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    Method for image reversal of implant resist using a single photolithography exposure and structures formed thereby
    6.
    发明授权
    Method for image reversal of implant resist using a single photolithography exposure and structures formed thereby 有权
    使用单一光刻曝光和由此形成的结构的植入物抗蚀剂的图像反转方法

    公开(公告)号：US06780736B1

    公开(公告)日：2004-08-24

    申请号：US10604009

    申请日：2003-06-20

    申请人： Steven J. Holmes ,  Toshiharu Furukawa ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

    发明人： Steven J. Holmes ,  Toshiharu Furukawa ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

    IPC分类号： H01L21425

    CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/823814

    摘要： A method for image reversal in semiconductor processing includes forming a first implant mask layer upon a semiconductor substrate and forming a patterned photoresist layer over the first implant mask layer. Portions of the first implant mask layer not covered by the patterned photoresist layer are removed so as to expose non-patterned portions of the substrate. The photoresist layer is then removed, and a second implant mask layer is formed over the non-patterned portions of the substrate, wherein the first implant mask layer has an etch selectivity with respect to the second implant mask layer. The remaining portions of the first implant mask layer are removed to expose a reverse image of the substrate, including initially patterned portions of the substrate.

    摘要翻译： 半导体处理中的图像反转方法包括在半导体衬底上形成第一注入掩模层并在第一注入掩模层上形成图案化的光致抗蚀剂层。 去除未被图案化光致抗蚀剂层覆盖的第一注入掩模层的部分，以暴露衬底的未图案化部分。 然后去除光致抗蚀剂层，并且在衬底的非图案化部分上形成第二注入掩模层，其中第一注入掩模层相对于第二注入掩模层具有蚀刻选择性。 去除第一注入掩模层的剩余部分以暴露衬底的反向图像，包括衬底的初始图案化部分。

    Hard mask integrated etch process for patterning of silicon oxide and other dielectric materials
    8.
    发明授权
    Hard mask integrated etch process for patterning of silicon oxide and other dielectric materials 失效
    用于图案化氧化硅和其它介电材料的硬掩模集成蚀刻工艺

    公开(公告)号：US06869542B2

    公开(公告)日：2005-03-22

    申请号：US10249047

    申请日：2003-03-12

    申请人： Sadanand V. Desphande ,  David Dobuzinsky ,  Arpan P. Mahorowala ,  Tina Wagner ,  Richard Wise

    发明人： Sadanand V. Desphande ,  David Dobuzinsky ,  Arpan P. Mahorowala ,  Tina Wagner ,  Richard Wise

    IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31116

    摘要： Form an opening in a dielectric layer formed on a substrate comprises depositing a hard mask composed of an etch resistant material over a dielectric layer, e.g. a silicon oxide. Use a photoresist mask to expose the hard mask. Use a fluorocarbon plasma to etch through the window to form an opening through the hard mask. Then etch through the hard mask opening to pattern the dielectric layer. The hard mask comprises an RCH/RCHX material with the structural formula R:C:H or R:C:H:X, where R is selected from Si, Ge, B, Sn, Fe, Ti and X is selected from O, N, S and F. The plasma etching process employs a) a gas mixture comprising N2; fluorocarbon (CHF3, C4F8, C4F6, CF4, CH2F2, CH3F); an oxidizer (O2, CO2), and a noble diluent (Ar, He); b) a high DC bias (500-3000 Volts bias on the wafer); 3) medium pressure (20-100 mT.; and d) moderate temperatures (−20 to 60°).

    摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层中形成开口，包括在电介质层上沉积由耐蚀刻材料构成的硬掩模， 氧化硅。 使用光刻胶掩模露出硬掩模。 使用氟碳等离子体通过窗口蚀刻以形成通过硬掩模的开口。 然后蚀刻穿过硬掩模开口以对介电层进行图案化。 硬掩模包括具有结构式R：C：H或R：C：H：X的RCH / RCHX材料，其中R选自Si，Ge，B，Sn，Fe，Ti和X选自O， N，S和F.等离子体蚀刻工艺使用a）包含N 2的气体混合物; 碳氟化合物（CHF 3，C 4 F 8，C 4 F 6，CF 4，CH 2 F 2，CH 3 F）; 氧化剂（O 2，CO 2）和稀有稀释剂（Ar，He）; b）高直流偏置（晶片上的500-3000伏偏压）; 3）中压（20-100mT;和d）中等温度（-20至60°）。