公开(公告)号：US20070152321A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11323904

申请日：2005-12-29

申请人： Wei Shi ,  Daoqiang Lu ,  Qing Zhou ,  Jiangqi He

发明人： Wei Shi ,  Daoqiang Lu ,  Qing Zhou ,  Jiangqi He

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/4871 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00

摘要： The formation of electronic assemblies including a heat spreader coupled to at least one die is described. One embodiment relates to a method including positioning a solder on a heat spreader. The method also includes forming a solid state diffusion bond between the solder and the heat spreader. The solid state diffusion bonded solder and heat spreader are positioned on a die and heated to a temperature sufficient to melt the solder and form a bond between the solder and the die, in the absence of a flux. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 描述了包括耦合到至少一个管芯的散热器的电子组件的形成。 一个实施例涉及一种包括将焊料定位在散热器上的方法。 该方法还包括在焊料和散热器之间形成固态扩散接合。 固态扩散焊接和散热器位于模具上并加热至足以熔化焊料的温度，并在不存在焊剂的情况下在焊料和管芯之间形成结合。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20070138647A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11314459

申请日：2005-12-21

申请人： Qing Zhou ,  Wei Shi ,  Jiangqi He ,  Daoqiang Lu

发明人： Qing Zhou ,  Wei Shi ,  Jiangqi He ,  Daoqiang Lu

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312

摘要： A system may include a microprocessor die, an integrated circuit package substrate, and a die disposed between the microprocessor die and the integrated circuit package substrate. In some embodiments, the integrated circuit package substrate defines a first cavity, and the die is disposed at least partially within the first cavity.

摘要翻译： 系统可以包括微处理器管芯，集成电路封装衬底和设置在微处理器管芯和集成电路封装衬底之间的管芯。 在一些实施例中，集成电路封装衬底限定第一空腔，并且裸片至少部分地设置在第一空腔内。

公开(公告)号：US07153765B2

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：US11096238

申请日：2005-03-31

申请人： Daoqiang Lu ,  Tian-An Chen

发明人： Daoqiang Lu ,  Tian-An Chen

IPC分类号： H01L21/44 ,  B23K31/02

CPC分类号： H01L24/11 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/22 ,  B23K35/38 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/3489 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/095 ,  H01L2924/00014

摘要： A nano-sized solder suspension flows by selective wetting onto a bond pad and away from a bond-pad resist area. A microelectronic package is also disclosed that uses the nano-sized solder suspension. A method of assembling a microelectronic package is also disclosed. A computing system is also disclosed that includes a bump that was reflowed from the nano-sized solder suspension.

摘要翻译： 纳米尺寸的焊料悬浮液通过选择性润湿流动到接合焊盘上并远离焊垫抗蚀剂区域。 还公开了使用纳米尺寸的焊料悬浮液的微电子封装。 还公开了组装微电子封装的方法。 还公开了包括从纳米尺寸的焊料悬浮液回流的凸块的计算系统。

公开(公告)号：US20050253282A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US10833978

申请日：2004-04-27

申请人： Daoqiang Lu ,  John Heck

发明人： Daoqiang Lu ,  John Heck

IPC分类号： B81B7/00 ,  H01L23/10 ,  H01L21/44

CPC分类号： B81C1/00269

摘要： Certain hermetically sealed devices, such as micro-electromechanical systems (MEMS), may be sensitive high processing temperatures. However, the seal should be able to withstand higher temperatures that may be encountered, for example during device operation. Hermetic sealing may be realized by a fluxless soldering approach that comprises solder combinations that contain a low-melting-point (LMP) component such as Indium (In) or Tin (Sn) and a high-melting-point (HMP) component such as gold (Au), silver (Ag), or copper (Cu). The LMP/HMP ratio is selected to be HMP component rich so that the LMP component is essentially depleted resulting in an intermetallic compound (IMC) that has a higher melting point than the original HMP/LMP processing temperature after bonding and thermal annealing.

摘要翻译： 某些密封的装置，例如微机电系统（MEMS），可能是敏感的高处理温度。 然而，密封件应该能够承受可能遇到的更高的温度，例如在设备操作期间。 密封可以通过无焊剂焊接方法实现，其包括含有低熔点（LMP）组分如铟（In）或锡（Sn）和高熔点（HMP）组分的焊料组合，例如 金（Au），银（Ag）或铜（Cu）。 选择LMP / HMP比为富含HMP成分，使得LMP组分基本上耗尽，导致在接合和热退火后具有比原始HMP / LMP处理温度更高的熔点的金属间化合物（IMC）。

公开(公告)号：US20050082552A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10864188

申请日：2004-06-08

申请人： Ming Fang ,  Valery Dubin ,  Daoqiang Lu

发明人： Ming Fang ,  Valery Dubin ,  Daoqiang Lu

IPC分类号： G02B6/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L27/15 ,  H01L29/267 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L24/16 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4232 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/29099

摘要： The invention provides bumps between a die and a substrate with a height greater than or equal to a height of a waveguide between the die and the substrate. The bumps may be formed on a die prior to that die being singulated from a wafer.

