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    MULTI-CHANNEL GAS-DELIVERY SYSTEM
    1.
    发明申请
    MULTI-CHANNEL GAS-DELIVERY SYSTEM 有权
    多通道气体输送系统

    公开(公告)号：US20110277690A1

    公开(公告)日：2011-11-17

    申请号：US12952127

    申请日：2010-11-22

    申请人： Yan Rozenzon ,  Robert T. Trujillo ,  Steven C. Beese

    发明人： Yan Rozenzon ,  Robert T. Trujillo ,  Steven C. Beese

    IPC分类号： F16K37/00 ,  C23C16/511

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45578 ,  C30B25/14 ,  Y10T137/8158

    摘要： One embodiment of the present invention provides a gas-delivery system for delivering reaction gas to a reactor chamber. The gas-delivery system includes a main gas-inlet port for receiving reaction gases and a gas-delivery plate that includes a plurality of gas channels. A gas channel includes a plurality of gas holes for allowing the reaction gases to enter the reactor chamber from the gas channel. The gas-delivery system further includes a plurality of sub-gas lines coupling together the main gas-inlet port and the gas-delivery plate, and a respective sub-gas line is configured to deliver a portion of the received reaction gases to a corresponding gas channel.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种用于将反应气体输送到反应室的气体输送系统。 气体输送系统包括用于接收反应气体的主气体入口和包括多个气体通道的气体输送板。 气体通道包括用于允许反应气体从气体通道进入反应室的多个气孔。 气体输送系统还包括将主气体入口和气体输送板连接在一起的多个子气体管线，并且相应的副气体管线被配置为将一部分接收的反应气体输送到相应的 气体通道。

    HIGH EFFICIENCY LOW COST CRYSTALLINE-SI THIN FILM SOLAR MODULE
    3.
    发明申请
    HIGH EFFICIENCY LOW COST CRYSTALLINE-SI THIN FILM SOLAR MODULE 审中-公开
    高效低成本晶体薄膜太阳能模块

    公开(公告)号：US20100300507A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：US12566459

    申请日：2009-09-24

    申请人： Jiunn Benjamin Heng ,  Chentao Yu ,  Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Peijun Ding

    发明人： Jiunn Benjamin Heng ,  Chentao Yu ,  Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Peijun Ding

    IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/00 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  B32B17/10036 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a double-sided heterojunction solar cell module. The solar cell includes a frontside glass cover, a backside cover situated below the frontside glass cover, and a number of solar cells situated between the frontside glass cover and the backside glass cover. Each solar cell includes a semiconductor multilayer structure situated below the frontside glass cover, including: a frontside electrode grid, a first layer of heavily doped amorphous Si (a-Si) situated below the frontside electrode, a layer of lightly doped crystalline-Si (c-Si) situated below the first layer of heavily doped a-Si, and a layer of heavily doped c-Si situated below the lightly doped c-Si layer. The solar cell also includes a second layer of heavily doped a-Si situated below the multilayer structure; and a backside electrode situated below the second layer of heavily doped a-Si.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了一种双面异质结太阳能电池模块。 太阳能电池包括前侧玻璃盖，位于前侧玻璃盖下方的背面盖以及位于前侧玻璃罩和后侧玻璃罩之间的若干太阳能电池。 每个太阳能电池包括位于前侧玻璃盖下方的半导体多层结构，包括：前侧电极栅格，位于前侧电极下方的重掺杂非晶Si（a-Si）第一层，轻掺杂晶体Si层 c-Si），以及位于轻掺杂的c-Si层下方的重掺杂c-Si层。 太阳能电池还包括位于多层结构下方的第二层重掺杂a-Si层; 以及位于重掺杂a-Si的第二层下方的背面电极。

    HETEROJUNCTION SOLAR CELL BASED ON EPITAXIAL CRYSTALLINE-SILICON THIN FILM ON METALLURGICAL SILICON SUBSTRATE DESIGN
    4.
    发明申请
    HETEROJUNCTION SOLAR CELL BASED ON EPITAXIAL CRYSTALLINE-SILICON THIN FILM ON METALLURGICAL SILICON SUBSTRATE DESIGN 有权
    基于金属硅基底板上的外延晶体硅薄膜的异相太阳能电池

    公开(公告)号：US20100229927A1

    公开(公告)日：2010-09-16

    申请号：US12401314

    申请日：2009-03-10

    申请人： Chentao Yu ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Jianjun Liang

    发明人： Chentao Yu ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Jianjun Liang

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0216

    CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a heterojunction solar cell. The solar cell includes a metallurgical-grade Si (MG-Si) substrate, a layer of heavily doped crystalline-Si situated above the MG-Si substrate, a layer of lightly doped crystalline-Si situated above the heavily doped crystalline-Si layer, a backside ohmic-contact layer situated on the backside of the MG-Si substrate, a passivation layer situated above the heavily doped crystalline-Si layer, a layer of heavily doped amorphous Si (a-Si) situated above the passivation layer, a layer of transparent-conducting-oxide (TCO) situated above the heavily doped a-Si layer, and a front ohmic-contact electrode situated above the TCO layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供了异质结太阳能电池。 太阳能电池包括冶金级Si（MG-Si）衬底，位于MG-Si衬底上方的重掺杂晶体层Si，位于重掺杂晶体Si层上方的轻掺杂晶体层Si， 位于MG-Si衬底背面的背面欧姆接触层，位于重掺杂晶体Si层上方的钝化层，位于钝化层上方的重掺杂非晶Si层（a-Si）层， 位于重掺杂的a-Si层上方的透明导电氧化物（TCO）和位于TCO层上方的前欧姆接触电极。

