公开(公告)号：US07931713B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US11938877

申请日：2007-11-13

申请人： Thomas H. Baum

发明人： Thomas H. Baum

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24D11/00 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3212

摘要： A Chemical Mechanical Planarization (CMP) Pad. The CMP pad may be hydrophobic due to the incorporation of metal complexing agents. The CMP pad substantially retaining planarization characteristics throughout planarization applications. Shearing, hardness, wearing, water absorption and electrical characteristics of the CMP pad remain substantially constant during CMP applications.

摘要翻译： 化学机械平面化（CMP）垫。 由于掺入金属络合剂，CMP垫可能是疏水性的。 CMP平铺化应用中基本上保持了平坦化特性。 在CMP应用中，CMP垫的剪切，硬度，磨损，吸水性和电气特性保持基本恒定。

公开(公告)号：US07910765B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12838441

申请日：2010-07-17

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Ravi K. Laxman ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C07C7/10

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,

摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前驱体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US20100317150A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12860906

申请日：2010-08-22

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20100314590A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12862739

申请日：2010-08-24

申请人： Ziyun WANG ,  Chongying Xu ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

发明人： Ziyun WANG ,  Chongying Xu ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey Roeder ,  Tianniu Chen ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01B3/18 ,  C07F7/10

CPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/02271

摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as films including silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon nitride (Si3N4), and a method of depositing the silicon precursors on substrates using low temperature (e.g.,

摘要翻译： 在制造半导体器件（例如包括碳氮化硅，碳氮化硅和氮化硅（Si 3 N 4）的薄膜）的制造中的硅前体，以及使用低温（例如，550℃）将硅前体沉积在衬底上的方法 ℃）化学气相沉积工艺，用于制造ULSI器件和器件结构。

公开(公告)号：US20100133689A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12464088

申请日：2009-05-11

申请人： Chongying Xu ,  Alexander Borovik ,  Thomas H. Baum

发明人： Chongying Xu ,  Alexander Borovik ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  B05D5/12

CPC分类号： C07C257/14 ,  C07F1/005 ,  C23C16/18

摘要： Copper (I) amidinate precursors for forming copper thin films in the manufacture of semiconductor devices, and a method of depositing the copper (I) amidinate precursors on substrates using chemical vapor deposition or atomic layer deposition processes.

摘要翻译： 用于在制造半导体器件中形成铜薄膜的铜（I）脒前体，以及使用化学气相沉积或原子层沉积工艺在基片上沉积铜（I）脒前体的方法。

公开(公告)号：US20090305427A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12537910

申请日：2009-08-07

申请人： Frank Dimeo, JR. ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawasz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Frank Dimeo, JR. ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawasz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： G01N33/00 ,  B01J19/00

CPC分类号： G01N27/128 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32981 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T436/17 ,  Y10T436/19

摘要： A gas detector and process for detecting a fluorine-containing species in a gas containing same, e.g., an effluent of a semiconductor processing tool undergoing etch cleaning with HF, NF3, etc. The detector in a preferred structural arrangement employs a microelectromechanical system (MEMS)-based device structure and/or a free-standing metal element that functions as a sensing component and optionally as a heat source when elevated temperature sensing is required. The free-standing metal element can be fabricated directly onto a standard chip carrier/device package so that the package becomes a platform of the detector.

摘要翻译： 用于检测含有其的气体中的含氟物质的气体检测器和方法，例如用HF，NF 3等进行蚀刻清洁的半导体加工工具的流出物。优选的结构布置中的检测器采用微机电系统（MEMS） ）的器件结构和/或独立的金属元件，其在需要升高的温度感测时用作感测部件并且可选地作为热源。 独立的金属元件可以直接制造在标准芯片载体/器件封装上，使得封装成为检测器的平台。

公开(公告)号：US20090301996A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12093125

申请日：2006-11-07

申请人： Pamela M. Visintin ,  Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

发明人： Pamela M. Visintin ,  Michael B. Korzenski ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： B44C1/22 ,  C11D3/00

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  H01L21/02063

摘要： A method and composition for removing copper-containing post-etch and/or post-ash residue from patterned microelectronic devices is described. The removal composition includes a diluent, a solvent and a copper corrosion inhibitor, wherein the diluent may be a dense fluid or a liquid solvent. The removal compositions effectively remove the copper-containing post-etch residue from the microelectronic device without damaging exposed low-k dielectric and metal interconnect materials.

摘要翻译： 描述了用于从图案化的微电子器件去除含铜的后蚀刻和/或后灰渣的方法和组合物。 除去组合物包括稀释剂，溶剂和铜缓蚀剂，其中稀释剂可以是致密流体或液体溶剂。 去除组合物有效地从微电子器件去除含铜的蚀刻后残留物，而不损害暴露的低k电介质和金属互连材料。

公开(公告)号：US20090084288A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12247120

申请日：2008-10-07

申请人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Ziyun Wang ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C07F7/02 ,  C09D5/00

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C07F7/12 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g.,

摘要翻译： 本发明涉及通过用于制造ULSI器件和器件结构的低温（例如，<300℃）的化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物。 这种硅前体组合物包含至少一个完全被烷基氨基和/或二烷基氨基官能团取代的二烷基硅烷衍生物化合物。

公开(公告)号：US07485611B2

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：US10249763

申请日：2003-05-06

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthew Healy ,  Chongying Xu

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthew Healy ,  Chongying Xu

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C11D3/28 ,  C11D1/004 ,  C11D3/02 ,  C11D3/164 ,  C11D3/187 ,  C11D3/2072 ,  C11D3/2093 ,  C11D3/245 ,  C11D3/43 ,  C11D7/02 ,  C11D7/247 ,  C11D7/261 ,  C11D7/264 ,  C11D7/266 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/427 ,  H01L2224/16225

摘要： Compositions and methods employing supercritical fluids, e.g., supercritical carbon dioxide, for removal of unwanted material from microelectronic device structures and process equipment. One composition of such type, having utility for removing flux and solder perform surface films, includes supercritical fluid, e.g., supercritical CO2, and organic co-solvent, e.g., xylene. Another composition of such type having utility for removal of metals, metal oxides, metal-containing post-etch residues and CMP particles from semiconductor substrates includes supercritical fluid and at least one β-diketone.

摘要翻译： 使用超临界流体（例如超临界二氧化碳）从微电子器件结构和工艺设备中除去不想要的材料的组合物和方法。 这种类型的一种组合物，具有用于去除焊剂和焊料进行表面膜的实用性，包括超临界流体，例如超临界CO 2和有机共溶剂，例如二甲苯。 具有用于从半导体衬底去除金属，金属氧化物，含金属的蚀刻后残余物和CMP颗粒的这种类型的另一种组合物包括超临界流体和至少一种β-二酮。

公开(公告)号：US20090004858A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US12119463

申请日：2008-05-12

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/44 ,  C07F9/00

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F9/005 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  Y10T29/49117

摘要： Tantalum precursors useful in depositing tantalum nitride or tantalum oxides materials on substrates, by processes such as chemical vapor deposition and atomic layer deposition. The precursors are useful in forming tantalum-based diffusion barrier layers on microelectronic device structures featuring copper metallization and/or ferroelectric thin films.

摘要翻译： 钽前体可用于通过诸如化学气相沉积和原子层沉积的方法在衬底上沉积氮化钽或钽氧化物材料。 这些前体可用于在具有铜金属化和/或铁电薄膜的微电子器件结构上形成钽基扩散阻挡层。