公开(公告)号：US20160326063A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：US15215886

申请日：2016-07-21

申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

发明人： Martin ENGLER ,  Krishna UIBEL ,  Jens EICHLER

IPC分类号： C04B35/583 ,  C08K3/28 ,  C04B35/626 ,  C01B21/064 ,  C09K5/14

CPC分类号： C04B35/583 ,  C01B21/064 ,  C01B21/0648 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/628 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C08K3/28 ,  C09K5/14 ,  Y10T428/24372 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2982

摘要： The invention relates to boron nitride agglomerates, comprising lamellar, hexagonal boron nitride primary particles, which are agglomerated with one another with a preferred orientation, the agglomerates formed being flake-shaped.The invention also relates to a method for producing said boron nitride agglomerates, characterized in that lamellar, hexagonal boron nitride primary particles are agglomerated in such a way that they line up with one another with a preferred orientation.The flake-shaped agglomerates according to the invention are suitable as filler for polymers for making polymer-boron nitride composites and for hot pressing of boron nitride sintered compacts.

摘要翻译： 根据本发明的片状附聚物适用作用于制备聚合物 - 氮化硼复合材料的聚合物的填料和用于热压氮化硼烧结体的填料。

公开(公告)号：US09422200B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US12964195

申请日：2010-12-09

申请人： Martin Engler ,  Krishna Uibel ,  Jens Eichler

发明人： Martin Engler ,  Krishna Uibel ,  Jens Eichler

IPC分类号： B32B5/16 ,  B32B9/00 ,  C01B21/064 ,  C04B35/583 ,  C04B35/626 ,  C04B35/628 ,  C04B35/645

CPC分类号： C04B35/583 ,  C01B21/064 ,  C01B21/0648 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/628 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C08K3/28 ,  C09K5/14 ,  Y10T428/24372 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/2982

摘要： The invention relates to boron nitride agglomerates, comprising lamellar, hexagonal boron nitride primary particles, which are agglomerated with one another with a preferred orientation, the agglomerates formed being flake-shaped.The invention also relates to a method for producing said boron nitride agglomerates, characterized in that lamellar, hexagonal boron nitride primary particles are agglomerated in such a way that they line up with one another with a preferred orientation.The flake-shaped agglomerates according to the invention are suitable as filler for polymers for making polymer-boron nitride composites and for hot pressing of boron nitride sintered compacts.

摘要翻译： 本发明涉及氮化硼附聚物，其包括层叠的六方氮化硼一次粒子，它们以优选的取向相互凝聚，形成的片状为片状。 本发明还涉及一种用于生产所述氮化硼附聚物的方法，其特征在于，层状六方氮化硼一次粒子以这样的方式凝聚，使得它们以优选的取向相互排列。 根据本发明的片状附聚物适用作用于制备聚合物 - 氮化硼复合材料的聚合物的填料和用于热压氮化硼烧结体的填料。

公开(公告)号：US09018117B2

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US13791857

申请日：2013-03-08

申请人： Massachusetts Institute of Technology

发明人： Christopher Allan Schuh ,  Alan Lai

IPC分类号： C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  C04B35/50 ,  C04B35/057 ,  C04B35/111 ,  C04B35/18 ,  C04B35/195 ,  C04B35/46 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/547 ,  C04B35/626 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/20 ,  C04B35/22 ,  C04B38/00

CPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/01 ,  C04B35/057 ,  C04B35/111 ,  C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/195 ,  C04B35/20 ,  C04B35/22 ,  C04B35/46 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/547 ,  C04B35/6262 ,  C04B38/00 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  C04B35/48 ,  C04B38/0058

摘要： Shape memory and pseudoelastic martensitic behavior is enabled by a structure in which there is provided a crystalline ceramic material that is capable of undergoing a reversible martensitic transformation and forming martensitic domains, during such martensitic transformation, that have an elongated domain length. The ceramic material is configured as a ceramic material structure including a structural feature that is smaller than the elongated domain length of the ceramic material.

