公开(公告)号：US07799614B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11962883

申请日：2007-12-21

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/34 ,  H05K7/12

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer. A through connection is formed in the electrically insulating layer to couple the second electrically conductive layer to the first electrically conductive layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。 在电绝缘层中形成直通连接，以将第二导电层耦合到第一导电层。

公开(公告)号：US20100155743A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12341370

申请日：2008-12-22

申请人： Michael Treu ,  Kathrin Rueschenschmidt ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Auerbach

发明人： Michael Treu ,  Kathrin Rueschenschmidt ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Auerbach

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

摘要： One aspect includes a semiconductor device with self-aligned contacts, integrated circuit and manufacturing method. One embodiment provides gate control structures. Each of the gate control structures is configured to control the conductivity of a channel region within a silicon carbide substrate by field effect. A contact hole is self-aligned to opposing sidewalls of adjacent gate control structures by intermediate spacers.

摘要翻译： 一个方面包括具有自对准触点的半导体器件，集成电路和制造方法。 一个实施例提供了门控制结构。 每个栅极控制结构被配置为通过场效应来控制碳化硅衬底内的沟道区的导电性。 接触孔通过中间间隔件自对准到相邻栅极控制结构的相对侧壁。

公开(公告)号：US20100019381A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12179912

申请日：2008-07-25

申请人： Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess ,  Stefan Kramp

发明人： Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess ,  Stefan Kramp

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device. One embodiment provides an electrically conductive carrier. A semiconductor chip is placed over the carrier. An electrically insulating layer is applied over the carrier and the semiconductor chip. The electrically insulating layer has a first face facing the carrier and a second face opposite to the first face. A first through-hole is in the electrically insulating layer. Solder material is deposited in the first through-hole and on the second face of the electrically insulating layer.

摘要翻译： 半导体器件及半导体器件的制造方法。 一个实施例提供导电载体。 半导体芯片放置在载体上。 在载体和半导体芯片上施加电绝缘层。 电绝缘层具有面向载体的第一面和与第一面相对的第二面。 第一通孔位于电绝缘层中。 焊料沉积在电绝缘层的第一通孔和第二面上。

公开(公告)号：US20090315108A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12143450

申请日：2008-06-20

申请人： Oliver Haeberlen

发明人： Oliver Haeberlen

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7825 ,  H01L21/283 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/407

摘要： A semiconductor device with a field electrode and method. One embodiment provides a controllable semiconductor device including a control electrode for controlling the semiconductor device and a field electrode. The field electrode includes a number of longish segments which extend in a first lateral direction and which run substantially parallel to one another. The control electrode includes a number of longish segments extending in a second lateral direction and running substantially parallel to one another, wherein the first lateral direction is different from the second lateral direction.

摘要翻译： 一种具有场电极和方法的半导体器件。 一个实施例提供了一种可控制的半导体器件，其包括用于控制半导体器件的控制电极和场电极。 场电极包括在第一横向方向上延伸并且基本上彼此平行地延伸的多个较长的段。 控制电极包括在第二横向方向上延伸并基本上彼此平行地延伸的多个长条，其中第一横向方向与第二横向方向不同。

公开(公告)号：US20090160046A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11962883

申请日：2007-12-21

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。

公开(公告)号：US20070278674A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11757039

申请日：2007-06-01

申请人： Oliver Haeberlen

发明人： Oliver Haeberlen

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/4824 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor arrangement with soldered clip connection and a method for producing such an arrangement is disclosed. One embodiment provides a semiconductor chip with soldered clip connection. A solderable front-side power metallization layer is provided. A gate finger structure is provided. A structured passivation layer is provided for the insulation of the gate finger from the soldered clip connection, the solderable power metallization layer being arranged over the passivation layer.

摘要翻译： 公开了一种具有焊接夹连接的功率半导体装置及其制造方法。 一个实施例提供了具有焊接夹连接的半导体芯片。 提供可焊接的前侧功率金属化层。 提供门指结构。 提供了结构化的钝化层，用于从焊接的夹子连接件对栅极指状物的绝缘，可焊接的电力金属化层布置在钝化层上。

公开(公告)号：US20070178624A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11733930

申请日：2007-04-11

申请人： Nikolaus Bott ,  Oliver Haeberlen ,  Manfred Kotek ,  Joost Larik ,  Josef Maerz ,  Ralf Otremba

发明人： Nikolaus Bott ,  Oliver Haeberlen ,  Manfred Kotek ,  Joost Larik ,  Josef Maerz ,  Ralf Otremba

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L25/16 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a vertical arrangement of at least two semiconductor components which are electrically insulated from one another by at least one passivation layer. The invention likewise relates to a method for fabricating such a semiconductor arrangement. A semiconductor arrangement is specified in which, inter alia, the risk of cracking at the metallization edges, for example, caused by thermomechanical loading, is reduced and the fabrication-dictated high content of radical hydrogen is minimized. Furthermore, a method for fabricating such a semiconductor arrangement is specified.

摘要翻译： 本发明涉及通过至少一个钝化层彼此电绝缘的至少两个半导体部件的垂直布置。 本发明同样涉及制造这种半导体装置的方法。 规定了一种半导体装置，其中特别地，例如由热机械载荷引起的金属化边缘处的开裂风险降低，制造规定的高含量的自由基氢被最小化。 此外，规定了制造这种半导体装置的方法。