公开(公告)号：US08623773B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13438405

申请日：2012-04-03

申请人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee

发明人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124

摘要： An etchant includes about 50% by weight to about 70% by weight of phosphoric acid, about 1% by weight to about 5% by weight of nitric acid, about 10% by weight to about 20% by weight of acetic acid, about 0.1% by weight to about 2% by weight of a corrosion inhibition agent including an azole-based compound and a remainder of water.

摘要翻译： 蚀刻剂包括约50重量％至约70重量％的磷酸，约1重量％至约5重量％的硝酸，约10重量％至约20重量％的乙酸，约0.1 约2重量％的包含唑类化合物和其余水的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US08785935B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13168408

申请日：2011-06-24

申请人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Kyong-Min Kang ,  Young-Jin Yoon ,  Suck-Jun Lee ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Dong-Ki Kim

发明人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Kyong-Min Kang ,  Young-Jin Yoon ,  Suck-Jun Lee ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Dong-Ki Kim

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733

摘要： An etchant includes: 5 to 20 wt % of persulfate, 1 to 10 wt % of at least one compound of an inorganic acid, an inorganic acid salt, or a mixture thereof, 0.3 to 5 wt % of a cyclic amine compound, 1 to 10 wt % of at least one compound of an organic acid, an organic acid salt, or a mixture thereof, 0.1 to 5 wt % of p-toluenesulfonic acid, and water, based on the total weight of the etchant. A copper-titanium etchant further includes 0.01 to 2 wt % of a fluoride-containing compound. A method of forming a display device using the etchant, and a display device, are also disclosed.

摘要翻译： 蚀刻剂包括：5〜20重量％的过硫酸盐，1〜10重量％的至少一种无机酸化合物，无机酸盐或其混合物，0.3〜5重量％的环状胺化合物，1〜 10重量％的至少一种有机酸化合物，有机酸盐或其混合物，0.1至5重量％的对甲苯磺酸和水，基于蚀刻剂的总重量。 另外，铜 - 钛蚀刻剂还含有0.01〜2重量％的含氟化合物。 还公开了使用蚀刻剂形成显示装置的方法和显示装置。

公开(公告)号：US08603867B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13439418

申请日：2012-04-04

申请人： Bong-Kyun Kim ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Seok-Jun Jang ,  Byung-Uk Kim ,  Sun-Joo Park ,  Suk-Il Yoon ,  Jong-Hyun Jeong ,  Soon-Beom Hur

发明人： Bong-Kyun Kim ,  Shin-Il Choi ,  Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Seok-Jun Jang ,  Byung-Uk Kim ,  Sun-Joo Park ,  Suk-Il Yoon ,  Jong-Hyun Jeong ,  Soon-Beom Hur

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： A composition for removing a photoresist, the composition including about 1% by weight to about 10% by weight of tetramethyl ammonium hydroxide (“TMAH”), about 1% by weight to about 10% by weight of an alkanol amine, about 50% by weight to about 70% by weight of a glycol ether compound, about 0.01% by weight to about 1% by weight of a triazole compound, about 20% by weight to about 40% by weight of a polar solvent, and water, each based on a total weight of the composition.

摘要翻译： 用于除去光致抗蚀剂的组合物，该组合物包含约1重量％至约10重量％的四甲基氢氧化铵（“TMAH”），约1重量％至约10重量％的烷醇胺，约50重量％ 约70重量％的二醇醚化合物，约0.01重量％至约1重量％的三唑化合物，约20重量％至约40重量％的极性溶剂和水，各自 基于组合物的总重量。

公开(公告)号：US20130115727A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13534502

申请日：2012-06-27

申请人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Bong-Kyun Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Kyung-Bo Shim ,  Sang-Hoon Jang

发明人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Bong-Kyun Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Kyung-Bo Shim ,  Sang-Hoon Jang

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L33/34 ,  H01L33/26 ,  C23F1/18

CPC分类号： C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： An etching composition and a method of manufacturing a display substrate using the etching composition are disclosed. The etching composition includes phosphoric acid (H3PO4) of about 40% by weight to about 70% by weight, nitric acid (HNO3) of about 5% by weight to about 15% by weight, acetic acid (CH3COOH) of about 5% by weight to about 20% by weight, and a remainder of water. Thus, a metal layer including copper may be stably etched.