摘要翻译： 形状记忆和假弹性马氏体行为是通过这样一种结构实现的，其结构是在这样的马氏体转变过程中能够经历可逆马氏体转变并形成马氏体结构的结晶陶瓷材料，其具有细长的畴长度。 陶瓷材料被构造成陶瓷材料结构，其包括小于陶瓷材料的细长结构域长度的结构特征。

公开(公告)号：US20150061107A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：US14534808

申请日：2014-11-06

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA ,  TOSHIBA MATERIALS CO., LTD.

发明人： Takayuki NABA

IPC分类号： H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L23/15 ,  C04B35/584 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4853 ,  C04B41/4961 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5127 ,  C04B41/515 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/5161 ,  C04B41/83 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/259 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/5063 ,  H01L2924/00

摘要： An insulation sheet made from silicon nitride comprising: a sheet-shaped silicon-nitride substrate which contains β-silicon-nitride crystal grains as a main phase; and a surface layer which is formed on one face or both front and back faces of surfaces of the silicon-nitride substrate and is formed from a resin or a metal which includes at least one element selected from among In, Sn, Al, Ag, Au, Cu, Ni, Pb, Pd, Sr, Ce, Fe, Nb, Ta, V and Ti. A semiconductor module structure using the insulation sheet made from silicon nitride.

摘要翻译： 1.一种由氮化硅制成的绝缘片，其特征在于，包括：含有氮化硅晶粒作为主相的片状氮化硅衬底; 以及表面层，其形成在氮化硅衬底的表面的一个面或其前表面和后表面上，并且由树脂或金属形成，所述树脂或金属包括选自In，Sn，Al，Ag中的至少一种元素， Au，Cu，Ni，Pb，Pd，Sr，Ce，Fe，Nb，Ta，V和Ti。 使用由氮化硅制成的绝缘片的半导体模块结构。

公开(公告)号：US08916961B2

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US13386735

申请日：2010-07-15

申请人： Takayuki Naba

发明人： Takayuki Naba

IPC分类号： H01L23/04 ,  C04B35/584 ,  C04B41/00 ,  C04B41/48 ,  C04B41/49 ,  C04B41/51 ,  C04B41/83 ,  C04B41/88 ,  H01L23/15 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40 ,  C04B111/00

CPC分类号： H01L23/15 ,  C04B35/584 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4853 ,  C04B41/4961 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/5127 ,  C04B41/515 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/5161 ,  C04B41/83 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12472 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/259 ,  Y10T428/263 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/5063 ,  H01L2924/00

摘要： An insulation sheet made from silicon nitride comprising: a sheet-shaped silicon-nitride substrate which contains β-silicon-nitride crystal grains as a main phase; and a surface layer which is formed on one face or both front and back faces of surfaces of the silicon-nitride substrate and is formed from a resin or a metal which includes at least one element selected from among In, Sn, Al, Ag, Au, Cu, Ni, Pb, Pd, Sr, Ce, Fe, Nb, Ta, V and Ti. A semiconductor module structure using the insulation sheet made from silicon nitride.

摘要翻译： 1.一种由氮化硅制成的绝缘片，其特征在于，包括：含有氮化硅晶粒作为主相的片状氮化硅衬底; 以及表面层，其形成在氮化硅衬底的表面的一个面或其前表面和后表面上，并且由树脂或金属形成，所述树脂或金属包括选自In，Sn，Al，Ag中的至少一种元素， Au，Cu，Ni，Pb，Pd，Sr，Ce，Fe，Nb，Ta，V和Ti。 使用由氮化硅制成的绝缘片的半导体模块结构。

公开(公告)号：US20140328747A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：US14305267

申请日：2014-06-16

申请人： NGK INSULATORS, LTD.

