公开(公告)号：US08441804B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US12179912

申请日：2008-07-25

申请人： Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess ,  Stefan Kramp

发明人： Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess ,  Stefan Kramp

IPC分类号： H05K7/00

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device. One embodiment provides an electrically conductive carrier. A semiconductor chip is placed over the carrier. An electrically insulating layer is applied over the carrier and the semiconductor chip. The electrically insulating layer has a first face facing the carrier and a second face opposite to the first face. A first through-hole is in the electrically insulating layer. Solder material is deposited in the first through-hole and on the second face of the electrically insulating layer.

摘要翻译： 半导体器件及半导体器件的制造方法。 一个实施例提供导电载体。 半导体芯片放置在载体上。 在载体和半导体芯片上施加电绝缘层。 电绝缘层具有面向载体的第一面和与第一面相对的第二面。 第一通孔位于电绝缘层中。 焊料沉积在电绝缘层的第一通孔和第二面上。

公开(公告)号：US20100019381A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12179912

申请日：2008-07-25

申请人： Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess ,  Stefan Kramp

发明人： Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess ,  Stefan Kramp

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/492 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device. One embodiment provides an electrically conductive carrier. A semiconductor chip is placed over the carrier. An electrically insulating layer is applied over the carrier and the semiconductor chip. The electrically insulating layer has a first face facing the carrier and a second face opposite to the first face. A first through-hole is in the electrically insulating layer. Solder material is deposited in the first through-hole and on the second face of the electrically insulating layer.

摘要翻译： 半导体器件及半导体器件的制造方法。 一个实施例提供导电载体。 半导体芯片放置在载体上。 在载体和半导体芯片上施加电绝缘层。 电绝缘层具有面向载体的第一面和与第一面相对的第二面。 第一通孔位于电绝缘层中。 焊料沉积在电绝缘层的第一通孔和第二面上。

公开(公告)号：US07928553B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12848612

申请日：2010-08-02

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/22 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. The first semiconductor chip comprises a first electrode on a first main surface and a second electrode on a second main surface. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer. A through connection is provided in the electrically insulating layer to couple the first electrically conductive layer to the second electrically conductive layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 第一半导体芯片包括第一主表面上的第一电极和第二主表面上的第二电极。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。 在电绝缘层中提供通孔连接以将第一导电层耦合到第二导电层。

公开(公告)号：US20100295171A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12848612

申请日：2010-08-02

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。

公开(公告)号：US07799614B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11962883

申请日：2007-12-21

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/34 ,  H05K7/12

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer. A through connection is formed in the electrically insulating layer to couple the second electrically conductive layer to the first electrically conductive layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。 在电绝缘层中形成直通连接，以将第二导电层耦合到第一导电层。

公开(公告)号：US20090160046A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11962883

申请日：2007-12-21

申请人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

发明人： Ralf Otremba ,  Oliver Haeberlen ,  Klaus Schiess

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device and method is disclosed. In one embodiment, a method includes providing an electrically insulating substrate. A first electrically conductive layer is applied over the electrically insulating substrate. A first semiconductor chip is placed over the first electrically conductive layer. An electrically insulating layer is applied over the first electrically conductive layer. A second electrically conductive layer is applied over the electrically insulating layer.

摘要翻译： 公开了一种电子设备和方法。 在一个实施例中，一种方法包括提供电绝缘基板。 将第一导电层施加在电绝缘基板上。 第一半导体芯片放置在第一导电层上。 电绝缘层施加在第一导电层上。 在电绝缘层上施加第二导电层。

公开(公告)号：US08193559B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US13081642

申请日：2011-04-07

申请人： Oliver Haeberlen ,  Walter Rieger ,  Martin Vielemeyer ,  Lutz Goergens ,  Martin Poelzl ,  Milko Paolucci ,  Johannes Schoiswohl ,  Joachim Krumrey ,  Sonja Krumrey, legal representative

