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    Method and system for modifying substrate relief features using ion implantation
    1.
    发明授权
    Method and system for modifying substrate relief features using ion implantation 有权
    使用离子注入修改底物浮雕特征的方法和系统

    公开(公告)号：US08778603B2

    公开(公告)日：2014-07-15

    申请号：US13046136

    申请日：2011-03-11

    申请人： Ludovic Godet ,  Patrick M. Martin ,  Timothy J. Miller ,  Vikram Singh

    发明人： Ludovic Godet ,  Patrick M. Martin ,  Timothy J. Miller ,  Vikram Singh

    IPC分类号： G21G1/10

    CPC分类号： H01J37/317 ,  G03F7/40 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66787

    摘要： A method of treating resist features comprises positioning, in a process chamber, a substrate having a set of patterned resist features on a first side of the substrate and generating a plasma in the process chamber having a plasma sheath adjacent to the first side of the substrate. The method may further comprise modifying a shape of a boundary between the plasma and the plasma sheath with a plasma sheath modifier so that a portion of the shape of the boundary is not parallel to a plane defined by a front surface of the substrate facing the plasma, wherein ions from the plasma impinge on the patterned resist features over a wide angular range during a first exposure.

    摘要翻译： 一种处理抗蚀剂特征的方法包括在处理室中将在衬底的第一侧上具有一组图案化的抗蚀剂特征的衬底定位，并且在处理室中产生等离子体，其具有与衬底的第一侧相邻的等离子体鞘 。 该方法可以进一步包括用等离子体护套改性剂修改等离子体和等离子体护套之间的边界的形状，使得边界形状的一部分不平行于由衬底面向等离子体的前表面限定的平面 其中来自等离子体的离子在第一曝光期间在宽的角度范围内撞击在图案化的抗蚀剂特征上。

    METHOD AND SYSTEM FOR MODIFYING SUBSTRATE RELIEF FEATURES USING ION IMPLANTION
    2.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR MODIFYING SUBSTRATE RELIEF FEATURES USING ION IMPLANTION 有权
    使用离子注入修饰衬底缓冲特征的方法和系统

    公开(公告)号：US20110223546A1

    公开(公告)日：2011-09-15

    申请号：US13046136

    申请日：2011-03-11

    申请人： Ludovic Godet ,  Patrick M. Martin ,  Timothy J. Miller ,  Vikram Singh

    发明人： Ludovic Godet ,  Patrick M. Martin ,  Timothy J. Miller ,  Vikram Singh

    IPC分类号： G03F7/20 ,  B01J19/08

    CPC分类号： H01J37/317 ,  G03F7/40 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66787

    摘要： A method of treating resist features comprises positioning, in a process chamber, a substrate having a set of patterned resist features on a first side of the substrate and generating a plasma in the process chamber having a plasma sheath adjacent to the first side of the substrate. The method may further comprise modifying a shape of a boundary between the plasma and the plasma sheath with a plasma sheath modifier so that a portion of the shape of the boundary is not parallel to a plane defined by a front surface of the substrate facing the plasma, wherein ions from the plasma impinge on the patterned resist features over a wide angular range during a first exposure.

    摘要翻译： 一种处理抗蚀剂特征的方法包括在处理室中将在衬底的第一侧上具有一组图案化的抗蚀剂特征的衬底定位，并且在处理室中产生等离子体，其具有与衬底的第一侧相邻的等离子体鞘 。 该方法可以进一步包括用等离子体护套改性剂修改等离子体和等离子体护套之间的边界的形状，使得边界形状的一部分不平行于由衬底面向等离子体的前表面限定的平面 其中来自等离子体的离子在第一曝光期间在宽的角度范围内撞击在图案化的抗蚀剂特征上。

    Ion source
    3.
    发明授权
    Ion source 有权
    离子源

    公开(公告)号：US08188445B2

    公开(公告)日：2012-05-29

    申请号：US12848354

    申请日：2010-08-02

    申请人： Ludovic Godet ,  Timothy J. Miller ,  Joseph C. Olson ,  Vikram Singh

    发明人： Ludovic Godet ,  Timothy J. Miller ,  Joseph C. Olson ,  Vikram Singh

    IPC分类号： H01J49/10 ,  H01J37/08 ,  H01J23/06

    CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/0835 ,  Y10S438/961

    摘要： An ion source includes an arc chamber having an extraction aperture, and a plasma sheath modulator positioned in the arc chamber. The plasma sheath modulator is configured to control a shape of a boundary between a plasma and a plasma sheath proximate the extraction aperture, wherein the plasma sheath modulator includes a semiconductor. A well focused ion beam having a high current density can be generated by the ion source. A high current density ion beam can improve the throughput of an associated process. The emittance of the ion beam can also be controlled.

