公开(公告)号：US5115090A

公开(公告)日：1992-05-19

申请号：US503401

申请日：1990-03-30

申请人： Krishna G. Sachdev ,  John P. Hummel ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Leo L. Linehan ,  Harbans S. Sachdev

发明人： Krishna G. Sachdev ,  John P. Hummel ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Leo L. Linehan ,  Harbans S. Sachdev

IPC分类号： C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  H01L21/312 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L23/532 ,  H05K1/00

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C08G73/1014 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/4676

摘要： Viscosity stable, essentially gel-free linear polyamic acids are provided by a process utilizing offset stoichiometry. Polyimides formed from such polyamic acids have low TCE and low dielectric constants.Methods for improved adhesion of polyimides are also disclosed.

公开(公告)号：US5296332A

公开(公告)日：1994-03-22

申请号：US796155

申请日：1991-11-22

申请人： Harbans S. Sachdev ,  Willard E. Conley ,  Premlatha Jagannathan ,  Ahmad D. Katnani ,  Ranee W. Kwong ,  Leo L. Linehan ,  Steve S. Muira ,  Randolph J. Smith

发明人： Harbans S. Sachdev ,  Willard E. Conley ,  Premlatha Jagannathan ,  Ahmad D. Katnani ,  Ranee W. Kwong ,  Leo L. Linehan ,  Steve S. Muira ,  Randolph J. Smith

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03C5/56 ,  G03C1/73 ,  G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038

摘要： High sensitivity, high contrast, heat-stable resist compositions for use in deep UV, i-line e-beam and x-ray lithography. These compositions comprise a film-forming polymer having aromatic rings activated for electrophilic substitution, an acid catalyzable crosslinking agent which forms a hydroxy-stabilized carbonium ion, and a photoacid generator. The compositions are aqueous base developable.

摘要翻译： 用于深UV，i线电子束和x射线光刻的高灵敏度，高对比度，热稳定抗蚀剂组合物。 这些组合物包括具有用于亲电取代活化的芳环的成膜聚合物，形成羟基稳定的碳鎓离子的酸催化交联剂和光酸产生剂。 组合物是可显影的水性基质。

公开(公告)号：US5322765A

公开(公告)日：1994-06-21

申请号：US796527

申请日：1991-11-22

申请人： Nicholas J. Clecak ,  Willard E. Conley ,  Ranee W.-L. Kwong ,  Leo L. Linehan ,  Scott A. MacDonald ,  Harbans S. Sachdev ,  Hubert Schlosser ,  Carlton G. Willson

发明人： Nicholas J. Clecak ,  Willard E. Conley ,  Ranee W.-L. Kwong ,  Leo L. Linehan ,  Scott A. MacDonald ,  Harbans S. Sachdev ,  Hubert Schlosser ,  Carlton G. Willson

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/029 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/26 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03C1/72 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/265

摘要： Dry developable top surface imageable photoresist compositions which comprise, in admixture, a film-forming aromatic polymer resin activated to electrophilic substitution, an acid catalyzable agent capable of being inserted into the aromatic polymer resin, and a radiation degradable acid generating compound and processes for generating positive tone resist images on substrates therewith.

摘要翻译： 干可显影的顶表面可成像光致抗蚀剂组合物，其包含活化成亲电取代的成膜芳族聚合物树脂，能够插入到芳族聚合物树脂中的酸催化剂，以及可辐射降解酸生成化合物和产生 正色调抵消了基板上的图像。

公开(公告)号：US5312717A

公开(公告)日：1994-05-17

申请号：US949963

申请日：1992-09-24

申请人： Harbans S. Sachdev ,  John C. Forster ,  Leo L. Linehan ,  Scott A. MacDonald ,  K. Paul L. Muller ,  Walter E. Mlynko ,  Linda K. Somerville

发明人： Harbans S. Sachdev ,  John C. Forster ,  Leo L. Linehan ,  Scott A. MacDonald ,  K. Paul L. Muller ,  Walter E. Mlynko ,  Linda K. Somerville