公开(公告)号：US06833289B2

公开(公告)日：2004-12-21

申请号：US10436677

申请日：2003-05-12

申请人： Chuan Hu ,  Daoqiang Lu

发明人： Chuan Hu ,  Daoqiang Lu

IPC分类号： H01L2150

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00

摘要： A thinned semiconductor die is coupled to an integrated heat spreader with thermal interface material to form a semiconductor package. The method for forming the package comprises forming a metallization layer on a backside of a thinned semiconductor die. A thermal interface portion, including a solder layer including a fluxlessly-capable solder such as AuSn, is formed on the topside of the integrated heat spreader. The metallization layer and the solder layer are then forced together under load and heat without flux to bond the semiconductor die to the integrated heat spreader.

摘要翻译： 减薄的半导体管芯与具有热界面材料的集成散热器耦合以形成半导体封装。 用于形成封装的方法包括在薄化的半导体管芯的背面上形成金属化层。 在集成散热器的顶侧上形成有包括无助焊剂如AuSn的焊料层的热界面部分。 然后将金属化层和焊料层在负载和热力下一起被压在一起，而没有焊剂将半导体管芯结合到集成散热器。

公开(公告)号：US08541876B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US11242176

申请日：2005-09-30

申请人： Daoqiang Lu ,  Chuan Hu ,  Gilroy J. Vandentop ,  Shriram Ramanathan ,  Rajashree Baskaran ,  Valery M. Dubin

发明人： Daoqiang Lu ,  Chuan Hu ,  Gilroy J. Vandentop ,  Shriram Ramanathan ,  Rajashree Baskaran ,  Valery M. Dubin

IPC分类号： H01L23/10

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating a microelectronic package having a direct contact heat spreader, a package formed according to the method, a die-heat spreader combination formed according to the method, and a system incorporating the package. The method comprises metallizing a backside of a microelectronic die to form a heat spreader body directly contacting and fixed to the backside of the die thus yielding a die-heat spreader combination. The package includes the die-heat spreader combination and a substrate bonded to the die.

摘要翻译： 一种制造具有直接接触散热器的微电子封装的方法，根据该方法形成的封装，根据该方法形成的模具散热器组合以及包含封装的系统。 该方法包括金属化微电子管芯的背面以形成直接接触并固定到管芯背面的散热器主体，从而产生模具散热器组合。 该封装包括模具散热器组合和与模具结合的衬底。

公开(公告)号：US20130042946A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13530751

申请日：2012-06-22

申请人： Huiying Yang ,  Daoqiang Lu

发明人： Huiying Yang ,  Daoqiang Lu

IPC分类号： B23K35/363

CPC分类号： B23K35/3601 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/362

摘要： The present invention relates to a solder paste composition, a solder paste and a soldering flux. The soldering flux comprises a resin, a thixotropic agent, an activator, a solvent as well as a long-chain thiol and/or an organic chelating agent.

摘要翻译： 本发明涉及一种焊膏组合物，焊膏和焊剂。 焊剂包括树脂，触变剂，活化剂，溶剂以及长链硫醇和/或有机螯合剂。

公开(公告)号：US20110294264A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13206390

申请日：2011-08-09

申请人： Daoqiang Lu

发明人： Daoqiang Lu

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/04 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152

摘要： A technique to fabricate a package. A thin wafer supported by a wafer support substrate (WSS) is formed. The WSS-supported thin wafer layer is diced into a plurality of WSS-supported thin dice. A WSS-supported thin die is bonded to a first heat spreader (HS) to form a HS-reinforced thin die.

摘要翻译： 一种制作包装的技术。 形成由晶片支撑基板（WSS）支撑的薄晶片。 将WSS支撑的薄晶片层切割成多个支持WSS的薄骰子。 WSS支撑的薄模具结合到第一散热器（HS）以形成HS增强的薄模。

公开(公告)号：US07897486B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US11801465

申请日：2007-05-09

申请人： Eric J. Li ,  Daoqiang Lu ,  Christopher L. Rumer ,  Paul A. Koning ,  Darcy E. Fleming ,  Gudbjorg H. Oskarsdottir ,  Tiffany Byrne

发明人： Eric J. Li ,  Daoqiang Lu ,  Christopher L. Rumer ,  Paul A. Koning ,  Darcy E. Fleming ,  Gudbjorg H. Oskarsdottir ,  Tiffany Byrne

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： Formulations and processes for forming wafer coat layers are disclosed. In one embodiment, an organic surface protectant is incorporated into a wafer coat formulation deposited onto a semiconductor wafer prior to the laser scribe operation. Upon removal of the wafer coat layer, the organic surface protectant remains on the bumps and thereby prevents oxidation of the bumps between die prep and chip and attach. In an alternative embodiment, an ultraviolet light absorber is added to the wafer coat formulation to enhance the wafer coat layer's energy absorption and thereby improve the laser's ability to ablate the wafer coat layer. In an alternative embodiment, a conformal wafer coat layer is deposited on the wafer and die bumps, thereby reducing wafer coat layer thickness variations that can impact the laser scribing ability.

摘要翻译： 公开了用于形成晶片涂层的制剂和方法。 在一个实施方案中，在激光划线操作之前，将有机表面保护剂并入沉积到半导体晶片上的晶片涂层制剂中。 在去除晶片涂层时，有机表面保护剂保留在凸块上，从而防止芯片准备和芯片之间的凸起的氧化附着。 在替代实施例中，将紫外光吸收剂添加到晶片涂层配方中以增强晶片涂层的能量吸收，从而提高激光器烧蚀晶片涂层的能力。 在替代实施例中，保形晶片涂层沉积在晶片和模具凸起上，从而减少可能影响激光划线能力的晶片涂层厚度变化。