发明人： Oliver Haeberlen ,  Walter Rieger ,  Martin Vielemeyer ,  Lutz Goergens ,  Martin Poelzl ,  Milko Paolucci ,  Johannes Schoiswohl ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823885 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7835 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： One aspect is monolithic semiconductor switches and method for manufacturing. One embodiment provides a semiconductor die with a first n-type channel FET and a second n-type channel FET. A source of the first n-type channel FET and a drain of the second n-type channel FET are electrically coupled to at least one contact area at a first side of the semiconductor die, respectively. A drain of the first n-type channel FET, a gate of the first n-type channel FET, a source of the second n-type channel FET and the gate of the second n-type channel FET are electrically coupled to contact areas at a second side of the semiconductor die opposite to the first side, respectively. The contact areas of the drain of the first n-type channel FET, of the gate of the first n-type channel FET, of the source of the second n-type channel FET and of the gate of the second n-type channel FET are electrically separated from each other, respectively.

摘要翻译： 一个方面是单片半导体开关和制造方法。 一个实施例提供具有第一n型沟道FET和第二n型沟道FET的半导体管芯。 第一n型沟道FET的源极和第二n型沟道FET的漏极分别电耦合到半导体管芯的第一侧的至少一个接触区域。 第一n型沟道FET的漏极，第一n型沟道FET的栅极，第二n型沟道FET的源极和第二n型沟道FET的栅极电耦合到接触区域 半导体管芯的与第一侧相对的第二侧。 第一n型沟道FET的漏极，第一n型沟道FET的栅极，第二n型沟道FET的源极和第二n型沟道FET的栅极的接触面积 分别电分离。

公开(公告)号：US20120025303A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20110272761A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13183872

申请日：2011-07-15

申请人： Oliver Haeberlen ,  Joachim Krumrey ,  Franz Hirler ,  Walter Rieger

发明人： Oliver Haeberlen ,  Joachim Krumrey ,  Franz Hirler ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7805

摘要： A semiconductor device includes a source metallization, a source region of a first conductivity type in contact with the source metallization, a body region of a second conductivity type which is adjacent to the source region. The semiconductor device further includes a first field-effect structure including a first insulated gate electrode and a second field-effect structure including a second insulated gate electrode which is electrically connected to the source metallization. The capacitance per unit area between the second insulated gate electrode and the body region is larger than the capacitance per unit area between the first insulated gate electrode and the body region.

摘要翻译： 半导体器件包括源极金属化，与源极金属化接触的第一导电类型的源极区域，与源极区域相邻的第二导电类型的主体区域。 半导体器件还包括第一场效应结构，其包括第一绝缘栅电极和第二场效应结构，第二场效应结构包括与源极金属化电连接的第二绝缘栅电极。 第二绝缘栅电极和体区之间的每单位面积的电容大于第一绝缘栅极与体区之间的每单位面积的电容。

公开(公告)号：US20110210377A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12713336

申请日：2010-02-26

申请人： Oliver Haeberlen ,  Walter Rieger

发明人： Oliver Haeberlen ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A semiconductor device is described. In one embodiment, the device includes a Group-III nitride channel layer and a Group-III nitride barrier layer on the Group-III nitride channel layer, wherein the Group-III nitride barrier layer includes a first portion and a second portion, the first portion having a thickness less than the second portion. A p-doped Group-III nitride gate layer section is arranged at least on the first portion of the Group-III nitride barrier layer and a gate contact formed on the p-doped Group-III nitride gate layer.

摘要翻译： 描述半导体器件。 在一个实施例中，该器件包括III族氮化物沟道层上的III族氮化物沟道层和III族氮化物阻挡层，其中III族氮化物阻挡层包括第一部分和第二部分，第一部分 部分具有小于第二部分的厚度。 至少在III族氮化物阻挡层的第一部分和形成在p掺杂III族氮化物栅极层上的栅极接触上布置p掺杂的III族氮化物栅极层部分。