公开(公告)号：US20060181933A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11401861

申请日：2006-04-12

申请人： Yong-ho Ha ,  Beak-hyung Cho ,  Ji-hye Yi

发明人： Yong-ho Ha ,  Beak-hyung Cho ,  Ji-hye Yi

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092

摘要： In the method of programming a phase change memory cell, having a lower resistive state and a higher resistive state, to the lower resistive state, the memory cell is heated to first temperature. Subsequently, the memory cell is heated to second temperature, which is greater than the first temperature.

公开(公告)号：US20060072370A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US11205742

申请日：2005-08-17

申请人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Ji-Hye Yi

发明人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Ji-Hye Yi

IPC分类号： G11C8/02

CPC分类号： G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y10S438/90

摘要： A phase-changeable memory device includes a substrate having a contact region on an upper surface thereof. An insulating interlayer on the substrate has an opening therein, and a lower electrode is formed in the opening. The lower electrode has a nitrided surface portion and is in electrical contact with the contact region of the substrate. A phase-changeable material layer pattern is on the lower electrode, and an upper electrode is on the phase-changeable material layer pattern. The insulating interlayer may have a nitrided surface portion and the phase-changeable material layer may be at least partially on the nitrided surface portion of the insulating interlayer. A nitride layer may be formed on the insulating interlayer. The lower electrode may have a nitrided surface portion and the phase-changeable material layer may be at least partially on the nitrided surface portion of the lower electrode. Methods of forming phase-changeable memory devices are also disclosed.

摘要翻译： 相变型存储器件包括在其上表面具有接触区域的衬底。 衬底上的绝缘中间层具有开口，并且在开口中形成下电极。 下电极具有氮化表面部分并且与衬底的接触区域电接触。 相变材料层图案位于下电极上，上电极位于相变材料层图案上。 绝缘中间层可以具有氮化表面部分，并且相变材料层可以至少部分地在绝缘中间层的氮化表面部分上。 可以在绝缘中间层上形成氮化物层。 下部电极可以具有氮化表面部分，并且相变材料层可以至少部分地位于下部电极的氮化表面部分上。 还公开了形成相变存储器件的方法。

公开(公告)号：US09287181B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US14592842

申请日：2015-01-08

申请人： Wei-Hsiung Tseng ,  Ju-Youn Kim ,  Seok-Jun Won ,  Jong-Ho Lee ,  Hye-Lan Lee ,  Yong-Ho Ha

发明人： Wei-Hsiung Tseng ,  Ju-Youn Kim ,  Seok-Jun Won ,  Jong-Ho Lee ,  Hye-Lan Lee ,  Yong-Ho Ha

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/845 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848

摘要： Provided is a method for fabricating a semiconductor device. The method includes forming an interlayer insulating layer on a substrate, the interlayer insulating layer including a first trench; forming a high-k dielectric layer in the first trench; successively forming a diffusion layer and a blocking layer on the high-k dielectric layer; subsequently performing annealing; after the annealing, successively removing the blocking layer and the diffusion layer; forming a first barrier layer on the high-k dielectric layer; successively forming a work function adjustment layer and a gate conductor on the first barrier layer; and forming a capping layer on the gate conductor.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括第一沟槽; 在第一沟槽中形成高k电介质层; 在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层; 随后进行退火; 退火后，依次去除阻挡层和扩散层; 在高k电介质层上形成第一阻挡层; 在第一阻挡层上依次形成功函数调整层和栅极导体; 并在栅极导体上形成覆盖层。

公开(公告)号：US08133429B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12762560

申请日：2010-04-19

申请人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Sang-Wook Lim ,  Hee-Ju Shin

发明人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Han-Bong Ko ,  Doo-Hwan Park ,  Sang-Wook Lim ,  Hee-Ju Shin

