公开(公告)号：US08309438B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12706116

申请日：2010-02-16

申请人： Luigi Colombo ,  Robert M. Wallace ,  Rodney S. Ruoff

发明人： Luigi Colombo ,  Robert M. Wallace ,  Rodney S. Ruoff

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02612 ,  H01L21/02527

摘要： A method and semiconductor device for synthesizing graphene using ion implantation of carbon. Carbon is implanted in a metal using ion implantation. After the carbon is distributed in the metal, the metal is annealed and cooled in order to precipitate the carbon from the metal to form a layer of graphene on the surface of the metal. The metal/graphene surface is then transferred to a dielectric layer in such a manner that the graphene layer is placed on top of the dielectric layer. The metal layer is then removed. Alternatively, recessed regions are patterned and etched in a dielectric layer located on a substrate. Metal is later formed in these recessed regions. Carbon is then implanted into the metal using ion implantation. The metal may then be annealed and cooled in order to precipitate the carbon from the metal to form a layer of graphene on the metal's surface.

摘要翻译： 一种使用碳的离子注入合成石墨烯的方法和半导体器件。 使用离子注入将碳注入金属中。 在碳分布在金属中之后，对金属进行退火和冷却，以便从金属沉淀碳以在金属表面上形成一层石墨烯。 然后将金属/石墨烯表面转移到电介质层，使得石墨烯层被放置在电介质层的顶部上。 然后去除金属层。 或者，凹陷区域被图案化并蚀刻在位于基底上的电介质层中。 金属后来形成在这些凹陷区域。 然后使用离子注入将碳注入到金属中。 然后可以对金属进行退火和冷却，以便从金属沉淀碳以在金属表面上形成一层石墨烯。

公开(公告)号：US20100224851A1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：US12706116

申请日：2010-02-16

申请人： Luigi Colombo ,  Robert M. Wallace ,  Rodney S. Ruoff

发明人： Luigi Colombo ,  Robert M. Wallace ,  Rodney S. Ruoff

IPC分类号： H01L29/15 ,  C04B35/536 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02612 ,  H01L21/02527

摘要： A method and semiconductor device for synthesizing graphene using ion implantation of carbon. Carbon is implanted in a metal using ion implantation. After the carbon is distributed in the metal, the metal is annealed and cooled in order to precipitate the carbon from the metal to form a layer of graphene on the surface of the metal. The metal/graphene surface is then transferred to a dielectric layer in such a manner that the graphene layer is placed on top of the dielectric layer. The metal layer is then removed. Alternatively, recessed regions are patterned and etched in a dielectric layer located on a substrate. Metal is later formed in these recessed regions. Carbon is then implanted into the metal using ion implantation. The metal may then be annealed and cooled in order to precipitate the carbon from the metal to form a layer of graphene on the metal's surface.

摘要翻译： 一种使用碳的离子注入合成石墨烯的方法和半导体器件。 使用离子注入将碳注入金属中。 在碳分布在金属中之后，对金属进行退火和冷却，以便从金属沉淀碳以在金属表面上形成一层石墨烯。 然后将金属/石墨烯表面转移到电介质层，使得石墨烯层被放置在电介质层的顶部上。 然后去除金属层。 或者，将凹陷区域图案化并蚀刻在位于基底上的电介质层中。 金属后来形成在这些凹陷区域。 然后使用离子注入将碳注入到金属中。 然后可以对金属进行退火和冷却，以便从金属沉淀碳以在金属表面上形成一层石墨烯。

公开(公告)号：US06933235B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10302714

申请日：2002-11-21

申请人： Manuel A. Quevedo-Lopez ,  Robert M. Wallace ,  Mohamed El Bouanani ,  Bruce E. Gnade

发明人： Manuel A. Quevedo-Lopez ,  Robert M. Wallace ,  Mohamed El Bouanani ,  Bruce E. Gnade

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/32 ,  H01L29/51 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02238 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method of processing a substrate is disclosed. The method includes depositing a dielectric layer having a metal oxide on a substrate. A portion of the dielectric layer is removed to form a dielectric structure, thereby exposing a surface of the substrate. For example, the dielectric layer may be patterned using standard photolithographic techniques and etching. An oxide layer is then formed on the exposed surface of the substrate. The oxide layer may be formed using ozone that is generated using ultraviolet radiation. After the oxide layer is formed, it is removed using an etching process.

摘要翻译： 公开了一种处理衬底的方法。 该方法包括在衬底上沉积具有金属氧化物的电介质层。 去除介电层的一部分以形成电介质结构，从而暴露衬底的表面。 例如，可以使用标准光刻技术和蚀刻对电介质层进行图案化。 然后在基板的暴露表面上形成氧化物层。 可以使用使用紫外线辐射产生的臭氧形成氧化物层。 在形成氧化物层之后，使用蚀刻工艺除去氧化物层。

公开(公告)号：US06897105B1

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：US09396642

申请日：1999-09-15

申请人： Glen D. Wilk ,  Robert M. Wallace ,  John M. Anthony ,  Paul McIntyre

发明人： Glen D. Wilk ,  Robert M. Wallace ,  John M. Anthony ,  Paul McIntyre

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/44 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/60 ,  Y10S438/957

摘要： An embodiment of the instant invention is a method of forming a electrically conductive structure insulatively disposed from a second structure, the method comprising: providing the second structure; forming the electrically conductive structure of a material (step 118 of FIG. 1) that remains substantially conductive after it is oxidized; forming an electrically insulative layer (step 116 of FIG. 1) between the second structure and the conductive structure; and oxidizing the conductive structure by subjecting it to an ozone containing atmosphere for a duration of time and at a first temperature.