摘要翻译： 公开了一种蚀刻组合物和使用该蚀刻组合物制造显示衬底的方法。 蚀刻组合物包括约40重量％至约70重量％的磷酸（H 3 PO 4），约5重量％至约15重量％的硝酸（HNO 3），约5重量％至约15重量％的乙酸（CH 3 COOH） 重量至约20％重量，余量为水。 因此，可以稳定地蚀刻包括铜的金属层。

公开(公告)号：US20130017636A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13439418

申请日：2012-04-04

申请人： Bong-Kyun KIM ,  Shin-Il CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Wang-Woo LEE ,  Seok-Jun JANG ,  Byung-Uk KIM ,  Sun-Joo PARK ,  Suk-Il YOON ,  Jong-Hyun JEONG ,  Soon-Beom HUR

发明人： Bong-Kyun KIM ,  Shin-Il CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Wang-Woo LEE ,  Seok-Jun JANG ,  Byung-Uk KIM ,  Sun-Joo PARK ,  Suk-Il YOON ,  Jong-Hyun JEONG ,  Soon-Beom HUR

IPC分类号： H01L33/08 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： A composition for removing a photoresist, the composition including about 1% by weight to about 10% by weight of tetramethyl ammonium hydroxide (“TMAH”), about 1% by weight to about 10% by weight of an alkanol amine, about 50% by weight to about 70% by weight of a glycol ether compound, about 0.01% by weight to about 1% by weight of a triazole compound, about 20% by weight to about 40% by weight of a polar solvent, and water, each based on a total weight of the composition.

摘要翻译： 用于除去光致抗蚀剂的组合物，该组合物包含约1重量％至约10重量％的四甲基氢氧化铵（TMAH），约1重量％至约10重量％的烷醇胺，约50重量％ 至约70重量％的二醇醚化合物，约0.01重量％至约1重量％的三唑化合物，约20重量％至约40重量％的极性溶剂，以及基于 组合物的总重量。

公开(公告)号：US09062244B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13534502

申请日：2012-06-27

申请人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Bong-Kyun Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Kyung-Bo Shim ,  Sang-Hoon Jang

发明人： Hong-Sick Park ,  Wang-Woo Lee ,  Bong-Kyun Kim ,  O-Byoung Kwon ,  Kyung-Bo Shim ,  Sang-Hoon Jang

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C09K13/04 ,  C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  C09K13/08 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/12

CPC分类号： C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/38 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： An etching composition and a method of manufacturing a display substrate using the etching composition are disclosed. The etching composition includes phosphoric acid (H3PO4) of about 40% by weight to about 70% by weight, nitric acid (HNO3) of about 5% by weight to about 15% by weight, acetic acid (CH3COOH) of about 5% by weight to about 20% by weight, and a remainder of water. Thus, a metal layer including copper may be stably etched.

摘要翻译： 公开了一种蚀刻组合物和使用该蚀刻组合物制造显示衬底的方法。 蚀刻组合物包括约40重量％至约70重量％的磷酸（H 3 PO 4），约5重量％至约15重量％的硝酸（HNO 3），约5重量％至约15重量％的乙酸（CH 3 COOH） 重量至约20％重量，余量为水。 因此，可以稳定地蚀刻包括铜的金属层。

公开(公告)号：US08557621B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13157806

申请日：2011-06-10

申请人： Jong-Hyun Choung ,  Yang Ho Bae ,  Jean Ho Song ,  O Sung Seo ,  Sun-Young Hong ,  Hwa Yeul Oh ,  Bong-Kyun Kim ,  Nam Seok Suh ,  Dong-Ju Yang ,  Wang Woo Lee

发明人： Jong-Hyun Choung ,  Yang Ho Bae ,  Jean Ho Song ,  O Sung Seo ,  Sun-Young Hong ,  Hwa Yeul Oh ,  Bong-Kyun Kim ,  Nam Seok Suh ,  Dong-Ju Yang ,  Wang Woo Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor array panel, including: sequentially forming a first silicon layer, a second silicon layer, a lower metal layer, and an upper metal layer on a gate insulating layer and a gate line; forming a first film pattern on the upper metal layer; forming a first lower metal pattern and a first upper metal pattern that includes a protrusion, by etching the upper metal layer and the lower metal layer; forming first and second silicon patterns by etching the first and second silicon layers; forming a second film pattern by ashing the first film pattern; forming a second upper metal pattern by etching the first upper metal pattern; forming a data line and a thin film transistor by etching the first lower metal pattern and the first and second silicon patterns; and forming a passivation layer and a pixel electrode on the resultant.

