公开(公告)号：USRE45059E1

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13439292

申请日：2012-04-04

申请人： John Adam Edmond ,  Kathleen Marie Doverspike ,  Hua-shuang Kong ,  Michael John Bergmann

发明人： John Adam Edmond ,  Kathleen Marie Doverspike ,  Hua-shuang Kong ,  Michael John Bergmann

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/32341

摘要： The present invention is a semiconductor structure for light emitting devices that can emit in the red to ultraviolet portion of the electromagnetic spectrum. The semiconductor structure includes a Group III nitride active layer positioned between a first n-type Group III nitride cladding layer and a second n-type Group III nitride cladding layer, the respective bandgaps of the first and second n-type cladding layers being greater than the bandgap of the active layer. The semiconductor structure further includes a p-type Group III nitride layer, which is positioned in the semiconductor structure such that the second n-type cladding layer is between the p-type layer and the active layer.

摘要翻译： 本发明是一种能够在电磁光谱的红色至紫外部分发射的发光器件的半导体结构。 半导体结构包括位于第一n型III族氮化物覆层和第二n型III族氮化物覆层之间的III族氮化物有源层，第一和第n型包层的各个带隙大于 有源层的带隙。 半导体结构还包括位于半导体结构中的p型III族氮化物层，使得第二n型覆层位于p型层和有源层之间。

公开(公告)号：US08799558B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13273501

申请日：2011-10-14

申请人： Jaesoo Lee ,  Jung-Sang Ahn ,  Jin-Soo Kim ,  Dawoon Jung

发明人： Jaesoo Lee ,  Jung-Sang Ahn ,  Jin-Soo Kim ,  Dawoon Jung

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F7/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F2212/7201

摘要： An indexing method is based on a tree structure of a flash memory, which includes a plurality of pages. The indexing method stores an entry in the leaf node and an entry in an index node designating the leaf node, in the same page, and changes the maximum number of entries that are stored in the leaf node of the page and the maximum number of entries that are stored in the index node of the page on the basis of the number of entries in the leaf node and the number of entries in the index node, respectively.

摘要翻译： 索引方法基于闪存的树结构，其包括多个页面。 索引方法将叶节点中的条目和指定叶节点的索引节点中的条目存储在同一页中，并且更改存储在页的叶节点中的最大条目数和最大条目数 其分别基于叶节点中的条目数量和索引节点中的条目数量存储在页面的索引节点中。

公开(公告)号：US08792434B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13122852

申请日：2008-10-08

申请人： Leo Hedlund ,  Anders Johansson

发明人： Leo Hedlund ,  Anders Johansson

IPC分类号： H04W48/12 ,  H04L5/00

CPC分类号： H04L5/0053 ,  H04W72/04

摘要： A selector (40) and selection method performed at a base station (28) is configured to determine which control channel element(s) (CCE(s)) to use for a physical downlink control channel (PDCCH) comprising a subframe according to criteria that improves performance of a telecommunications system (20).

摘要翻译： 在基站（28）处执行的选择器（40）和选择方法被配置为根据标准确定用于包括子帧的物理下行链路控制信道（PDCCH）的哪个控制信道要素（CCE（s））） 提高电信系统的性能（20）。

公开(公告)号：US08791554B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13530881

申请日：2012-06-22

申请人： Dong-Ok Kwak ,  Sang-Sub Song ,  Sang-Ho An ,  Joon-Young Oh

发明人： Dong-Ok Kwak ,  Sang-Sub Song ,  Sang-Ho An ,  Joon-Young Oh

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a substrate comprising a stack of alternating wiring layers and insulating layers. The wiring layers include conductive wiring patterns. Primary conductive vias extend through respective ones of the insulating layers and electrically connect first ones of the wiring patterns on different ones of the wiring layers to provide electrical connections between opposing first and second surfaces of the substrate. Dummy conductive vias extend through respective ones of the insulating layers and electrically connect second ones of the wiring patterns on different ones of the wiring layers. The dummy conductive vias are arranged in the substrate around a perimeter of a region including the first ones of the wiring patterns, and the dummy conductive vias and the second ones of the wiring patterns electrically connected thereto have a same electric potential to define an electromagnetic shielding structure within the substrate.