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/36 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/265

摘要： A method for transferring a pattern through a photoresist layer in the fabrication of submicron semiconductor devices structures is disclosed. A photoresist is provided on a substrate and the same is imagewise exposed with a desired pattern to form exposed and unexposed patterned areas in the top surface of the photoresist. The photoresist is then baked to form cross-linked regions in the exposed pattern areas of the photoresist. Silylation is then performed to incorporate silicon into the unexposed patterned areas of the photoresist, wherein some incorporation of silicon occurs in the exposed patterned crosslinked areas of the photoresist. The patterned photoresist is subsequently etched using a high density, low pressure, anisotropic O.sub.2 plasma alone to produce residue-free images with vertical wall profiles in the photoresist. This method is particularly advantageous with RFI reactive ion etch systems.

摘要翻译： 公开了在制造亚微米半导体器件结构中通过光致抗蚀剂层转印图案的方法。 在基板上提供光致抗蚀剂，并将其以所需图案成像曝光，以在光致抗蚀剂的顶表面中形成曝光和未曝光的图案区域。 然后将光致抗蚀剂烘烤以在光致抗蚀剂的暴露图案区域中形成交联区域。 然后进行硅烷化以将硅结合到光致抗蚀剂的未曝光图案区域中，其中硅的一些掺入发生在光致抗蚀剂的暴露的图案化交联区域中。 随后使用高密度，低压，各向异性O 2等离子体蚀刻图案化的光致抗蚀剂，以在光致抗蚀剂中产生具有垂直壁分布的无残留图像。 该方法对于RFI反应离子蚀刻系统是特别有利的。

公开(公告)号：US5607824A

公开(公告)日：1997-03-04

申请号：US281398

申请日：1994-07-27

申请人： James T. Fahey ,  Brian W. Herbst ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

发明人： James T. Fahey ,  Brian W. Herbst ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08G65/40 ,  C08G67/00 ,  C09D171/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03C1/825

CPC分类号： C08G65/4012 ,  C09D171/00 ,  G03F7/091 ,  C08G2650/64

摘要： A co-polymer of benzophenone and bisphenol A has been shown to have DUV absorption properties. Therefore, the co-polymer has particular utility as an antireflective coating in microlithography applications. Incorporating anthracene into the co-polymer backbone enhances absorption at 248 nm. The endcapper used for the co-polymer can vary widely depending on the needs of the user and can be selected to promote adhesion, stability, and absorption of different wavelengths.

摘要翻译： 已经显示二苯甲酮和双酚A的共聚物具有DUV吸收性质。 因此，共聚物在微光刻应用中作为抗反射涂层具有特殊的用途。 将蒽掺入共聚物主链增强了在248nm的吸收。 用于共聚物的端塞可以根据用户的需要而广泛变化，并且可以选择以促进不同波长的粘附，稳定性和吸收。

公开(公告)号：US5561194A

公开(公告)日：1996-10-01

申请号：US412806

申请日：1995-03-29

申请人： Kathleen M. Cornett ,  Judy B. Dorn ,  Margaret C. Lawson ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith ,  Gary T. Spinillo

发明人： Kathleen M. Cornett ,  Judy B. Dorn ,  Margaret C. Lawson ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith ,  Gary T. Spinillo

IPC分类号： G03F7/023 ,  C08L61/10 ,  C08L25/04 ,  C08L33/12

CPC分类号： G03F7/0233

摘要： A polyalkylmethacrylate co-polymer of polyhydroxystyrene has been found to be an ideal blending partner in a novolak photoresist composition. The preferred co-polymer is poly(p-hydroxystyrene)-co-(methyl methacrylate). The co-polymer is fully miscible with novolaks and has a high thermal stability (>150.degree. C.).