摘要翻译： 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上依次形成第一硅层，第二硅层，下金属层和上金属层; 在上金属层上形成第一膜图案; 通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突起的第一上金属图案; 通过蚀刻第一和第二硅层形成第一和第二硅图案; 通过灰化第一膜图案形成第二膜图案; 通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案; 通过蚀刻第一下金属图案和第一和第二硅图案来形成数据线和薄膜晶体管; 并在所得物上形成钝化层和像素电极。

公开(公告)号：US20130183822A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：US13480242

申请日：2012-05-24

申请人： Dae Ho KIM ,  Bong-Kyun KIM ,  Yong-Hwan RYU ,  Hong Sick PARK ,  Wang Woo LEE ,  Shin Il CHOI

发明人： Dae Ho KIM ,  Bong-Kyun KIM ,  Yong-Hwan RYU ,  Hong Sick PARK ,  Wang Woo LEE ,  Shin Il CHOI

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384

摘要： The present invention relates to a method for forming a trench that can remove residual particles in a trench using a metal mask, a method for forming a metal wire, and a method for manufacturing a thin film transistor array panel. The method for forming a trench includes: forming a first insulating layer on a substrate; forming a first metal layer on the first insulating layer; forming an opening by patterning the first metal layer; forming a trench by dry-etching the first insulating layer using the patterned first metal layer as a mask; and wet-etching the substrate. The dry-etching is performed using a main etching gas and a first auxiliary etching gas, and the first auxiliary etching gas includes argon.

摘要翻译： 本发明涉及使用金属掩模形成沟槽中的残留颗粒的形成方法，金属线形成方法以及薄膜晶体管阵列板的制造方法。 形成沟槽的方法包括：在衬底上形成第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上形成第一金属层; 通过图案化第一金属层形成开口; 通过使用图案化的第一金属层作为掩模对第一绝缘层进行干蚀刻来形成沟槽; 并湿法蚀刻基板。 使用主蚀刻气体和第一辅助蚀刻气体进行干蚀刻，并且第一辅助蚀刻气体包括氩。

公开(公告)号：US20120153287A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13168408

申请日：2011-06-24

申请人： Hong-Sick PARK ,  Wang-Woo LEE ,  Sang-Tae KIM ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Kyong-Min KANG ,  Young-Jin YOON ,  Suck-Jun LEE ,  O-Byoung KWON ,  In-Ho YU ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM ,  Dong-Ki KIM

发明人： Hong-Sick PARK ,  Wang-Woo LEE ,  Sang-Tae KIM ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Kyong-Min KANG ,  Young-Jin YOON ,  Suck-Jun LEE ,  O-Byoung KWON ,  In-Ho YU ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM ,  Dong-Ki KIM

IPC分类号： H01L33/16 ,  C09K13/08 ,  C09K13/06

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733

摘要： An etchant includes: 5 to 20 wt % of persulfate, 1 to 10 wt % of at least one compound of an inorganic acid, an inorganic acid salt, or a mixture thereof, 0.3 to 5 wt % of a cyclic amine compound, 1 to 10 wt % of at least one compound of an organic acid, an organic acid salt, or a mixture thereof, 0.1 to 5 wt % of p-toluenesulfonic acid, and water, based on the total weight of the etchant. A copper-titanium etchant further includes 0.01 to 2 wt % of a fluoride-containing compound. A method of forming a display device using the etchant, and a display device, are also disclosed.

摘要翻译： 蚀刻剂包括：5〜20重量％的过硫酸盐，1〜10重量％的至少一种无机酸化合物，无机酸盐或其混合物，0.3〜5重量％的环状胺化合物，1〜 10重量％的至少一种有机酸，有机酸盐或其混合物的化合物，0.1至5重量％的对甲苯磺酸和水，基于蚀刻剂的总重量。 另外，铜 - 钛蚀刻剂还含有0.01〜2重量％的含氟化合物。 还公开了使用蚀刻剂形成显示装置的方法和显示装置。

公开(公告)号：US20110226727A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13032563

申请日：2011-02-22

申请人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

发明人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

IPC分类号： C23F1/18 ,  H05K3/06 ,  C23F1/30 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： Exemplary embodiments of the present invention provide a metal wiring etchant. A metal wiring etchant according to an exemplary embodiment of the present invention includes ammonium persulfate, an organic acid, an ammonium salt, a fluorine-containing compound, a glycol-based compound, and an azole-based compound.

摘要翻译： 本发明的示例性实施方案提供金属线路蚀刻剂。 根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包括过硫酸铵，有机酸，铵盐，含氟化合物，二醇类化合物和唑类化合物。