公开(公告)号：US5362972A

公开(公告)日：1994-11-08

申请号：US686780

申请日：1991-04-17

申请人： Masamitsu Yazawa ,  Kenji Hiruma ,  Toshio Katsuyama ,  Nobutaka Futigami ,  Hidetoshi Matsumoto ,  Hiroshi Kakibayashi ,  Masanari Koguchi ,  Gerard P. Morgan ,  Kensuke Ogawa

发明人： Masamitsu Yazawa ,  Kenji Hiruma ,  Toshio Katsuyama ,  Nobutaka Futigami ,  Hidetoshi Matsumoto ,  Hiroshi Kakibayashi ,  Masanari Koguchi ,  Gerard P. Morgan ,  Kensuke Ogawa

IPC分类号： C30B25/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/334 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01L33/18 ,  H01S5/10 ,  H01S5/34 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/125 ,  H01L29/66454 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66931 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/775 ,  H01L29/861 ,  H01S5/341 ,  H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01S5/1042

摘要： A field effect transistor and a ballistic transistor using semiconductor whiskers each having a desired diameter and formed at s desired location, a semiconductor vacuum microelectronic device using the same as electron emitting materials, a light emitting device using the same as quantum wires and the like are disclosed.

摘要翻译： 一种场效应晶体管和使用半导体晶须的弹道晶体管，每个半导体晶须具有期望的直径并形成在期望的位置，使用其作为电子发射材料的半导体真空微电子器件，使用该半导体晶须的量子线等的发光器件 披露

公开(公告)号：US5332910A

公开(公告)日：1994-07-26

申请号：US159343

申请日：1993-11-30

申请人： Keiichi Haraguchi ,  Kenji Hiruma ,  Kensuke Ogawa ,  Toshio Katsuyama ,  Ken Yamaguchi ,  Toshiyuki Usagawa ,  Masamits Yazawa ,  Toshiaki Masuhara ,  Gerard P. Morgan ,  Hiroshi Kakibayashi

发明人： Keiichi Haraguchi ,  Kenji Hiruma ,  Kensuke Ogawa ,  Toshio Katsuyama ,  Ken Yamaguchi ,  Toshiyuki Usagawa ,  Masamits Yazawa ,  Toshiaki Masuhara ,  Gerard P. Morgan ,  Hiroshi Kakibayashi

IPC分类号： G02B6/42 ,  H01L33/00 ,  H01L33/24 ,  H01S3/067 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  H01S5/12 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/223 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42 ,  H01S5/50

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/4202 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/183 ,  H01S5/4031 ,  H01S3/06708 ,  H01S5/0028 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0608 ,  H01S5/1042 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18 ,  H01S5/223 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/4006 ,  H01S5/4056 ,  H01S5/423 ,  H01S5/5045

摘要： A semiconductor light-emitting device includes a plurality of semiconductor rods, each of which has a pn junction. The semiconductor rods are formed on a semiconductor substrate such that the plurality of semiconductor rods are arranged at a distance substantially equal to an integer multiple of the wavelength of light emitted from the semiconductor rod. With such devices, various novel optical devices such as a micro-cavity laser of which the threshold current is extremely small and a coherent light-emitting device having no threshold value can be realized.

摘要翻译： 半导体发光器件包括多个半导体棒，每个半导体棒具有pn结。 半导体棒形成在半导体衬底上，使得多个半导体棒被布置成基本上等于从半导体棒发射的光的波长的整数倍的距离。 利用这样的装置，可以实现各种新颖的光学装置，例如阈值电流极小的微腔激光器和不具有阈值的相干发光装置。