公开(公告)号：US20100213493A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12753551

申请日：2010-04-02

申请人： Tzu-Chieh HSU ,  Ching-San Tao ,  Chen Ou ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chao Hsing Chen

发明人： Tzu-Chieh HSU ,  Ching-San Tao ,  Chen Ou ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chao Hsing Chen

IPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42

摘要： A light-emitting device including: a light-emitting stacked layer having first conductivity type semiconductor layer, a light-emitting layer formed on the first conductivity type semiconductor layer, and a second conductivity type semiconductor layer formed on the light-emitting layer, wherein the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer is a textured surface; a first planarization layer formed on a first partial of the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer; a first transparent conductive oxide layer formed on the first planarization layer and a second partial of the second conductivity type semiconductor layer, including a first portion in contact with the first planarization layer and a second portion having a first plurality of cavities in contact with the second conductivity type semiconductor layer; and a first electrode formed on the first portion of the first transparent conductive oxide layer.

摘要翻译： 一种发光器件，包括：具有第一导电类型半导体层的发光层叠层，形成在第一导电型半导体层上的发光层和形成在发光层上的第二导电型半导体层，其中， 第二导电类型半导体层的上表面是纹理表面; 形成在所述第二导电型半导体层的上表面的第一部分上的第一平坦化层; 形成在所述第一平坦化层上的第一透明导电氧化物层和所述第二导电类型半导体层的第二部分，所述第二导电类型半导体层包括与所述第一平坦化层接触的第一部分和具有与所述第二平坦化层接触的第一多个空腔的第二部分 导电型半导体层; 以及形成在第一透明导电氧化物层的第一部分上的第一电极。

公开(公告)号：US07745832B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US11222803

申请日：2005-09-12

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chien-Yuan Wang ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Chia-Liang Hsu

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chien-Yuan Wang ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Chia-Liang Hsu

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L33/641 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor light-emitting element assembly, comprising a composite substrate, a circuit layout carrier, a connecting structure, a recess, and a semiconductor light-emitting element, is disclosed. The connecting structure is used for bonding the composite substrate with the circuit layout carrier. The recess is formed by the circuit layout carrier and extends toward the composite substrate. The semiconductor light-emitting element is deposited in the recess and electrically connected to the circuit layout carrier.

摘要翻译： 公开了一种半导体发光元件组件，包括复合衬底，电路布局载体，连接结构，凹部和半导体发光元件。 连接结构用于将复合基板与电路布线载体接合。 凹部由电路布局载体形成并朝向复合基板延伸。 半导体发光元件沉积在凹槽中并电连接到电路布局载体。

公开(公告)号：US07732827B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11822181

申请日：2007-07-03

申请人： Chien-Yuan Wang ,  Chih-Chiang Lu ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chien-Yuan Wang ,  Chih-Chiang Lu ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/50

摘要： A light-emitting device and manufacturing method thereof are disclosed. The light-emitting device includes a substrate, a semiconductor light-emitting structure, a filter layer, and a fluorescent conversion layer. The method comprises forming a semiconductor light-emitting structure over a substrate, forming a filter layer over the semiconductor light-emitting structure, and forming a fluorescent conversion layer over the filter layer.

摘要翻译： 公开了一种发光器件及其制造方法。 发光器件包括衬底，半导体发光结构，滤光层和荧光转换层。 该方法包括在衬底上形成半导体发光结构，在半导体发光结构上形成滤光层，并在滤光层上形成荧光转换层。

公开(公告)号：US20090166666A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12314730

申请日：2008-12-16

申请人： Chiu-Lin Yao ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzer-Perng Chen

发明人： Chiu-Lin Yao ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzer-Perng Chen

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An exemplary semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a semiconductor stacked layer and a conductive structure. The conductive structure is located on the semiconductor stacked layer. The conductive structure includes a bottom portion and a top portion on opposite sides thereof. The bottom portion is in contact with the semiconductor stacked layer. A ratio of a top width of the top portion to a bottom width of the bottom portion is less than 0.7. The conductive structure can be a conductive dot structure or a conductive line structure.

摘要翻译： 提供了示例性的半导体器件。 半导体器件包括半导体堆叠层和导电结构。 导电结构位于半导体堆叠层上。 导电结构包括底部和在其相对侧上的顶部。 底部与半导体堆叠层接触。 顶部的顶部宽度与底部的底部宽度之比小于0.7。 导电结构可以是导电点结构或导线结构。

公开(公告)号：US20090140280A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12292593

申请日：2008-11-21

申请人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： A light-emitting device comprises a substrate, an epitaxial structure formed on the substrate including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A trench is formed in the epitaxial structure to expose a part of side surface of the epitaxial structure and a part of surface of the first semiconductor layer, so that a first conductive structure is formed on the part of surface of the first semiconductor layer in the trench, and a second conductive structure is formed on the second semiconductor layer. The first conductive structure includes a first electrode and a first pad electrically contacted with each other. The second conductive structure includes a second electrode and a second pad electrically contacted with each other. Furthermore, the area of at least one of the first pad and the second pad is between 1.5×104 μm and 6.2×104 μm.