    SCALABLE, HIGH-THROUGHPUT, MULTI-CHAMBER EPITAXIAL REACTOR FOR SILICON DEPOSITION
    5.
    发明申请
    SCALABLE, HIGH-THROUGHPUT, MULTI-CHAMBER EPITAXIAL REACTOR FOR SILICON DEPOSITION 有权
    可扩展的，高通量，多孔硅沉积物外延反应器

    公开(公告)号：US20100092698A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12556454

    申请日：2009-09-09

    申请人： Steve Poppe ,  Yan Rozenzon ,  David Z. Chen ,  Xiaole Yan ,  Peijun Ding ,  Zheng Xu

    发明人： Steve Poppe ,  Yan Rozenzon ,  David Z. Chen ,  Xiaole Yan ,  Peijun Ding ,  Zheng Xu

    IPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/481 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165

    摘要： One embodiment provides an apparatus for material deposition. The apparatus includes a reaction chamber, and a pair of susceptors. Each susceptor has a front side mounting substrates and a back side. The front sides of the vertically positioned susceptors face each other, and the vertical edges of the susceptors are in contact with each other. The apparatus also includes a number of gas nozzles for injecting reaction gases. The gas flow directions inside the chamber can be alternated by controlling the gas nozzles. The gas nozzles are configured to inject a small amount of purge gas including at least one of: HCl, SiCl4, and H2 when the gas nozzles are not injecting reaction gas. The apparatus includes a number of heating units situated outside the reaction chamber. The heating units are arranged in such a way that they radiate heat energy directly to the back sides of the susceptors.

    摘要翻译： 一个实施例提供了用于材料沉积的装置。 该装置包括反应室和一对基座。 每个感受体具有正面安装基板和背面。 垂直定位的基座的前侧彼此面对，并且基座的垂直边缘彼此接触。 该装置还包括多个用于注入反应气体的气体喷嘴。 可以通过控制气体喷嘴来改变室内的气体流动方向。 气体喷嘴被配置为当气体喷嘴不注入反应气体时，喷射包括以下中的至少一种的少量吹扫气体：HCl，SiCl 4和H 2。 该装置包括位于反应室外部的多个加热单元。 加热单元以这样的方式布置，使得它们将热能直接辐射到基座的背面。

    SOLAR CELL WITH ELECTROPLATED METAL GRID
    6.
    发明申请
    SOLAR CELL WITH ELECTROPLATED METAL GRID 有权
    带电镀金属网的太阳能电池

    公开(公告)号：US20120060911A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：US13220532

    申请日：2011-08-29

    申请人： Jianming Fu ,  Zheng Xu ,  Chentao Yu ,  Jiunn Benjamin Heng

    发明人： Jianming Fu ,  Zheng Xu ,  Chentao Yu ,  Jiunn Benjamin Heng

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

    摘要： One embodiment of the present invention provides a method for fabricating solar cells. During operation, an anti-reflection layer is deposited on top of a semiconductor structure to form a photovoltaic structure, and a front-side electrode grid comprising a metal stack is formed on top of the photovoltaic structure. The metal stack comprises a metal-adhesive layer comprising Ti or Ta, and a conducting layer comprising Cu or Ag situated above the metal-adhesive layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种制造太阳能电池的方法。 在操作期间，在半导体结构的顶部上沉积抗反射层以形成光伏结构，并且在光伏结构的顶部上形成包括金属叠层的前侧电极栅格。 金属叠层包括由Ti或Ta构成的金属粘合剂层，以及包含位于金属粘合剂层上方的Cu或Ag的导电层。

    SOLAR CELL FABRICATED BY SILICON LIQUID-PHASE DEPOSITION
    10.
    发明申请
    SOLAR CELL FABRICATED BY SILICON LIQUID-PHASE DEPOSITION 审中-公开
    由硅液相沉积制成的太阳能电池

    公开(公告)号：US20090255574A1

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：US12102490

    申请日：2008-04-14

    申请人： Chentao Yu ,  Jianming Fu

    发明人： Chentao Yu ,  Jianming Fu

    IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  C25D5/00 ,  H01L31/0368

    CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/075 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a solar cell. The solar cell includes a substrate; a polycrystalline Si (poly-Si) thin-film layer which includes a p+ layer situated above the substrate, wherein the poly-Si thin-film layer is hydrogenated; a contact under-layer situated between the foreign substrate and the poly-Si thin-film layer; a metal layer situated below the contact layer, wherein part of the metal layer reaches the p+ layer through the contact under-layer; an n-type doped amorphous-Si (a-Si) thin-film layer situated above the poly-Si thin-film layer forming a heterojunction; an optional intrinsic layer situated between the poly-Si thin-film layer and the n-type doped a-Si thin-film layer; a transparent conductive layer situated above the n-type doped a-Si thin-film layer; and a front-side electrode situated above the transparent conductive layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种太阳能电池。 太阳能电池包括基板; 多晶硅（poly-Si）薄膜层，其包含位于所述基板上方的p +层，其中所述多晶硅薄膜层被氢化; 位于外部基板和多晶硅薄膜层之间的接触层; 位于所述接触层下方的金属层，其中所述金属层的一部分通过所述接触下层到达所述p +层; 位于形成异质结的多晶硅薄膜层上方的n型掺杂非晶Si（a-Si）薄膜层; 位于多晶硅薄膜层和n型掺杂a-Si薄膜层之间的可选本征层; 位于n型掺杂a-Si薄膜层上方的透明导电层; 以及位于透明导电层上方的前侧电极。