IPC分类号： B28B1/00 ,  C23C14/06

CPC分类号： H01L45/06 ,  C04B35/56 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/428 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： In a method of forming a chalcogenide compound target, a first powder including germanium carbide or germanium is prepared, and a second powder including antimony carbide or antimony is prepared. A third powder including tellurium carbide or tellurium is prepared. A powder mixture is formed by mixing the first to the third powders. After a shaped is formed body by molding the powder mixture. The chalcogenide compound target is obtained by sintering the powder mixture. The chalcogenide compound target may include a chalcogenide compound that contains carbon and metal, or carbon, metal and nitrogen considering contents of carbon, metal and nitrogen, so that a phase-change material layer formed using the chalcogenide compound target may stable phase transition, enhanced crystallized temperature and increased resistance. A phase-change memory device including the phase-change material layer may have reduced set resistance and driving current while improving durability and sensing margin.

摘要翻译： 在形成硫属化物化合物靶的方法中，制备包括碳化锗或锗的第一粉末，并制备包含锑或锑的第二粉末。 制备包括碲化镉或碲的第三种粉末。 通过混合第一至第三粉末形成粉末混合物。 通过模制粉末混合物形成成形体后。 通过烧结粉末混合物获得硫属化物化合物靶。 考虑到碳，金属和氮的含量，硫属化物化合物靶可以包括含有碳和金属或碳，金属和氮的硫属化物化合物，使得使用硫属化物化合物靶形成的相变材料层可以稳定的相变，增强 结晶温度和阻力增加。 包括相变材料层的相变存储器件可以降低设定电阻和驱动电流，同时提高耐久性和感测裕度。

公开(公告)号：US20110315946A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13224940

申请日：2011-09-02

申请人： Han-Bong KO ,  Yong-Ho Ha ,  Doo-Hwan Park ,  Bong-Jin Kuh ,  Hee-Ju Shin

发明人： Han-Bong KO ,  Yong-Ho Ha ,  Doo-Hwan Park ,  Bong-Jin Kuh ,  Hee-Ju Shin

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/143 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： A nonvolatile memory device, including a lower electrode on a semiconductor substrate, a phase change material pattern on the lower electrode, an adhesion pattern on the phase change material pattern and an upper electrode on the adhesion pattern, wherein the adhesion pattern includes a conductor including nitrogen.

摘要翻译： 一种非易失性存储器件，包括半导体衬底上的下电极，下电极上的相变材料图案，相变材料图案上的粘合图案和粘附图案上的上电极，其中粘附图案包括：导体，包括 氮。

公开(公告)号：US07943918B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12568402

申请日：2009-09-28

申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二可相变材料层的电阻率可以比第一相变材料层更大。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。

公开(公告)号：US20100221879A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12777599

申请日：2010-05-11

申请人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Ji-Hye Yi

发明人： Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Ji-Hye Yi

IPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y10S438/90

摘要： A phase-changeable memory device includes a substrate having a contact region on an upper surface thereof. An insulating interlayer on the substrate has an opening therein, and a lower electrode is formed in the opening. The lower electrode has a nitrided surface portion and is in electrical contact with the contact region of the substrate. A phase-changeable material layer pattern is on the lower electrode, and an upper electrode is on the phase-changeable material layer pattern. The insulating interlayer may have a nitrided surface portion and the phase-changeable material layer may be at least partially on the nitrided surface portion of the insulating interlayer. Methods of forming phase-changeable memory devices are also disclosed.

