公开(公告)号：US20070117279A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11417026

申请日：2006-05-03

申请人： Hyeon Shin ,  Young Chung ,  Hyun Jeong ,  Sang Hyun ,  Jong Seon

发明人： Hyeon Shin ,  Young Chung ,  Hyun Jeong ,  Sang Hyun ,  Jong Seon

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/148 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C18/1225 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1275 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02658

摘要： A semiconductor thin film using a self-assembled monolayer (SAM) and a method for producing the semiconductor thin film are provided. According to the semiconductor thin film, a uniform inorganic seed layer is formed by using the self-assembled monolayer so that the adhesion between an insulating layer and a semiconductor layer is enhanced and thus the surface tension is reduced, thereby allowing the semiconductor thin film to have high quality without defects.

摘要翻译： 提供了使用自组装单层（SAM）的半导体薄膜和制造半导体薄膜的方法。 根据半导体薄膜，通过使用自组装单层形成均匀的无机种子层，使得绝缘层和半导体层之间的粘附性增强，因此表面张力降低，从而使半导体薄膜 具有高质量无缺陷。

公开(公告)号：US20070090346A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11439036

申请日：2006-05-23

申请人： Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Hyeon Shin ,  Sang Hyun

发明人： Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Hyeon Shin ,  Sang Hyun

IPC分类号： C01G11/02 ,  H01L29/08 ,  C07F3/00

CPC分类号： C07F3/003 ,  H01L21/32055 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828

摘要： A porous chalcogenide thin film having a microporous structure, a method for preparing the chalcogenide thin film and an electronic device employing the chalcogenide thin film, are provided. The porous chalcogenide thin film has superior crystallinity and can be applied as a semiconductor layer having superior electrical properties to the fabrication of devices by inserting functional metal or semiconductor nanoparticles into nanopores of the thin film.

摘要翻译： 提供具有微孔结构的多孔硫族化物薄膜，制备硫族化物薄膜的方法和采用硫族化物薄膜的电子器件。 多孔硫族化物薄膜具有优异的结晶度，并且通过将功能性金属或半导体纳米颗粒插入薄膜的纳米孔中，可以将其应用于具有优异电性能的半导体层与器件的制造。

公开(公告)号：US20070166645A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11412028

申请日：2006-04-26

申请人： Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Hyeon Shin ,  Sang Hyun

发明人： Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Hyeon Shin ,  Sang Hyun

IPC分类号： G11B7/24

CPC分类号： C23C26/02 ,  C07F3/003 ,  C23C2/04

摘要： Disclosed herein are a soluble chalcogenide precursor compound and a method for preparing a chalcogenide thin film using the precursor compound by a solution deposition process, e.g., spin coating or dip coating. In the method, the use of the chalcogenide precursor as an inorganic semiconductor material soluble in organic solvents enables the preparation of a semiconductor thin film having excellent electrical and physical properties (e.g., crystallinity). In addition, a large-area thin film can be prepared by a solution deposition process, thus contributing to the simplification of procedures and reduction of preparation costs. Therefore, the method can be effectively applied in a wide variety of fields, such as thin film transistors, electroluminescent devices, photovoltaic cells and memory devices.

摘要翻译： 本文公开了一种可溶性硫族化物前体化合物和使用前体化合物通过溶液沉积方法如旋涂或浸涂制备硫族化物薄膜的方法。 在该方法中，作为可溶于有机溶剂的无机半导体材料的硫族化物前体的使用使得能够制备具有优异的电学和物理性质（例如结晶度）的半导体薄膜。 此外，可以通过溶液沉积工艺制备大面积薄膜，从而有助于简化程序和降低制备成本。 因此，该方法可以有效地应用于薄膜晶体管，电致发光器件，光伏电池和存储器件等各种领域。

公开(公告)号：US20060159938A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11335689

申请日：2006-01-20

申请人： Jin Lee ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Hyeon Shin

发明人： Jin Lee ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Hyeon Shin

IPC分类号： B32B27/00 ,  B05D3/02 ,  C08L83/04 ,  C08G77/04

CPC分类号： C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/31663 ,  C08L2666/04

摘要： A composition for forming a low dielectric thin film, which includes a silane polymer, polymer nanoparticles, a porogen and an organic solvent, and a method of preparing a low dielectric thin film using the same. The low dielectric thin film prepared using the composition of this disclosure has a low dielectric constant and excellent mechanical strength. As well, the polymer nanoparticles in the low dielectric thin film have a uniform diameter and are soft, and thus are advantageously applied to a chemical-mechanical polishing process.

