公开(公告)号：US09406646B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US13282927

申请日：2011-10-27

申请人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann

发明人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L29/40 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L29/402 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03

摘要： An embodiment electronic device comprises a semiconductor chip including a first main face, a second main face and side faces each connecting the first main face to the second main face. A metal layer is disposed above the second main face and the side faces, the metal layer including a porous structure.

摘要翻译： 实施例电子设备包括半导体芯片，其包括第一主面，第二主面和各自将第一主面与第二主面连接的侧面。 金属层设置在第二主面和侧面之上，金属层包括多孔结构。

公开(公告)号：US20140001514A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539944

申请日：2012-07-02

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Frank Kahlmann ,  Gerhard Miller

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Frank Kahlmann ,  Gerhard Miller

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/102 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7428 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device includes a device region. The device region includes at least one device region section including dopant atoms of a first doping type and with a first doping concentration of at least 1E16 cm−3 and dopant atoms of a second doping type and with a second doping concentration of at least 1E16 cm−3.

摘要翻译： 半导体器件包括器件区域。 器件区域包括至少一个器件区域部分，其包括第一掺杂类型的掺杂剂原子和具有至少1E16cm-3的第一掺杂浓度和第二掺杂类型的掺杂剂原子，并且具有至少1E16cm的第二掺杂浓度 -3。

公开(公告)号：US06927662B2

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10622934

申请日：2003-07-18

申请人： Frank Kahlmann ,  Bernhard Strzalkowski ,  Wolfgang Werner

发明人： Frank Kahlmann ,  Bernhard Strzalkowski ,  Wolfgang Werner

IPC分类号： H01F17/00 ,  H01L27/08 ,  H01F5/00

CPC分类号： H01L27/08 ,  H01F17/0006 ,  H01L23/645 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to an integrated transformer configuration having a first coil formed from an electrically conductive material having a spiral course with an essentially rectangular cross section. The transformer has a second coil with a spiral course. The first and the second coils are arranged such that they are electrically insulated from one another. The ratio between the height and the width of the rectangular cross section of the first coil is greater than 1.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有由导电材料形成的第一线圈的集成变压器配置，该导电材料具有基本矩形横截面的螺旋线圈。 变压器具有螺旋线圈的第二线圈。 第一和第二线圈被布置成使得它们彼此电绝缘。 第一线圈的矩形截面的高度与宽度之比大于1。

公开(公告)号：US08610274B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US12881257

申请日：2010-09-14

申请人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann ,  Josef Hoeglauer ,  Ralf Otremba ,  Georg Meyer-Berg

发明人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann ,  Josef Hoeglauer ,  Ralf Otremba ,  Georg Meyer-Berg

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A die structure includes a die and a metallization layer disposed over the front side of the die. The metallization layer includes copper. At least a part of the metallization layer has a rough surface profile. The part with the rough surface profile includes a wire bonding region, to which a wire bonding structure is to be bonded.

摘要翻译： 模具结构包括模具和设置在模具的前侧上的金属化层。 金属化层包括铜。 金属化层的至少一部分具有粗糙的表面轮廓。 具有粗糙表面轮廓的部分包括引线接合区域，引线接合结构将被接合到该引线接合区域。

公开(公告)号：US09275973B2

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：US13282927

申请日：2011-10-27

申请人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann

发明人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L29/40 ,  H01L23/552

摘要： An embodiment electronic device comprises a semiconductor chip including a first main face, a second main face and side faces each connecting the first main face to the second main face. A metal layer is disposed above the second main face and the side faces, the metal layer including a porous structure.

公开(公告)号：US20130105977A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13282927

申请日：2011-10-27

申请人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann

发明人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L29/402 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03

摘要： An embodiment electronic device comprises a semiconductor chip including a first main face, a second main face and side faces each connecting the first main face to the second main face. A metal layer is disposed above the second main face and the side faces, the metal layer including a porous structure.

摘要翻译： 实施例电子设备包括半导体芯片，其包括第一主面，第二主面和各自将第一主面与第二主面连接的侧面。 金属层设置在第二主面和侧面之上，金属层包括多孔结构。

公开(公告)号：US20120061835A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US12881257

申请日：2010-09-14

申请人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann ,  Josef Hoeglauer ,  Ralf Otremba ,  Georg Meyer-Berg

发明人： Khalil Hosseini ,  Frank Kahlmann ,  Josef Hoeglauer ,  Ralf Otremba ,  Georg Meyer-Berg

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A die structure includes a die and a metallization layer disposed over the front side of the die. The metallization layer includes copper. At least a part of the metallization layer has a rough surface profile. The part with the rough surface profile includes a wire bonding region, to which a wire bonding structure is to be bonded.

摘要翻译： 模具结构包括模具和设置在模具的前侧上的金属化层。 金属化层包括铜。 金属化层的至少一部分具有粗糙的表面轮廓。 具有粗糙表面轮廓的部分包括引线接合区域，引线接合结构将被接合到该引线接合区域。

公开(公告)号：US06853232B2

公开(公告)日：2005-02-08

申请号：US10446998

申请日：2003-05-27

申请人： Rainald Sander ,  Frank Kahlmann ,  Veli Kartal ,  Detlef Kalz ,  Helmut Hertrich

发明人： Rainald Sander ,  Frank Kahlmann ,  Veli Kartal ,  Detlef Kalz ,  Helmut Hertrich

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H02M1/08 ,  H03K17/082 ,  H03K17/16 ,  H03K5/08

CPC分类号： H03K17/0822 ,  H03K17/166

摘要： A power switching device has a power switching transistor connected in series in a load circuit with an inductive load portion and a commutation circuit. The commutation circuit is connected in parallel with the gate-drain or base-collector path of the power transistor and has a first Zener diode, which determines the commutation clamping voltage for switching on the power switching transistor during commutation, and an oppositely biased normal diode that is connected in series with the first Zener diode. The commutation circuit further has control elements in order to reduce, during a short time, the commutation clamping voltage at the beginning of each commutation cycle or after an adjustable delay from the beginning of each commutation cycle.

摘要翻译： 功率开关器件具有串联连接在具有感性负载部分和换向电路的负载电路中的功率开关晶体管。 换向电路与功率晶体管的栅极 - 漏极或基极 - 集电极路并联连接，并具有第一齐纳二极管，其确定换向期间切换功率开关晶体管的换向钳位电压，以及相反偏置的正常二极管 它与第一个齐纳二极管串联连接。 换向电路还具有控制元件，以便在短时间内在每个换向循环开始时或在从每个换向循环开始之后的可调延迟之后减少换向钳位电压。