公开(公告)号：US08101517B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12568925

申请日：2009-09-29

申请人： Manfred Frank ,  Ivan Nikitin ,  Thomas Kunstmann

发明人： Manfred Frank ,  Ivan Nikitin ,  Thomas Kunstmann

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/288 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments may relate to a method for making a semiconductor structure, the method including: forming an opening at least partially through a workpiece; and forming an enclosed cavity within the opening, the forming the cavity comprising forming a paste within the opening.

摘要翻译： 一个或多个实施例可涉及用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：至少部分地通过工件形成开口; 以及在所述开口内形成封闭空腔，形成所述空腔包括在所述开口内形成浆料。

公开(公告)号：US20110074040A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12568925

申请日：2009-09-29

申请人： Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Ivan Nikitin

发明人： Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/288 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments may relate to a method for making a semiconductor structure, the method including: forming an opening at least partially through a workpiece; and forming an enclosed cavity within the opening, the forming the cavity comprising forming a paste within the opening.

摘要翻译： 一个或多个实施例可涉及用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：至少部分地通过工件形成开口; 以及在所述开口内形成封闭空腔，形成所述空腔包括在所述开口内形成浆料。

公开(公告)号：US08338317B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US13080813

申请日：2011-04-06

申请人： Manfred Engelhardt ,  Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitn ,  Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Werner Robl ,  Guenther Ruhl

发明人： Manfred Engelhardt ,  Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitn ,  Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Werner Robl ,  Guenther Ruhl

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/405 ,  C23C4/08 ,  C23C4/134 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/181 ,  H05H1/42 ,  H05K2203/1344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105

摘要： According to various embodiments, a method for processing a semiconductor wafer or die is provided including supplying particles to a plasma such that the particles are activated by the plasma and spraying the activated particles on the semiconductor wafer or die to generate a particle layer on the semiconductor wafer or die.

摘要翻译： 根据各种实施例，提供了一种用于处理半导体晶片或裸片的方法，包括向等离子体供应颗粒，使得颗粒被等离子体激活并将活化的颗粒喷射在半导体晶片或裸片上，以在半导体上产生颗粒层 晶片或模具。

公开(公告)号：US20120256323A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13080813

申请日：2011-04-06

申请人： Manfred Engelhardt ,  Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitn ,  Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Werner Robl ,  Guenther Ruhl

发明人： Manfred Engelhardt ,  Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitn ,  Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Werner Robl ,  Guenther Ruhl

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  B05B5/03

CPC分类号： H01L33/405 ,  C23C4/08 ,  C23C4/134 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/181 ,  H05H1/42 ,  H05K2203/1344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105

摘要： According to various embodiments, a method for processing a semiconductor wafer or die is provided including supplying particles to a plasma such that the particles are activated by the plasma and spraying the activated particles on the semiconductor wafer or die to generate a particle layer on the semiconductor wafer or die.

摘要翻译： 根据各种实施例，提供了一种用于处理半导体晶片或裸片的方法，包括向等离子体供应颗粒，使得颗粒被等离子体激活并将活化的颗粒喷射在半导体晶片或裸片上，以在半导体上产生颗粒层 晶片或模具。

公开(公告)号：US20100230818A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12790220

申请日：2010-05-28

申请人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

发明人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method of forming through substrate vias in forming semiconductor components are described. In one embodiment, the invention describes a method of forming a through substrate via by partially filling an opening with a fill material, and forming a first insulating layer over the first fill material thereby forming a gap over the opening. The method further includes forming a second insulating layer to close the gap thereby forming an enclosed cavity within the opening.

摘要翻译： 描述了在形成半导体部件时通过衬底通孔形成的结构和方法。 在一个实施例中，本发明描述了一种通过用填充材料部分地填充开口形成贯通衬底通孔的方法，并且在第一填充材料之上形成第一绝缘层，从而在开口上形成间隙。 该方法还包括形成第二绝缘层以封闭间隙，从而在开口内形成封闭空腔。

公开(公告)号：US20090302480A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12135059

申请日：2008-06-06

申请人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

发明人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method of forming through substrate vias in forming semiconductor components are described. In one embodiment, the invention describes a method of forming a through substrate via by partially filling an opening with a fill material, and forming a first insulating layer over the first fill material thereby forming a gap over the opening. The method further includes forming a second insulating layer to close the gap thereby forming an enclosed cavity within the opening.

摘要翻译： 描述了在形成半导体部件时通过衬底通孔形成的结构和方法。 在一个实施例中，本发明描述了一种通过用填充材料部分地填充开口形成贯通衬底通孔的方法，并且在第一填充材料之上形成第一绝缘层，从而在开口上形成间隙。 该方法还包括形成第二绝缘层以封闭间隙，从而在开口内形成封闭空腔。

公开(公告)号：US08399936B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US12790220

申请日：2010-05-28

申请人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

发明人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method of forming through substrate vias in forming semiconductor components are described. In one embodiment, the invention describes a method of forming a through substrate via by partially filling an opening with a fill material, and forming a first insulating layer over the first fill material thereby forming a gap over the opening. The method further includes forming a second insulating layer to close the gap thereby forming an enclosed cavity within the opening.

摘要翻译： 描述了在形成半导体部件时通过衬底通孔形成的结构和方法。 在一个实施例中，本发明描述了一种通过用填充材料部分地填充开口形成贯通衬底通孔的方法，并且在第一填充材料之上形成第一绝缘层，从而在开口上形成间隙。 该方法还包括形成第二绝缘层以封闭间隙，从而在开口内形成封闭空腔。

公开(公告)号：US07772123B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US12135059

申请日：2008-06-06

申请人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

发明人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method of forming through substrate vias in forming semiconductor components are described. In one embodiment, the invention describes a method of forming the through substrate via by filling an opening with a first fill material and depositing a first insulating layer over the first fill material, the first insulating layer not being deposited on sidewalls of the fill material in the opening, wherein sidewalls of the first insulating layer form a gap over the opening. The method further includes forming a void by sealing the opening using a second insulating layer.

摘要翻译： 描述了在形成半导体部件时通过衬底通孔形成的结构和方法。 在一个实施例中，本发明描述了一种通过用第一填充材料填充开口形成通孔基底通孔的方法，并且在第一填充材料上沉积第一绝缘层，第一绝缘层未沉积在填充材料的侧壁上 所述开口，其中所述第一绝缘层的侧壁在所述开口上形成间隙。 该方法还包括通过使用第二绝缘层密封开口来形成空隙。