摘要翻译： 用于形成低电介质薄膜的组合物，其包括硅烷聚合物，聚合物纳米颗粒，致孔剂和有机溶剂，以及使用其制备低电介质薄膜的方法。 使用本公开的组合物制备的低电介质薄膜具有低介电常数和优异的机械强度。 同样，低电介质薄膜中的聚合物纳米颗粒具有均匀的直径并且是柔软的，因此有利地应用于化学机械抛光工艺。

公开(公告)号：US20050080214A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10841553

申请日：2004-05-10

申请人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Kwang Lee ,  Sang Mah

发明人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Kwang Lee ,  Sang Mah

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C07F7/18 ,  C07F7/21 ,  C08G77/02 ,  C08G77/04 ,  C08G77/06 ,  C08G77/08 ,  C08G77/14 ,  C08G77/50 ,  C09D5/25 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/312

CPC分类号： C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/06 ,  C08G77/50 ,  Y10T428/31663

摘要： A multi-functional cyclic silicate compound, a siloxane-based polymer prepared from the silicate compound and a process of producing an insulating film using the siloxane-based polymer. The silicate compound of the present invention is highly compatible with conventional pore-generating substances and hardly hygroscopic, so it is useful for the preparation of a siloxane-based polymer suitable to a SOG process. Furthermore, a film produced by the use of such siloxane-based polymer is excellent in mechanical properties, thermal stability and crack resistance and enhanced in insulating properties by virtue of its low hygroscopicity. Therefore, in the field of semiconductor production, this film is of great use as an insulating film.

摘要翻译： 多官能环状硅酸盐化合物，由硅酸盐化合物制备的硅氧烷类聚合物和使用硅氧烷类聚合物制造绝缘膜的方法。 本发明的硅酸盐化合物与常规的孔产生物质高度相容，几乎不吸湿，因此可用于制备适用于SOG工艺的硅氧烷类聚合物。 此外，通过使用这种硅氧烷基聚合物制成的膜由于其低吸湿性而具有优异的机械性能，热稳定性和抗裂纹性以及增强的绝缘性能。 因此，在半导体制造领域中，该膜作为绝缘膜具有很大的用途。

公开(公告)号：US20050038220A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10878119

申请日：2004-06-29

申请人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Sang Mah ,  Jin Yim ,  Jae Lee ,  Kwang Lee ,  Jung Kim

发明人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Sang Mah ,  Jin Yim ,  Jae Lee ,  Kwang Lee ,  Jung Kim

IPC分类号： C07F7/18 ,  C07F7/21 ,  C08G77/14 ,  H01L21/312 ,  C08G77/04 ,  C07F7/04

CPC分类号： C07F7/21 ,  Y10T428/31663

摘要： A multi-functional cyclic siloxane compound (A), a siloxane-based (co)polymer prepared from the compound (A), or compound (A) and at least one of a Si monomer having organic bridges(B), an acyclic alkoxy silane monomer(C), and a linear siloxane monomer (D); and a process for preparing a dielectric film using the polymer. The siloxane compound of the present invention is highly reactive, so the polymer prepared from the compound is excellent in mechanical properties, thermal stability and crack resistance, and has a low dielectric constant resulting from compatibility with conventional pore-generating materials. Furthermore, a low content of carbon and high content of SiO2 enhance its applicability to the process of producing a semiconductor, wherein it finds great use as a dielectric film.

摘要翻译： 多官能环状硅氧烷化合物（A），由化合物（A）或化合物（A）制备的硅氧烷类（共）聚合物和至少一种具有有机桥（B）的Si单体，无环烷氧基 硅烷单体（C）和直链硅氧烷单体（D）; 以及使用该聚合物制备电介质膜的方法。 本发明的硅氧烷化合物具有高反应性，因此由该化合物制备的聚合物的机械性能，热稳定性和抗裂性优异，并且由于与常规孔产生材料的相容性而具有低的介电常数。 此外，低含量的碳和高含量的SiO 2增强了其在制造半导体的过程中的适用性，其中它被广泛用作电介质膜。

公开(公告)号：US20060175685A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11347238

申请日：2006-02-06

申请人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon

发明人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L23/5329 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L51/0046 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A composition for forming a low-dielectric constant film comprising a substituted fullerene, a low-dielectric constant film formed from the composition, and a method for forming the low-dielectric constant film are provided. The low-dielectric constant film has superior mechanical properties, such as hardness and elastic modulus, and excellent thermal conductivity.