摘要翻译： 相变型存储器件包括在其上表面具有接触区域的衬底。 衬底上的绝缘中间层具有开口，并且在开口中形成下电极。 下电极具有氮化表面部分并且与衬底的接触区域电接触。 相变材料层图案位于下电极上，上电极位于相变材料层图案上。 绝缘中间层可以具有氮化表面部分，并且相变材料层可以至少部分地在绝缘中间层的氮化表面部分上。 还公开了形成相变存储器件的方法。

公开(公告)号：US20100176365A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12684140

申请日：2010-01-08

申请人： Hyeyoung Park ,  Hyun Suk Kwon ,  Jin Ho Oh ,  Yong Ho Ha ,  Jeong Hee Park

发明人： Hyeyoung Park ,  Hyun Suk Kwon ,  Jin Ho Oh ,  Yong Ho Ha ,  Jeong Hee Park

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L29/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

摘要： A resistance variable memory device includes at least one bottom electrode, a first insulating layer containing a trench which exposes the at least one bottom electrode, and a resistance variable material layer including respective first and second portions located on opposite sidewalls of the trench, respectively, where the first and second portions of the resistance variable material layer are electrically connected to the at least one bottom electrode. The device further includes a protective layer covering the resistance variable material layer within the trench, and a second insulating layer located within the trench and covering the protective layer within the trench

摘要翻译： 电阻可变存储器件包括至少一个底部电极，包含暴露至少一个底部电极的沟槽的第一绝缘层，以及包括分别位于沟槽的相对侧壁上的各自的第一和第二部分的电阻可变材料层， 其中电阻可变材料层的第一和第二部分电连接到至少一个底部电极。 该装置还包括覆盖沟槽内的电阻可变材料层的保护层和位于沟槽内并覆盖沟槽内的保护层的第二绝缘层

公开(公告)号：US20100144087A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12708742

申请日：2010-02-19

申请人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Ji-Hye Yi ,  Jun-Soo Bae

发明人： Yong-Ho Ha ,  Bong-Jin Kuh ,  Ji-Hye Yi ,  Jun-Soo Bae

IPC分类号： H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/128 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： Phase-changeable memory devices include a lower electrode electrically connected to an impurity region of a transistor in a substrate and a programming layer pattern including a first phase-changeable material on the lower electrode. An adiabatic layer pattern including a material having a lower thermal conductivity than the first phase-changeable material is on the programming layer pattern and an upper electrode is on the adiabatic layer pattern.

摘要翻译： 相变存储器件包括电连接到衬底中的晶体管的杂质区的下电极和在下电极上包括第一相变材料的编程层图案。 包含具有比第一相变材料低的热导率的材料的绝热层图案在编程层图案上，上电极在绝热层图案上。

公开(公告)号：US07482616B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11139283

申请日：2005-05-27

申请人： Yoon-Jong Song ,  Young-Nam Hwang ,  Sang-Don Nam ,  Sung-Lae Cho ,  Gwan-Hyeob Koh ,  Choong-Man Lee ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Su-Youn Lee ,  Chang-Wook Jeong ,  Ji-Hye Yi ,  Kyung-Chang Ryoo ,  Se-Ho Lee ,  Su-Jin Ahn ,  Soon-Oh Park ,  Jang-Eun Lee

发明人： Yoon-Jong Song ,  Young-Nam Hwang ,  Sang-Don Nam ,  Sung-Lae Cho ,  Gwan-Hyeob Koh ,  Choong-Man Lee ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha ,  Su-Youn Lee ,  Chang-Wook Jeong ,  Ji-Hye Yi ,  Kyung-Chang Ryoo ,  Se-Ho Lee ,  Su-Jin Ahn ,  Soon-Oh Park ,  Jang-Eun Lee

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1675

摘要： In one embodiment, a phase-change memory device has an oxidation barrier layer to protect against memory cell contamination or oxidation and a method of manufacturing the same. In one embodiment, a semiconductor memory device comprises a molding layer overlying a semiconductor substrate. The molding layer has a protrusion portion vertically extending from a top surface thereof. The device further includes a phase-changeable material pattern adjacent the protrusion portion and a lower electrode electrically connected to the phase-changeable material pattern.

摘要翻译： 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储器单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。 在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖半导体衬底的成型层。 模制层具有从其顶表面垂直延伸的突出部分。 该装置还包括与突出部分相邻的相变材料图案和与相变材料图案电连接的下部电极。