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    METHODS OF FORMING HIGHLY ORIENTED DIAMOND FILMS AND STRUCTURES FORMED THEREBY
    3.
    发明申请
    METHODS OF FORMING HIGHLY ORIENTED DIAMOND FILMS AND STRUCTURES FORMED THEREBY 审中-公开
    形成高精度金刚石薄膜的方法及其形成的结构

    公开(公告)号：US20080237718A1

    公开(公告)日：2008-10-02

    申请号：US11694626

    申请日：2007-03-30

    申请人： Vladimir Noveski ,  Sujit Sharan ,  Aleksandar Aleksov

    发明人： Vladimir Noveski ,  Sujit Sharan ,  Aleksandar Aleksov

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84

    摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic device are described. Those methods may include forming a first HOD layer on a first side of a first silicon substrate, forming a CMOS region on a second side of the silicon substrate, forming amorphous silicon on the CMOS region, recrystallizing the amorphous silicon to form a first single crystal silicon layer, and forming a second HOD layer on the first single crystal silicon layer.

    摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括在第一硅衬底的第一侧上形成第一HOD层，在硅衬底的第二侧上形成CMOS区域，在CMOS区域上形成非晶硅，使非晶硅重结晶以形成第一单晶 硅层，并在第一单晶硅层上形成第二HOD层。

    Microelectronic package and method of manufacturing same
    5.
    发明申请
    Microelectronic package and method of manufacturing same 审中-公开
    微电子封装及其制造方法相同

    公开(公告)号：US20080237844A1

    公开(公告)日：2008-10-02

    申请号：US11729200

    申请日：2007-03-28

    申请人： Aleksandar Aleksov ,  Vladimir Noveski ,  Sujit Sharan

    发明人： Aleksandar Aleksov ,  Vladimir Noveski ,  Sujit Sharan

    IPC分类号： H01L23/36

    CPC分类号： H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

    摘要： A microelectronic package includes a package substrate (110, 310, 410), a plurality of dies (120, 610, 630) arranged in a stack (150, 350, 450) above the package substrate, with a first die (121) located above the package substrate at a bottom (151) of the stack and an uppermost die (122) located at a top (152) of the stack, and a plurality of heat spreaders (130, 330, 430, 620) stacked above the first die, with a first heat spreader (131) located above the uppermost die. One of the plurality of heat spreaders is located between each pair of adjacent dies. Each one of the plurality of heat spreaders has an extending portion (132) that extends laterally beyond an edge (123) of an adjacent die, and at least one of the plurality of heat spreaders both provides electrical interconnectivity and thermal conductivity.

    摘要翻译： 微电子封装包括封装衬底（110,310,410），布置在封装衬底上方的堆叠（150,350,450）中的多个管芯（120,610,630），第一管芯（121）位于 在所述堆叠的底部（151）处的所述封装衬底上方，以及位于所述堆叠的顶部（152）处的最上面的模具（122）以及堆叠在所述堆叠的顶部（152）上方的多个散热器（130,330,430,620） 模具，第一个散热器（131）位于最上面的模具上方。 多个散热器中的一个位于每对相邻的模具之间。 多个散热器中的每一个具有横向延伸超过相邻模具的边缘（123）的延伸部分（132），并且多个散热器中的至少一个均提供电互连性和导热性。