摘要翻译： 半导体器件包括包括交替布线层和绝缘层的叠层的衬底。 布线层包括导电布线图案。 主导电通孔延伸通过绝缘层中的相应绝缘层，并且电连接在不同布线层上的布线图案中的第一布线图案，以提供基板相对的第一和第二表面之间的电连接。 虚拟导电通孔延伸通过相应的绝缘层，并且电连接不同布线层上的布线图案中的第二布线图案。 虚设导电通孔在包括第一布线图案的区域的周边周围布置在基板中，并且虚拟导电通孔和与其电连接的第二布线图案具有相同的电位以限定电磁屏蔽 衬底内的结构。

公开(公告)号：US08790976B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13942149

申请日：2013-07-15

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Doo-Hwan Park ,  Kyoung-Ha Eom ,  Sung-Un Kwon ,  Chul-Ho Shin ,  Sang-Sup Jeong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06

摘要： A conductive pattern on a substrate is formed. An insulating layer having an opening exposing the conductive pattern is formed. A bottom electrode is formed on the conductive pattern and a first sidewall of the opening. A spacer is formed on the bottom electrode and a second sidewall of the opening. The spacer and the bottom electrode are formed to be lower than a top surface of the insulating layer. A data storage plug is formed on the bottom electrode and the spacer. The data storage plug has a first sidewall aligned with a sidewall of the bottom electrode and a second sidewall aligned with a sidewall of the spacer. A bit line is formed on the data storage plug.

摘要翻译： 形成基板上的导电图案。 形成具有露出导电图案的开口的绝缘层。 底部电极形成在导电图案和开口的第一侧壁上。 在底部电极和开口的第二侧壁上形成间隔物。 间隔件和底部电极形成为低于绝缘层的顶表面。 数据存储插头形成在底部电极和间隔件上。 数据存储插头具有与底部电极的侧壁对准的第一侧壁和与间隔件的侧壁对准的第二侧壁。 在数据存储插头上形成位线。

公开(公告)号：US08779547B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13707425

申请日：2012-12-06

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Jongwon Hong ,  Insun Park ,  Hei Seung Kim ,  Jongmin Baek

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L27/04 ,  H01L21/288 ,  H01L27/115 ,  H01L27/108 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L21/76877 ,  C25D3/38 ,  C25D5/08 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are methods of fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated thereby. In the methods, dummy recess regions may be formed between cell recess regions and a peripheral circuit region. Due to the presence of the dummy recess regions, it may be possible to reduce a concentration gradient of a suppressor contained in a plating solution near the dummy pattern region, to make the concentration of the suppressor more uniform in the cell pattern region, and to supply an electric current more effectively to the cell pattern region. As a result, a plating layer can be more uniformly formed in the cell pattern region, without void formation therein.

摘要翻译： 提供制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件。 在这些方法中，可以在单元凹槽区域和外围电路区域之间形成虚拟凹部区域。 由于存在虚拟凹部区域，因此可以降低在虚拟图案区域附近的镀液中所含的抑制剂的浓度梯度，使得抑制器的浓度在电池图案区域中更均匀，并且 向电池图案区域更有效地提供电流。 结果，可以在电池图案区域中更均匀地形成镀层，而不形成空穴。

公开(公告)号：US08761352B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13146537

申请日：2009-01-27

申请人： Jan Hultkrantz ,  Fredrik Pejmo

发明人： Jan Hultkrantz ,  Fredrik Pejmo

IPC分类号： H04M1/64 ,  H04M3/42

CPC分类号： H04N7/152 ,  G10L15/22 ,  H04M3/42204 ,  H04M3/56 ,  H04M2203/5063

摘要： Methods are described for providing conference calls. Methods are performed in a conference call system and includes: receiving local contact information for a plurality of contacts stored in a local phone book of a user equipment associated with a caller; updating a contact database of the conference call system based on the local contact information; registering the caller with an interactive voice response system of the conference call system; receiving a spoken request from the caller; accessing the contact database with contact information and retrieving a phone number responsive to the spoken request; calling the retrieved phone number; and establishing contact between the caller and a person associated with the retrieved phone number. Systems and computer readable mediums are also described.

