gate structure, removing at least a portion of the semiconductor alloy layer overlying the source and drain regions, and forming a metal silicide region over the source and drain regions.

公开(公告)号：US09269612B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US13434691

申请日：2012-03-29

申请人： Chien-An Chen ,  Wen-Jiun Liu ,  Chun-Chieh Lin ,  Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai ,  Syun-Ming Jang

发明人： Chien-An Chen ,  Wen-Jiun Liu ,  Chun-Chieh Lin ,  Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure includes a first trench and a second trench. The second trench is wider than the first trench. Both trenches are lined with a diffusion barrier layer, and a first conductive layer is deposited over the diffusion barrier layer. A metal cap layer is deposited over the first conductive layer. A second conductive layer is deposited over the metal cap layer in the second trench.

摘要翻译： 互连结构包括第一沟槽和第二沟槽。 第二沟槽比第一沟槽宽。 这两个沟槽都带有扩散阻挡层，并且第一导电层沉积在扩散阻挡层上。 在第一导电层上沉积金属覆盖层。 第二导电层沉积在第二沟槽中的金属覆盖层上。

公开(公告)号：US20140067789A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13603302

申请日：2012-09-04

申请人： Rafi Ahmed ,  Chun-Chieh Lin ,  Mohamed Zait

发明人： Rafi Ahmed ,  Chun-Chieh Lin ,  Mohamed Zait

IPC分类号： G06F17/30

摘要： A method, apparatus, and stored instructions are provided for transforming a query representation by unnesting a predicate condition that is based on whether or not a result exists for a subquery of the predicate condition. An initial query representation is received. The initial query representation represents an initial query that includes an EXISTS-equivalent predicate or a NOT-EXISTS-equivalent predicate and at least one other predicate in a disjunction. The initial query representation is transformed into a semantically equivalent transformed query representation that represents a transformed query. The transformed query includes, instead of the EXISTS-equivalent predicate or a NOT-EXISTS-equivalent predicate, a join operator that references the data object. The transformed query representation, when used for execution, causes the at least one other predicate to be applied separately from a join operation caused by the join operator such that execution of the initial representation is semantically equivalent to execution of the transformed representation.

摘要翻译： 提供了一种方法，装置和存储的指令，用于通过不知道基于谓词条件的子查询的结果是否存在的谓词条件来转换查询表示。 收到初始查询表示。 初始查询表示代表一个初始查询，其中包含EXISTS等效谓词或NOT-EXISTS等价谓词和至少一个其他谓词。 初始查询表示被转换成表示变换查询的语义上等同的变换查询表示。 转换后的查询包括引用数据对象的连接运算符，而不是EXISTS等效谓词或NOT-EXISTS等效谓词。 经变换的查询表示当用于执行时，使至少一个其他谓词与由连接运算符引起的连接操作分开应用，使得初始表示的执行在语义上等同于转换表示的执行。

公开(公告)号：US07989901B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US11796369

申请日：2007-04-27

申请人： Chun-Chieh Lin ,  Wei-Hua Hsu ,  Yu-En Percy Chang ,  Chung Li Chang ,  Chi-Feng Cheng ,  Win Hung ,  Kishimoto Ko

发明人： Chun-Chieh Lin ,  Wei-Hua Hsu ,  Yu-En Percy Chang ,  Chung Li Chang ,  Chi-Feng Cheng ,  Win Hung ,  Kishimoto Ko

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor structure and methods for forming the same are provided. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate; a gate stack on the semiconductor substrate; a SiGe region in the semiconductor substrate and adjacent the gate stack, wherein the SiGe region has a first atomic percentage of germanium to germanium and silicon; and a silicide region over the SiGe region. The silicide region has a second atomic percentage of germanium to germanium and silicon. The second atomic percentage is substantially lower than the first atomic percentage.

摘要翻译： 提供半导体结构及其形成方法。 半导体结构包括半导体衬底; 半导体衬底上的栅极堆叠; SiGe区域，其中SiGe区域具有锗到锗和硅的第一原子百分比; 以及SiGe区域上的硅化物区域。 硅化物区域具有锗与锗和硅的第二原子百分比。 第二原子百分比基本上低于第一原子百分数。