摘要翻译： 本发明的一个实施例是形成从第二结构绝对地设置的导电结构的方法，所述方法包括：提供所述第二结构; 形成材料的导电结构（图1的步骤118），其在氧化之后保持基本导电; 在第二结构和导电结构之间形成电绝缘层（图1的步骤116）; 以及通过使其在含臭氧的气氛中持续一段时间并处于第一温度来氧化所述导电结构。

公开(公告)号：US06613698B2

公开(公告)日：2003-09-02

申请号：US09859907

申请日：2001-05-17

申请人： Glen D. Wilk ,  John Mark Anthony ,  Yi Wei ,  Robert M. Wallace

发明人： Glen D. Wilk ,  John Mark Anthony ,  Yi Wei ,  Robert M. Wallace

IPC分类号： H01L21318

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： A method for forming a thermal silicon nitride on a semiconductor substrate is disclosed. This method allows formation of thermal silicon nitride that is thick enough for a FET gate dielectric, but has a low thermal budget.

公开(公告)号：US6143634A

公开(公告)日：2000-11-07

申请号：US123828

申请日：1998-07-28

申请人： Robert M. Wallace ,  Peijun Chen

发明人： Robert M. Wallace ,  Peijun Chen

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76879

摘要： Channel-hot-carrier reliability can be improved by deuterium passivation of the gate interface. By performing high temperature steps (above 300 degrees Celsius) in a deuterium-containing ambient, harmful depletion of deuterium due to diffusion away from the gate interface is avoided.

摘要翻译： 通过栅极接口的氘钝化可以提高通道 - 热载体的可靠性。 通过在含氘环境中进行高温步骤（高于300摄氏度），避免了由于扩散离开栅极界面而导致的氘的有害耗尽。

公开(公告)号：US5881505A

公开(公告)日：1999-03-16

申请号：US797256

申请日：1997-02-07

申请人： Alma J. Larkin, III ,  Robert M. Wallace

发明人： Alma J. Larkin, III ,  Robert M. Wallace

IPC分类号： E04H13/00

CPC分类号： E04H13/006

摘要： A free-standing cremation memorial for holding cremated remains has a plurality of chambers in a vertical portion of the structure as well as a number of chambers in the base unit. A base member prefabricated of aluminum framework with at least about 10 underground chambers is provided. An upright framework supported on said base in which a large number of niches is provided. A base member, which is supported on concrete footings, is a three-dimensional framework which provides support for the upright portion of the cremation memorial, which is also prefabricated framework.

摘要翻译： 用于固定火化遗迹的独立的火葬纪念碑在该结构的垂直部分中具有多个室以及基座单元中的多个室。 提供了具有至少约10个地下室的铝框架预制的基座构件。 支撑在所述底座上的直立框架，其中设置有大量壁龛。 一个支撑在混凝土基座上的基座是一个三维框架，为火葬纪念碑的直立部分提供支持，这也是预制框架。

公开(公告)号：US5610438A

公开(公告)日：1997-03-11

申请号：US401048

申请日：1995-03-08

申请人： Robert M. Wallace ,  Douglas A. Webb

发明人： Robert M. Wallace ,  Douglas A. Webb

IPC分类号： G02B26/08 ,  H01L23/18

CPC分类号： G02B26/0841

摘要： The present invention relates to micro-mechanical devices including actuators, motors and sensors with improved operating characteristics. A micro-mechanical device (10) comprising a DMD-type spatial light modulator with a getter (100) located within the package (52). The getter (100) is preferably specific to water, larger organic molecules, various gases, or other high surface energy substances. The getter is a non-evaporable getter (NEG) to permit the use of active metal getter systems without their evaporation on package surfaces.

摘要翻译： 本发明涉及包括具有改进的操作特性的致动器，马达和传感器的微机械装置。 一种微机械装置（10），包括具有位于所述封装（52）内的吸气剂（100）的DMD型空间光调制器。 吸气剂（100）优选对水，较大的有机分子，各种气体或其它高表面能物质是特异性的。 吸气剂是非蒸发性吸气剂（NEG），允许使用活性金属吸气剂系统，而不会在包装表面上蒸发。

公开(公告)号：US5606177A

公开(公告)日：1997-02-25

申请号：US349866

申请日：1994-12-06

申请人： Robert M. Wallace ,  Alan C. Seabaugh

发明人： Robert M. Wallace ,  Alan C. Seabaugh

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66 ,  H01L29/88

CPC分类号： H01L29/882 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/66151

摘要： A resonant tunneling diode (400) made of a silicon quantum well (406) with silicon oxide tunneling barriers (404, 408). The tunneling barriers have openings (430) of size smaller than the electron wave packet spread to insure crystal alignment through the diode without affecting the tunneling barrier height, and the openings (430) have an irregular (nonperiodic) shape.

摘要翻译： 由硅量子阱（406）制成的具有氧化硅隧道势垒（404,408）的谐振隧穿二极管（400）。 隧穿势垒具有尺寸小于扩散的电子波包的开口（430），以确保通过二极管的晶体取向而不影响隧道势垒高度，并且开口（430）具有不规则（非周期性）形状。

公开(公告)号：US06784507B2

公开(公告)日：2004-08-31

申请号：US10259677

申请日：2002-09-27

申请人： Robert M. Wallace ,  Bruce E. Gnade

发明人： Robert M. Wallace ,  Bruce E. Gnade

IPC分类号： H01L2976

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： CMOS and BiCMOS structures with a silicate-germanate gate dielectric on SiGe PMOS areas and Si NMOS areas plus HBTs with Si—SiGe emitter-base junctions.

摘要翻译： CMOS和BiCMOS结构，在SiGe PMOS区域上具有硅酸盐 - 锗酸盐栅极电介质，Si NMOS区域加上具有Si-SiGe发射极基极结的HBT。