摘要翻译： 描述了用于提供电话会议的方法。 在电话会议系统中执行方法，包括：接收存储在与呼叫者相关联的用户设备的本地电话簿中的多个联系人的本地联系人信息; 基于本地联系信息更新电话会议系统的联系人数据库; 向所述呼叫者注册所述电话会议系统的交互式语音响应系统; 接收来自呼叫者的口头请求; 使用联系人信息访问联系人数据库并且响应于所述口头请求检索电话号码; 拨打电话号码; 并建立呼叫者与与检索的电话号码相关联的人之间的联系。 还描述了系统和计算机可读介质。

公开(公告)号：US08748920B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US11478873

申请日：2006-06-30

申请人： Gerald H. Negley

发明人： Gerald H. Negley

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44

摘要： A light-emitting device includes a substrate that is at least partially transparent to optical radiation and has a first index of refraction. A diode region is disposed on a first surface of the substrate and is configured to emit light responsive to a voltage applied thereto. An encapsulation layer is disposed on a second surface of the substrate and has a second index of refraction. An antireflective layer is disposed between a second surface of the substrate and the encapsulation layer. The antireflective layer has a graded index of refraction having values in a range between about the first index of refraction at a first surface of the antireflective layer and about the second index of refraction at a second surface of the antireflective layer. The encapsulation layer may also be omitted and the antireflective layer may separate the substrate, which has a first index of refraction, from air, which has a second index of refraction. Non “flip-chip” embodiments are also disclosed.

摘要翻译： 发光器件包括对光辐射至少部分透明并具有第一折射率的衬底。 二极管区域设置在基板的第一表面上，并且被配置为响应于施加到其上的电压而发光。 封装层设置在基板的第二表面上并具有第二折射率。 抗反射层设置在基板的第二表面和封装层之间。 抗反射层具有渐变折射率，其值在反射防止层的第一表面处的约第一折射率与抗反射层的第二表面处的第二折射率之间的范围内。 封装层也可以省略，并且抗反射层可以将具有第一折射率的衬底与具有第二折射率的空气分离。 还公开了非“倒装芯片”实施例。

公开(公告)号：US08748884B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13081168

申请日：2011-04-06

申请人： Ji-Hyun Jeong ,  JaeHee Oh ,  Heung Jin Joo ,  Sung-Ho Eun

发明人： Ji-Hyun Jeong ,  JaeHee Oh ,  Heung Jin Joo ,  Sung-Ho Eun

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144

摘要： A nonvolatile memory device includes a substrate and a first insulating layer on the substrate. The first insulating layer includes a first opening therein. A lower electrode is provided in the first opening and protrudes from a surface of the first insulating layer outside the first opening. An electrode passivation pattern is provided on a sidewall of the lower electrode that protrudes from the surface of the first insulating layer. A second insulating layer is provided on the first insulating layer and includes a second opening therein at least partially exposing the lower electrode. A variable resistance material layer extends into the second opening to contact the lower electrode. The electrode passivation layer electrically separates the sidewall of the lower electrode from the variable resistance material layer. The electrode passivation pattern is formed of a material having an etching selectivity to that of the second insulating layer. Related fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底和衬底上的第一绝缘层。 第一绝缘层包括其中的第一开口。 下电极设置在第一开口中并从第一开口外侧的第一绝缘层的表面突出。 电极钝化图案设置在从第一绝缘层的表面突出的下电极的侧壁上。 第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并且包括其中至少部分地暴露下电极的第二开口。 可变电阻材料层延伸到第二开口中以接触下电极。 电极钝化层将下电极的侧壁与可变电阻材料层电隔离。 电极钝化图案由具有对第二绝缘层的蚀刻选择性的蚀刻选择性的材料形成。 还讨论了相关的制造方法。

公开(公告)号：US08745452B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13587100

申请日：2012-08-16

申请人： Hyung Rok Oh ,  Chul Woo Park

发明人： Hyung Rok Oh ,  Chul Woo Park

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C13/00 ,  G11C29/50 ,  G11C29/48 ,  G11C29/56

CPC分类号： G11C13/0002 ,  G11C8/10 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/24 ,  G11C29/48 ,  G11C29/50 ,  G11C29/56 ,  G11C2029/5006

摘要： A resistive memory device and a system and method for testing the resistive memory device are provided. The resistive memory device includes a plurality of bit lines comprising at least one dummy bit line to which a plurality of resistive memory cells are connected, a conducting wire connected to the dummy bit line, a first switching element positioned between the dummy bit line and an external device outside the resistive memory device, and a second switching element positioned between the conducting wire and the external device. Accordingly, the operational reliability of the resistive memory device may be increased.

摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件以及用于测试电阻式存储器件的系统和方法。 电阻式存储器件包括多个位线，其包括连接多个电阻存储器单元的至少一个虚拟位线，连接到虚拟位线的导线，位于虚拟位线和第二开关元件之间的第一开关元件 位于电阻性存储器件外的外部器件，以及位于导线和外部器件之间的第二开关元件。 因此，可以增加电阻式存储器件的操作可靠性。