发明人： Jun YOSHIKAWA ,  Katsuhiro IMAI ,  Koichi KONDO

IPC分类号： H01J37/34 ,  C04B35/64 ,  C01G9/02 ,  C04B35/453

CPC分类号： H01J37/3426 ,  B32B18/00 ,  C01G9/02 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B37/026 ,  C04B2111/0037 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/081

摘要： Provided is a zinc oxide sputtering target, which can effectively suppress the occurrence of break or crack in the target during sputtering to enable production of a zinc oxide transparent conductive film with high productivity. The zinc oxide sputtering target is composed of a zinc oxide sintered body comprising zinc oxide crystal grains, wherein the zinc oxide sputtering target has a sputter surface having a (100) crystal orientation degree of 50% or more.

摘要翻译： 提供一种氧化锌溅射靶，其可以有效地抑制溅射期间目标物的断裂或裂纹的发生，从而能够以高生产率制造氧化锌透明导电膜。 氧化锌溅射靶由包含氧化锌晶粒的氧化锌烧结体构成，其中，氧化锌溅射靶具有（100）晶体取向度为50％以上的溅射面。

公开(公告)号：US20140220302A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：US14241789

申请日：2012-10-11

申请人： HITACHI METALS, LTD.

发明人： Youichirou Kaga

IPC分类号： H05K1/03

CPC分类号： H05K1/0306 ,  B32B18/00 ,  C04B35/583 ,  C04B35/587 ,  C04B35/64 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2203/1126 ,  H05K2203/1131 ,  Y10T428/24421 ,  H01L2924/00

摘要： A silicon nitride substrate including a phase encompassed of silicon nitride particles, and intergranular phase formed from a sintering aid, wherein a separation layer is formed on the surface of a molded body including silicon nitride powder, sintering aid powder, and organic binder, by using a boron nitride paste containing boron nitride powder, organic binder, and organic solvent; the separation layer and molded body are heated; the organic binder is removed from the separation layer and molded body; subsequently molded bodies stacked with a separation layer therebetween, are sintered. Boron nitride paste contains 0.01 to 0.50% by oxygen mass and 0.001 to 0.5% by carbon mass, and c/a is within range of 0.02 to 10.00, where c is oxygen content in the powder of the boron nitride paste, and a carbon content in the degreased separation layer, which includes 0.2 to 3.5 mg/cm2 of hexagonal boron nitride powder.

摘要翻译： 包括氮化硅颗粒的相的氮化硅衬底和由烧结助剂形成的晶间相，其中通过使用包含氮化硅粉末，烧结助剂粉末和有机粘合剂的成型体的表面上形成分离层， 含有氮化硼粉末，有机粘合剂和有机溶剂的氮化硼糊料; 分离层和成型体被加热; 从分离层和成型体中除去有机粘合剂; 随后在其间层叠有分离层的成型体被烧结。 氮化硼浆料含有0.01〜0.50％的氧质量和0.001〜0.5％的碳质量，c / a在0.02〜10.00的范围内，c是氮化硼糊的粉末中的氧含量，碳含量 在脱脂分离层中，其包含0.2至3.5mg / cm 2的六方氮化硼粉末。

公开(公告)号：US08512590B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13211422

申请日：2011-08-17

申请人： Takashi Takami ,  Hiroshi Iwasaki ,  Yoshinori Kobayashi ,  Naoki Mochi ,  Ryuji Gotoh

发明人： Takashi Takami ,  Hiroshi Iwasaki ,  Yoshinori Kobayashi ,  Naoki Mochi ,  Ryuji Gotoh

IPC分类号： H01F1/11 ,  H02K15/03

CPC分类号： H01F7/02 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/2633 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/62204 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  H01F1/11 ,  H01F41/0266 ,  H01F41/028

摘要： A method for producing a sintered ferrite magnet having an M-type ferrite structure and represented by: Ca1−x−yRxBayFe2n-zCoz, (by atomic ratio), where 0.3≦1−x−y≦0.65, 0.2≦x≦0.65, 0.001≦y≦0.2, 0.03≦z≦0.65, 4≦n≦7, and 1−x−y>y. The method includes mixing a Ca compound, an R element compound, a Ba compound, an iron compound and a Co compound as starting materials; calcining the starting materials to obtain calcined bodies; pulverizing the calcined bodies to obtain a calcined powder; providing recycled materials having an M-type ferrite structure and being represented by the above formula; pulverizing the recycled materials to obtain a recycled material powder; mixing the recycled material powder with the calcined powder to form a moldable material; molding the moldable material to obtain green bodies; and sintering the green bodies to obtain the sintered ferrite magnet.

