公开(公告)号：US08097880B2

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：US12421346

申请日：2009-04-09

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor component including a lateral transistor component is disclosed. One embodiment provides an electrically insulating carrier layer. A first and a second semiconductor layer are arranged on above another and are separated from another by a dielectric layer. The first semiconductor layer includes a polycrystalline semiconductor material, an amorphous semiconductor material or an organic semiconductor material. In the first semiconductor layer: a source zone, a body zone, a drift zone and a drain zone are provided. In the second semiconductor layer; a drift control zone is arranged adjacent to the drift zone, including a control terminal at a first lateral end for applying a control potential, and is coupled to the drain zone via a rectifying element at a second lateral end. A gate electrode is arranged adjacent to the body zone and is dielectrically insulated from the body zone by a gate dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种包括横向晶体管元件的半导体元件。 一个实施例提供电绝缘载体层。 第一和第二半导体层被布置在另一个之上并且通过电介质层与另一个半导体层分开。 第一半导体层包括多晶半导体材料，非晶半导体材料或有机半导体材料。 在第一半导体层中提供源极区，体区，漂移区和漏区。 在第二半导体层中; 漂移控制区被布置成与漂移区相邻，包括用于施加控制电位的第一横向端的控制端，并且在第二横向端通过整流元件耦合到排水区。 栅极电极被布置成与身体区域相邻并且通过栅极介电层与身体区域介电绝缘。

公开(公告)号：US07973359B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12194384

申请日：2008-08-19

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Gerald Deboy ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Gerald Deboy ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with a charge carrier compensation structure. In one embodiment, the semiconductor device has a central cell field with a gate and source structure. At least one bond contact area is electrically coupled to the gate structure or the source structure. A capacitance-increasing field plate is electrically coupled to at least one of the near-surface bond contact areas.

摘要翻译： 具有电荷载体补偿结构的半导体器件。 在一个实施例中，半导体器件具有具有栅极和源极结构的中心电池区。 至少一个键合接触区域电耦合到栅极结构或源极结构。 电容增大场板电耦合到近表面接合区域中的至少一个。

公开(公告)号：US20110156095A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12977755

申请日：2010-12-23

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236

摘要： A semiconductor component includes a first emitter zone of a first conductivity type, a second emitter zone of a second conductivity type, a first base zone arranged between the first and second emitter zones and a first control structure. The first control structure includes a control electrode arranged adjacent the first emitter zone, the control electrode being insulated from the first emitter zone by a first dielectric layer and extending in a current flow direction of the semiconductor component. The first control structure includes a first control connection and at least one first connection zone arranged between the first control connection and the control electrode and comprising a semiconductor material.

摘要翻译： 半导体部件包括第一导电类型的第一发射极区域，第二导电类型的第二发射极区域，布置在第一和第二发射极区域之间的第一基极区域和第一控制结构。 第一控制结构包括布置在第一发射区附近的控制电极，控制电极通过第一介电层与第一发射区绝缘，并沿着半导体部件的电流流动方向延伸。 第一控制结构包括第一控制连接和布置在第一控制连接和控制电极之间并且包括半导体材料的至少一个第一连接区域。

公开(公告)号：US07829940B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US12163037

申请日：2008-06-27

申请人： Franz Hirler ,  Thoralf Kautzsch ,  Anton Mauder

发明人： Franz Hirler ,  Thoralf Kautzsch ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L29/732

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H03K2217/0036

摘要： Disclosed is a semiconductor including a component having a drift zone and a drift control zone. A first connection zone is adjacent to the drift zone and is doped more highly than the drift zone. A drift control zone is arranged adjacent to the drift zone and is coupled to the first connection zone. A drift control zone is dielectric arranged between the drift zone and the drift control zone. At least one rectifier element is arranged between the first connection zone and the drift control zone. A charging circuit is connected to the drift control zone.

摘要翻译： 公开了一种包括具有漂移区和漂移控制区的分量的半导体。 第一连接区域与漂移区相邻，并且掺杂比漂移区更高。 漂移控制区被布置成与漂移区相邻并且耦合到第一连接区。 漂移控制区是介于漂移区和漂移控制区之间的电介质。 至少一个整流元件布置在第一连接区域和漂移控制区域之间。 充电电路连接到漂移控制区。

公开(公告)号：US20100044788A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12194384

申请日：2008-08-19

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Gerald Deboy ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Gerald Deboy ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with a charge carrier compensation structure. In one embodiment, the semiconductor device has a central cell field with a gate and source structure. At least one bond contact area is electrically coupled to the gate structure or the source structure. A capacitance-increasing field plate is electrically coupled to at least one of the near-surface bond contact areas.