摘要翻译： 已经发现聚羟基苯乙烯的聚烷基甲基丙烯酸酯共聚物在酚醛清漆光致抗蚀剂组合物中是理想的掺合配合物。 优选的共聚物是聚（对羟基苯乙烯） - 共 - （甲基丙烯酸甲酯）。 共聚物与酚醛清漆完全混溶，具有高热稳定性（> 150℃）。

公开(公告)号：US06907432B1

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US09723746

申请日：2000-11-28

申请人： Charles R. Szmanda ,  Peter Trefonas, III ,  Richard C. Hemond ,  Mark S. Thirsk ,  Leo L. Linehan ,  Anthony Zampini

发明人： Charles R. Szmanda ,  Peter Trefonas, III ,  Richard C. Hemond ,  Mark S. Thirsk ,  Leo L. Linehan ,  Anthony Zampini

IPC分类号： G06F17/30 ,  G06Q10/00

CPC分类号： G06Q10/06 ,  Y10S707/99945 ,  Y10S707/99948

摘要： A system and method is provided for recycling raw materials from a plurality waste streams generated by waste stream providers and includes a waste stream monitoring module for monitoring the plurality of waste streams and determining an amount of reusable raw materials contained in each of the plurality of waste streams. Also included is a reusable materials database for storing the amount of each of the raw materials contained in any of the plurality of waste streams. A user operating an access device communications with the reusable materials database for viewing the amount of each of said raw materials.

摘要翻译： 提供了一种用于从废物流提供者产生的多个废物流中回收原材料的系统和方法，并且包括用于监测多个废物流的废物流监测模块，并且确定包含在多个废物中的每一个中的可重复使用的原料的量 流。 还包括用于存储包含在多个废物流中的任何一个中的每个原料的量的可重复使用的材料数据库。 用户操作访问设备与可重用材料数据库的通信，用于查看每个所述原材料的量。

公开(公告)号：US06610609B2

公开(公告)日：2003-08-26

申请号：US09847741

申请日：2001-05-02

申请人： Edward W. Rutter, Jr. ,  Leo L. Linehan

发明人： Edward W. Rutter, Jr. ,  Leo L. Linehan

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/14683

摘要： Disclosed are compositions and methods for improving compatibility of imaging layers with dielectric layers. Also disclosed are methods of reducing or eliminating poisoning of photoresists during electronic device manufacture.

摘要翻译： 公开了用于提高成像层与电介质层的相容性的组合物和方法。 还公开了在电子设备制造期间减少或消除光致抗蚀剂中毒的方法。

公开(公告)号：US06803171B2

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：US10140761

申请日：2002-05-08

申请人： Dana A. Gronbeck ,  George G. Barclay ,  Leo L. Linehan ,  Kao Xiong ,  Subbareddy Kanagasabapathy

发明人： Dana A. Gronbeck ,  George G. Barclay ,  Leo L. Linehan ,  Kao Xiong ,  Subbareddy Kanagasabapathy

IPC分类号： G03C173

CPC分类号： G03F7/0005 ,  G03F7/001 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

摘要： Disclosed are photoimageable compositions containing silsesquioxane binder polymers and photoactive compounds, methods of forming relief images using such compositions and methods of manufacturing electronic devices using such compositions. Such compositions are useful as photoresists and in the manufacture of optoelectronic devices.

摘要翻译： 公开了含有倍半硅氧烷粘合剂聚合物和光活性化合物的可光成像组合物，使用这种组合物形成浮雕图像的方法和使用这种组合物制造电子器件的方法。 这样的组合物可用作光致抗蚀剂和制造光电器件。

公开(公告)号：US6136498A

公开(公告)日：2000-10-24

申请号：US672804

申请日：1996-06-28

申请人： Premlatha Jagannathan ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

发明人： Premlatha Jagannathan ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Randolph J. Smith

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/116 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/127 ,  Y10S430/128

摘要： A photoresist composition for use in lithographic processes in the fabrication of semiconductor devices such as integrated circuit structures is disclosed. The photoresist composition includes a monomeric sensitizer bounding to a base-soluble long chain polymer.