摘要翻译： 提供一种用于形成包含取代的富勒烯的低介电常数膜的组合物，由该组合物形成的低介电常数膜以及形成低介电常数膜的方法。 低介电常数膜具有优异的机械性能，例如硬度和弹性模量，以及优异的导热性。

公开(公告)号：US20060110940A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11283926

申请日：2005-11-22

申请人： Jong Seon ,  Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Ji Kim

发明人： Jong Seon ,  Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Ji Kim

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

摘要： A method of preparing a mesoporous thin film having a low dielectric constant, which includes mixing a cyclic siloxane-based monomer, an organic solvent, an acid catalyst or a base catalyst, and water, to prepare a coating solution, which is then applied on a substrate and heat cured. The mesoporous thin film of the current invention may exhibit excellent physical properties including hardness and elastic modulus, and may have a low dielectric constant of 2.5 or less, and thus, may be used to manufacture semiconductors.

摘要翻译： 一种制备具有低介电常数的中孔薄膜的方法，其包括将环状硅氧烷类单体，有机溶剂，酸催化剂或碱催化剂与水混合，制备涂布溶液，然后将其涂布在 底物并加热固化。 本发明的介孔薄膜可以表现出优异的物理性能，包括硬度和弹性模量，并且可以具有2.5或更低的低介电常数，因此可用于制造半导体。

公开(公告)号：US20050131190A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10868222

申请日：2004-06-16

申请人： Jae Lee ,  Jong Seon ,  Hyun Jeong ,  Jin Yim ,  Hyeon Shin

发明人： Jae Lee ,  Jong Seon ,  Hyun Jeong ,  Jin Yim ,  Hyeon Shin

IPC分类号： C07B61/00 ,  C07F7/08 ,  C07F7/18 ,  C07F7/21 ,  C08G77/04 ,  C08G77/50 ,  C08G77/60 ,  G03F7/075 ,  H01L21/312

CPC分类号： C08G77/50 ,  C07F7/0838 ,  C07F7/1804

摘要： A novel multi-functional linear siloxane compound, a siloxane polymer prepared from the siloxane compound, and a process for forming a dielectric film by using the siloxane polymer. The linear siloxane polymer has enhanced mechanical properties (e.g., modulus), superior thermal stability, a low carbon content and a low hygroscopicity and is prepared by the homopolymerization of the linear siloxane compound or the copolymerization of the linear siloxane compound with another monomer. A dielectric film can be produced by heat-curing a coating solution containing the siloxane polymer which is highly reactive. The siloxane polymer prepared from the siloxane compound not only has satisfactory mechanical properties, thermal stability and crack resistance, but also exhibits a low hygroscopicity and excellent compatibility with pore-forming materials, which leads to a low dielectric constant. Furthermore, the siloxane polymer retains a relatively low carbon content but a high SiO2 content, resulting in its improved applicability to semiconductor devices. Therefore, the siloxane polymer is advantageously used as a material for dielectric films of semiconductor devices.

摘要翻译： 新型多功能直链硅氧烷化合物，由硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物，以及通过使用硅氧烷聚合物形成电介质膜的方法。 线性硅氧烷聚合物具有增强的机械性能（例如模量），优异的热稳定性，低碳含量和低吸湿性，并且通过直链硅氧烷化合物的均聚或线性硅氧烷化合物与另一单体的共聚制备。 可以通过热固化含有高反应性的硅氧烷聚合物的涂布溶液来制造电介质膜。 由硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物不仅具有令人满意的机械性能，热稳定性和抗裂性，而且具有低吸湿性和与成孔材料的优异相容性，导致低的介电常数。 此外，硅氧烷聚合物保持相对低的碳含量，但具有高的SiO 2含量，从而改善了对半导体器件的适用性。 因此，硅氧烷聚合物有利地用作半导体器件的介电膜的材料。

公开(公告)号：US20060264595A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11431707

申请日：2006-05-11

申请人： Yi Lyu ,  Ki Song ,  Joon Ryu ,  Jong Seon

发明人： Yi Lyu ,  Ki Song ,  Joon Ryu ,  Jong Seon

IPC分类号： C08L83/04 ,  C08G77/04 ,  B32B27/00

CPC分类号： H01B3/46 ,  C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  Y10T428/2962 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/31663

摘要： A siloxane-based resin having a novel structure and a semiconductor interlayer insulating film using the same. The siloxane-based resins have a low dielectric constant in addition to excellent mechanical properties and are useful materials in an insulating film between interconnect layers of a semiconductor device.

摘要翻译： 具有新颖结构的硅氧烷类树脂和使用其的半导体层间绝缘膜。 除了优异的机械性能之外，硅氧烷类树脂具有低介电常数，并且是半导体器件的互连层之间的绝缘膜中的有用材料。