摘要翻译： 具有电荷载体补偿结构的半导体器件。 在一个实施例中，半导体器件具有具有栅极和源极结构的中心电池区。 至少一个键合接触区域电耦合到栅极结构或源极结构。 电容增大场板电耦合到近表面接合区域中的至少一个。

公开(公告)号：US09401355B2

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US13328371

申请日：2011-12-16

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/02 ,  H01L23/62 ,  H01L27/06 ,  H01L29/861 ,  H01L27/08 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

摘要： One embodiment of an integrated circuit includes a semiconductor body. In the semiconductor body a first trench region extends into the semiconductor body from a first surface. The integrated circuit further includes a diode including an anode region and a cathode region. One of the anode region and the cathode region is at least partly arranged in the first trench region. The other one of the anode region and the cathode region includes a first semiconductor region adjoining the one of the anode region and the cathode region from outside of the first trench region.

摘要翻译： 集成电路的一个实施例包括半导体本体。 在半导体本体中，第一沟槽区域从第一表面延伸到半导体本体中。 集成电路还包括包括阳极区域和阴极区域的二极管。 阳极区域和阴极区域中的一个至少部分地布置在第一沟槽区域中。 阳极区域和阴极区域中的另一个包括从第一沟槽区域的外部邻接阳极区域和阴极区域中的一个的第一半导体区域。

公开(公告)号：US09396997B2

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：US13288271

申请日：2011-11-03

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hermann Gruber ,  Hubert Rothleitner ,  Andreas Peter Meiser

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Hermann Gruber ,  Hubert Rothleitner ,  Andreas Peter Meiser

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a semiconductor component is provided. The method includes providing a semiconductor body with a first surface and a second surface opposite to the first surface, etching an insulation trench from the first surface partially into the semiconductor body, forming a first insulation layer on one or more sidewalls of the insulation trench, processing the second surface by at least one of grinding, polishing and a CMP-process to expose the first insulation layer, and depositing on the processed second surface a second insulation layer which extends to the first insulation layer.

摘要翻译： 提供一种半导体元件的制造方法。 该方法包括：提供具有与第一表面相对的第一表面和第二表面的半导体本体，将绝缘沟槽从第一表面部分地蚀刻到半导体本体中，在绝缘沟槽的一个或多个侧壁上形成第一绝缘层， 通过研磨，抛光和CMP工艺中的至少一个来处理第二表面以暴露第一绝缘层，以及在经处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。

公开(公告)号：US08779509B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13539959

申请日：2012-07-02

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L21/14

CPC分类号： H01L29/086 ,  H01L21/265 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor device includes a doped layer which contains a first dopant of a first conductivity type. In the doped layer, a counter-doped zone is formed in an edge area that surrounds an element area of the semiconductor device. The counter-doped zone contains at least the first dopant and a second dopant of a second conductivity type, which is the opposite of the first conductivity type. A concentration of the second dopant is at least 20% and at most 100% of a concentration of the first dopant. The dopants in the counter-doped zone decrease charge carrier mobility and minority carrier lifetime such that the dynamic robustness of the semiconductor device is increased.

摘要翻译： 半导体器件包括含有第一导电类型的第一掺杂剂的掺杂层。 在掺杂层中，在围绕半导体器件的元件区域的边缘区域中形成反掺杂区域。 反掺杂区至少包含与第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂剂和第二掺杂剂。 第二掺杂剂的浓度为第一掺杂剂的浓度的至少20％且至多100％。 反掺杂区中的掺杂剂降低了载流子迁移率和少数载流子寿命，从而提高了半导体器件的动态鲁棒性。

公开(公告)号：US20140027879A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13560626

申请日：2012-07-27

申请人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

发明人： Joachim Weyers ,  Kevni Bueyuektas ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with a semiconductor body with a top side and with a bottom side. A first coil that is monolithically integrated with the semiconductor body is arranged distant from the bottom side and comprises N first windings, wherein N≧1. The first coil has a first coil axis that extends in a direction different from a surface normal of the bottom side.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有顶侧和底侧的半导体本体的半导体部件。 与半导体本体一体地集成的第一线圈被布置成远离底侧并且包括N个第一绕组，其中N> = 1。 第一线圈具有沿与底侧的表面法线不同的方向延伸的第一线圈轴线。

公开(公告)号：US20130264607A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13441364

申请日：2012-04-06

申请人： Dorothea Werber ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Alexander Philippou

发明人： Dorothea Werber ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Alexander Philippou

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7396 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834

摘要： A semiconductor includes a drift zone of a first conductivity type arranged between a first side and a second side of a semiconductor body. The semiconductor device further includes a first region of the first conductivity type and a second region of a second conductivity type subsequently arranged along a first direction parallel to the second side. The semiconductor device further includes an electrode at the second side adjoining the first and second regions. The semiconductor device further includes a third region of the second conductivity type arranged between the drift zone and the first region. The third region is spaced apart from the second region and from the second side.

摘要翻译： 半导体包括布置在半导体主体的第一侧和第二侧之间的第一导电类型的漂移区。 半导体器件还包括第一导电类型的第一区域和沿着平行于第二侧面的第一方向布置的第二导电类型的第二区域。 半导体器件还包括邻近第一和第二区域的第二侧的电极。 半导体器件还包括布置在漂移区和第一区之间的第二导电类型的第三区。 第三区域与第二区域和第二区域隔开。