摘要翻译： 一种具有M型铁氧体结构的烧结铁氧体磁体的制造方法，其特征在于，以Ca1-x-yRxBayFe2n-zCoz（原子比）表示，其中0.3≤1-xy≤0.65，0.2≤x≤0.65，0.001 @ y@0.2，0.03 @ z @ 0.65,4 @ n @ 7和1-xy> y。 该方法包括混合Ca化合物，R元素化合物，Ba化合物，铁化合物和Co化合物作为起始材料; 煅烧原料以获得煅烧体; 粉碎煅烧体以获得煅烧粉末; 提供具有M型铁氧体结构并由上式表示的再循环材料; 粉碎回收材料以获得再生材料粉末; 将再生材料粉末与煅烧粉末混合以形成可模制材料; 模制可模制材料以获得生坯体; 并烧结生坯以获得烧结的铁氧体磁体。

公开(公告)号：US20130090228A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13628684

申请日：2012-09-27

申请人： Christopher J. Reilly ,  Vimal K. Pujari ,  Edmund A. Cortellini ,  David M. McElwee

发明人： Christopher J. Reilly ,  Vimal K. Pujari ,  Edmund A. Cortellini ,  David M. McElwee

IPC分类号： C04B35/587 ,  C04B35/584

CPC分类号： C04B35/587 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/584 ,  C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

摘要： A composite article having a body including a first phase that includes a nitride material, a second phase that includes a carbide material, and a third phase having one of an amorphous phase material with a nitrogen content of at least about 1.6 wt % or an amorphous phase material comprising carbon.

摘要翻译： 一种复合制品，其具有包括第一相的主体，所述第一相包括氮化物材料，包括碳化物材料的第二相和具有至少约1.6重量％的氮含量的无定形相材料之一的第三相或非晶形 包含碳的相材料。

公开(公告)号：US20120321853A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13581171

申请日：2011-02-24

申请人： Mami Iida ,  Mieko Yashima ,  Yuusaku Ishimine ,  Kazuhiro Ishikawa

发明人： Mami Iida ,  Mieko Yashima ,  Yuusaku Ishimine ,  Kazuhiro Ishikawa

IPC分类号： B32B3/14

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  F16C33/62 ,  F16C2206/56 ,  F16J15/3496 ,  Y10T428/24421

摘要： Disclosed are a silicon carbide sintered body and a sliding component using the same, and a protective body which, even when fine cracks are generated due to thermal shock or mechanical impact over prolonged use, are capable of inhibiting development of the cracks. The silicon carbide sintered body contains silicon carbide grains as a major component and has a relative density of 95% or more. On an observation surface of the silicon carbide sintered body, coarse silicon carbide grains 1b having a surface area of 170 μm2 or more occupy 6 area % or more and 15 area % or less. The silicon carbide sintered body has excellent mechanical properties such as strength and rigidity. Even when fine cracks are generated due to thermal shock or mechanical impact, coarse silicon carbide grains 1b are capable of inhibiting development of the cracks.

摘要翻译： 公开了一种碳化硅烧结体和使用该碳化硅烧结体的滑动部件，以及即使当长时间使用时由于热冲击或机械冲击而产生微细裂纹的保护体也能够抑制裂纹的发展。 碳化硅烧结体含有碳化硅晶粒作为主要成分，相对密度为95％以上。 在碳化硅烧结体的观察面上，表面积为170μm2以上的粗大碳化硅晶粒1b占面积％以上且面积％以下15面积％以下。 碳化硅烧结体具有优异的机械性能，例如强度和刚性。 即使由于热冲击或机械冲击而产生细小的裂缝，粗大的碳化硅晶粒1b也能够抑制裂纹的发展。