    摘要翻译： 离子源包括具有提取孔的电弧室和位于电弧室中的等离子体鞘调制器。 等离子体鞘调制器被配置为控制靠近提取孔的等离子体和等离子体鞘之间的边界的形状，其中等离子体鞘调制器包括半导体。 可以通过离子源产生具有高电流密度的良好聚焦的离子束。 高电流密度离子束可以提高相关过程的吞吐量。 也可以控制离子束的发射。

    Plasma processing apparatus
    5.
    发明授权
    Plasma processing apparatus 有权
    等离子体处理装置

    公开(公告)号：US08664098B2

    公开(公告)日：2014-03-04

    申请号：US13353993

    申请日：2012-01-19

    申请人： Ludovic Godet ,  Timothy J. Miller ,  Svetlana B. Radovanov ,  Anthony Renau ,  Vikram Singh

    发明人： Ludovic Godet ,  Timothy J. Miller ,  Svetlana B. Radovanov ,  Anthony Renau ,  Vikram Singh

    IPC分类号： H01L21/26 ,  C23F1/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01J37/32623 ,  C23C14/48

    摘要： A plasma processing apparatus includes a process chamber, a platen for supporting a workpiece, a source configured to generate a plasma in the process chamber, and an insulating modifier. The insulating modifier has a gap, and a gap plane, where the gap plane is defined by portions of the insulating modifier closest to the sheath and proximate the gap. A gap angle is defined as the angle between the gap plane and a plane defined by the front surface of the workpiece. Additionally, a method of having ions strike a workpiece is disclosed, where the range of incident angles of the ions striking the workpiece includes a center angle and an angular distribution, and where the use of the insulating modifier creates a center angle that is not perpendicular to the workpiece.

    摘要翻译： 等离子体处理装置包括处理室，用于支撑工件的压板，被配置为在处理室中产生等离子体的源和绝缘改性剂。 绝缘改性剂具有间隙和间隙平面，其中间隙平面由最接近护套并靠近间隙的绝缘改性物的部分限定。 间隙角定义为间隙平面与由工件的前表面限定的平面之间的角度。 另外，公开了一种具有离子冲击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角的范围包括中心角和角分布，并且其中使用绝缘改性剂产生不垂直的中心角 到工件。

    ION SOURCE
    7.
    发明申请
    ION SOURCE 有权
    离子源

    公开(公告)号：US20110186749A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：US12848354

    申请日：2010-08-02

    申请人： Ludovic Godet ,  Timothy J. Miller ,  Joseph C. Olson ,  Vikram Singh

    发明人： Ludovic Godet ,  Timothy J. Miller ,  Joseph C. Olson ,  Vikram Singh

    IPC分类号： H01J27/08

    CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/0835 ,  Y10S438/961

    摘要： An ion source includes an arc chamber having an extraction aperture, and a plasma sheath modulator positioned in the arc chamber. The plasma sheath modulator is configured to control a shape of a boundary between a plasma and a plasma sheath proximate the extraction aperture, wherein the plasma sheath modulator includes a semiconductor. A well focused ion beam having a high current density can be generated by the ion source. A high current density ion beam can improve the throughput of an associated process. The emittance of the ion beam can also be controlled.

    摘要翻译： 离子源包括具有提取孔的电弧室和位于电弧室中的等离子体鞘调制器。 等离子体鞘调制器被配置为控制靠近提取孔的等离子体和等离子体鞘之间的边界的形状，其中等离子体鞘调制器包括半导体。 可以通过离子源产生具有高电流密度的良好聚焦的离子束。 高电流密度离子束可以提高相关过程的吞吐量。 也可以控制离子束的发射。

    Techniques for plasma processing a substrate
    8.
    发明授权
    Techniques for plasma processing a substrate 有权
    用于等离子体处理衬底的技术

    公开(公告)号：US09123509B2

    公开(公告)日：2015-09-01

    申请号：US13157005

    申请日：2011-06-09

    申请人： George D. Papasouliotis ,  Kamal Hadidi ,  Helen L. Maynard ,  Ludovic Godet ,  Vikram Singh ,  Timothy J. Miller ,  Bernard Lindsay

    发明人： George D. Papasouliotis ,  Kamal Hadidi ,  Helen L. Maynard ,  Ludovic Godet ,  Vikram Singh ,  Timothy J. Miller ,  Bernard Lindsay

    IPC分类号： H01J37/32

    CPC分类号： H01J37/32146 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244

    摘要： Techniques for plasma processing a substrate are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized with a method comprising introducing a feed gas proximate to a plasma source, where the feed gas may comprise a first and second species, where the first and second species have different ionization energies; providing a multi-level RF power waveform to the plasma source, where the multi-level RF power waveform has at least a first power level during a first pulse duration and a second power level during a second pulse duration, where the second power level may be different from the first power level; ionizing the first species of the feed gas during the first pulse duration; ionizing the second species during the second pulse duration; and providing a bias to the substrate during the first pulse duration.

    摘要翻译： 公开了用于等离子体处理衬底的技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以通过包括将进料气体接近等离子体源的方法来实现，其中进料气体可以包括第一和第二物质，其中第一和第二物质具有不同的电离能; 向所述等离子体源提供多级RF功率波形，其中所述多级RF功率波形在第一脉冲持续时间期间具有至少第一功率电平，并且在第二脉冲持续时间期间具有第二功率电平，其中所述第二功率电平可以 与第一功率水平不同; 在第一脉冲持续期间电离原料气体的第一种; 在第二脉冲期间电离第二物种; 以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏置。