公开(公告)号：US20100072632A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12233974

申请日：2008-09-19

申请人： Chen-Hua YU ,  Tien-I BAO

发明人： Chen-Hua YU ,  Tien-I BAO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05097 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48681

摘要： A semiconductor structure is provided. In one embodiment, a bond pad is formed above one or more underlying layers of a substrate. A plurality of dummy plugs are spaced around the bond pad, the plurality of dummy plugs substantially vertically traversing the one or more underlying layers, wherein the plurality of dummy plugs anchor at least two of the underlying layers together to achieve improved mechanical strength.

摘要翻译： 提供半导体结构。 在一个实施例中，在衬底的一个或多个下层上方形成接合焊盘。 多个虚拟插头围绕接合焊盘间隔开，多个虚拟插头基本垂直地穿过一个或多个下层，其中多个虚拟插头将至少两个下面的层固定在一起以实现改进的机械强度。

公开(公告)号：US20120205814A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13028889

申请日：2011-02-16

申请人： Yung-Hsu WU ,  Hsin-Hsien LU ,  Tien-I BAO ,  Shau-Lin SHUE

发明人： Yung-Hsu WU ,  Hsin-Hsien LU ,  Tien-I BAO ,  Shau-Lin SHUE

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/3212 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The disclosure provides mechanisms of performing metal chemical-mechanical polishing (CMP) without significant loss of copper and a dielectric film of damascene structures. The mechanisms use a metal CMP stop layer made of a low-k dielectric film with a porogen, which significantly reduces the removal rate of the metal CMP stop layer by metal CMP. The metal CMP stop layer is converted into a porous low-k dielectric film after a cure (or curing) to remove or convert the porogen. The low-k value, such as equal to or less than about 2.6, of the metal CMP stop layer makes the impact of using of the metal CMP stop layer on RC delay from minimum to none. Further the CMP stop layer protects the porous low-k dielectric film underneath from exposure to water, organic compounds, and mobile ions in the CMP slurry.

摘要翻译： 本公开提供了进行金属化学机械抛光（CMP）而不显着损失铜和镶嵌结构的介电膜的机理。 这些机制使用由具有致孔剂的低k电介质膜制成的金属CMP停止层，这显着地降低了通过金属CMP的金属CMP停止层的去除速率。 在固化（或固化）之后，将金属CMP停止层转化为多孔低k电介质膜以去除或转化致孔剂。 金属CMP停止层的低k值（例如等于或小于约2.6）使得金属CMP停止层的使用对RC延迟的影响从最小到无。 此外，CMP停止层保护下面的多孔低k电介质膜不暴露于CMP浆料中的水，有机化合物和移动离子。

公开(公告)号：US20130223789A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13403566

申请日：2012-02-23

申请人： Wan-Yu LEE ,  Chun-Hao TSENG ,  Hai-Ching CHEN ,  Tien-I BAO

发明人： Wan-Yu LEE ,  Chun-Hao TSENG ,  Hai-Ching CHEN ,  Tien-I BAO

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： G02B6/4214 ,  G02B6/4246 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02252 ,  H01L2924/00011

摘要： An optical bench on substrate includes a substrate and a trench formed inside the substrate and having a sloping side. A reflector layer is formed over the sloping side. An optical component is mounted over the substrate. The reflector layer is configured to reflect an electromagnetic wave to or from the optical component.

摘要翻译： 衬底上的光学台架包括衬底和形成在衬底内部并具有倾斜侧面的沟槽。 在倾斜侧上形成反射层。 光学部件安装在基板上。 反射器层被配置为将电磁波反射到光学部件或从光学部件反射。

公开(公告)号：US20100203722A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12765662

申请日：2010-04-22

申请人： Tien-I BAO ,  Syun-Ming JANG

发明人： Tien-I BAO ,  Syun-Ming JANG

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1089

摘要： A method for processing a semiconductor structure includes the steps of capping a top surface of the semiconductor structure that defines the metallization layer with a thin stop layer, forming a dielectric layer over the thin stop layer, wherein the dielectric layer defines at least one area where the thin stop layer is exposed, and removing the exposed thin stop layer to expose a top surface of the metallization layer using etchant gases substantially free from oxygen, so that the metallization layer is substantially free of damage.

摘要翻译： 一种用于处理半导体结构的方法包括以下步骤：用薄的阻挡层覆盖限定金属化层的半导体结构的顶表面，在薄的停止层上形成电介质层，其中介电层限定至少一个区域， 暴露薄的止挡层，并且使用基本上不含氧的蚀刻剂气体去除暴露的薄止挡层以暴露金属化层的顶表面，使得金属化层基本上没有损坏。