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    Resistive memory cell
    3.
    发明授权
    Resistive memory cell 有权
    电阻记忆单元

    公开(公告)号：US08847196B2

    公开(公告)日：2014-09-30

    申请号：US13109052

    申请日：2011-05-17

    申请人： Matthew N. Rocklein ,  D. V. Nirmal Ramaswamy

    发明人： Matthew N. Rocklein ,  D. V. Nirmal Ramaswamy

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

    摘要： Semiconductor memory devices, resistive memory devices, memory cell structures, and methods of forming a resistive memory cell are provided. One example method of a resistive memory cell can include a number of dielectric regions formed between two electrodes, and a barrier dielectric region formed between each of the dielectric regions. The barrier dielectric region serves to reduce an oxygen diffusion rate associated with the dielectric regions.

    摘要翻译： 提供了半导体存储器件，电阻式存储器件，存储单元结构以及形成电阻存储单元的方法。 电阻式存储单元的一个示例性方法可以包括形成在两个电极之间的多个电介质区域和形成在每个电介质区域之间的势垒电介质区域。 势垒电介质区域用于降低与电介质区域相关联的氧扩散速率。

    Memory structures and arrays
    8.
    发明授权
    Memory structures and arrays 有权
    内存结构和数组

    公开(公告)号：US09136306B2

    公开(公告)日：2015-09-15

    申请号：US13340375

    申请日：2011-12-29

    申请人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Mark S. Korber

    发明人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Mark S. Korber

    IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L23/528 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L29/456 ,  H01L29/861 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683

    摘要： Some embodiments include memory structures having a diode over a memory cell. The memory cell can include programmable material between a pair of electrodes, with the programmable material containing a multivalent metal oxide directly against a high-k dielectric. The diode can include a first diode electrode directly over one of the memory cell electrodes and electrically coupled with the memory cell electrode, and can include a second diode electrode laterally outward of the first diode electrode and not directly over the memory cell. Some embodiments include memory arrays comprising the memory structures, and some embodiments include methods of making the memory structures.

    摘要翻译： 一些实施例包括在存储器单元上具有二极管的存储器结构。 存储单元可以包括一对电极之间的可编程材料，可编程材料直接与高k电介质一起包含多价金属氧化物。 二极管可以包括直接在一个存储单元电极上并与存储单元电极电耦合的第一二极管电极，并且可以包括在第一二极管电极的横向外部并且不直接在存储单元上方的第二二极管电极。 一些实施例包括包括存储器结构的存储器阵列，并且一些实施例包括制造存储器结构的方法。

    Transistor Devices, Memory Cells, And Arrays Of Memory Cells
    9.
    发明申请
    Transistor Devices, Memory Cells, And Arrays Of Memory Cells 审中-公开
    晶体管器件，存储单元和存储单元阵列

    公开(公告)号：US20140054709A1

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：US13595832

    申请日：2012-08-27

    申请人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Gurtej S. Sandhu

    发明人： D. V. Nirmal Ramaswamy ,  Gurtej S. Sandhu

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/088

    CPC分类号： H01L29/7887 ,  H01L27/11521

    摘要： A transistor device includes a pair of source/drain regions having a channel region there-between. A first gate is proximate the channel region. A gate dielectric is between the first gate and the channel region. A second gate is proximate the channel region. A programmable material is between the second gate and the channel region. The programmable material includes at least one of a) a multivalent metal oxide portion and an oxygen-containing dielectric portion, or b) a multivalent metal nitride portion and a nitrogen-containing dielectric portion. Memory cells and arrays of memory cells are disclosed.

    摘要翻译： 晶体管器件包括在其之间具有沟道区的一对源/漏区。 第一个门靠近通道区域。 栅介质位于第一栅极和沟道区之间。 第二个门靠近通道区域。 可编程材料位于第二栅极和沟道区域之间。 可编程材料包括a）多价金属氧化物部分和含氧电介质部分中的至少一种，或b）多价金属氮化物部分和含氮介电部分。 公开了存储器单元和存储器单元阵列。