摘要翻译： 发光器件包括衬底，形成在衬底上的外延结构，包括第一半导体层，第二半导体层和形成在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。 在外延结构中形成沟槽以暴露外延结构的侧面的一部分和第一半导体层的表面的一部分，使得第一导电结构形成在第一半导体层的表面的一部分中 沟槽，并且在第二半导体层上形成第二导电结构。 第一导电结构包括彼此电接触的第一电极和第一焊盘。 第二导电结构包括彼此电接触的第二电极和第二焊盘。 此外，第一垫和第二垫中的至少一个的面积在1.5×10 4 mum到6.2×10 4 m之间。

公开(公告)号：US20090021926A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12219084

申请日：2008-07-16

申请人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chih-Chiang Lu

发明人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chih-Chiang Lu

IPC分类号： F21V9/16 ,  G02F1/35

CPC分类号： G02F1/353 ,  F21K9/64 ,  F21V9/30 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An embodiment of the invention discloses a wavelength converting system capable of emitting a second electromagnetic radiation having a second wavelength in response to a first electromagnetic radiation having a first wavelength, wherein an energy level of the first electromagnetic radiation is higher than that of the second electromagnetic level, and a positive correlation is between the first wavelength and the second wavelength.

摘要翻译： 本发明的实施例公开了一种波长转换系统，其能够响应于具有第一波长的第一电磁辐射发射具有第二波长的第二电磁辐射，其中第一电磁辐射的能级高于第二电磁辐射的能级 在第一波长和第二波长之间呈正相关。

公开(公告)号：US20080315236A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12230203

申请日：2008-08-26

申请人： Chih-Chiang Lu ,  Wei-Chih Peng ,  Shiau-Huei San ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chih-Chiang Lu ,  Wei-Chih Peng ,  Shiau-Huei San ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

摘要： An embodiment of the invention discloses an optoelectronic semiconductor device comprising a semiconductor system capable of performing a conversion between light energy and electrical energy; an interfacial layer formed on at least two surfaces of the semiconductor system; an electrical conductor; and an electrical connector electrically connecting the semiconductor system to the electric conductor.

摘要翻译： 本发明的实施例公开了一种光电子半导体器件，其包括能够执行光能和电能之间的转换的半导体系统; 形成在所述半导体系统的至少两个表面上的界面层; 电导体 以及将半导体系统电连接到电导体的电连接器。

公开(公告)号：US20080308832A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12213129

申请日：2008-06-16

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chiu-Lin Yao

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chiu-Lin Yao

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44

摘要： A light-emitting device comprises a semiconductor light-emitting stack; and an optical field tuning layer formed on the semiconductor light-emitting stack to change beam angles of the light-emitting device.

摘要翻译： 发光装置包括半导体发光叠层; 以及形成在半导体发光叠层上的光场调谐层，以改变发光器件的光束角度。

公开(公告)号：US20080112156A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US12007745

申请日：2008-01-15

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chun-Chang Chen ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Yi-Ming Chen

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chun-Chang Chen ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Yi-Ming Chen

IPC分类号： G09F13/04 ,  F21V13/10

CPC分类号： G02B19/0071 ,  F21V7/0091 ,  F21Y2115/10 ,  G02B6/0018 ,  G02B6/0021 ,  G02B6/0033 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  H01L2924/01322 ,  Y10T428/31551 ,  H01L2924/00

摘要： An illumination apparatus is disclosed in the invention. The illumination apparatus includes a cavity with a diffusion surface, a light source, a light-spreading device, and at least one optically-conditioning surface with a wavelike array formed thereon. The light-spreading device and the optically-conditioning surface spread the light generated by the light source. The light-spreading device includes a wing-shaped protrusion part, a light incident surface, a recess located away from the light incident surface, and an optically-conditioning surface including a wavelike array, wherein the wavelike array has a wavefront direction.

公开(公告)号：US07246931B2

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：US11302732

申请日：2005-12-13

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chia-Liang Hsu ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Chien-Yuan Wang

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chou-Chih Yin ,  Chia-Liang Hsu ,  Jen-Shui Wang ,  Chia-Fen Tsai ,  Chien-Yuan Wang

IPC分类号： F21V7/04

CPC分类号： F21K9/61 ,  F21K9/00 ,  F21Y2115/10

摘要： A tube type light emitting diode light source including a light source generator, a light guide and a diffuser is provided. The light source generator includes LEDs arranging in a line. The light guide has a grooved light incident surface and a grooved light-guiding surface. The grooved light incident surface encompasses the LEDs, and the grooved light-guiding surface is adapted for changing the propagating direction of an incident light. The diffuser covers the light guide.

摘要翻译： 提供了包括光源发生器，光导和扩散器的管式发光二极管光源。 光源发生器包括排列成一行的LED。 光导具有凹槽的光入射表面和带槽的光导表面。 带槽的光入射表面包围LED，并且带槽的光导表面适于改变入射光的传播方向。 扩散器覆盖光导。